1、GB/T1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法1范围本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的材料，可在其表面上测出不同导电类型区域。本标准不适用于分层结构材料（如外延片）导电类型的测试。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1551硅单品电阻率测定方法GB/T4326非本征
2、半导体单霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T14264半导体材料语3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4方法提要4.1总则4.1.1本标准包括五种测试方法：方法A热探针法：方法B-冷探针法：方法C点接触整流法：方法D全类型法，包括方法D:全类型整流法，方法D2全类型热电势法：方法E表面光电压法。4.1.2方法A:适用于电阻率20cm以下的N型和P型材料及电阻率1000cm以下的N型和P型硅材料。4.1.3方法B:适用于电阻率20cm以下的N型和P型材料及电阻率1000cm以下的N型和P型硅材料。4.1.4方法C:适用于电阻率1cm1000cm的N型和P型硅材料。4.1.5方法D1:适用于电阻率1cm36cm的N型和P型锗材料及电阻率0.1cm3000cm的N型和P型硅材料。4.1.6方法D2:适用于电阻率0.2cm1cm的N型和P型硅材料。4.1.7方法E:适用于电阻率0.2cm3000cm的N型和P型硅材料。4.1.8方法A方法E也可用于测试超出4.1.24.1.7界定范围的非本征半导体材料，但其适用性未经试验验证。
