1、GB/T4937.15-2018/1EC60749-15:2010一第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法；一第38部分：半导体存储器件的软错误试验方法：一第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量：一第40部分：采用张力仪的板级跌落试验方法：一第41部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法：一第42部分：温度和湿度存：一第43部分：集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南：一第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。本部分为GB/T4937的第15部分。本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本部分使用翻译法等同采用1EC60749-15:2010%半导体器件
2、机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热。与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下：一GB/T2423.28一2005电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验T:锡焊(1EC60068-2-20:1979,1DT)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学微电子研究院、无锡必创传感科技有限公司。本部分主要起草人：高金环、彭浩、柳华光、黄杰、高兆丰、崔波、张威、陈得民、周刚。/
