1、GB/T29850-2013前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口，本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太阳能电力有限公司、国家电子功能与铺助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。本标准主要起草人：董颜挥、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡。IGB/T29850-2013光伏电池用硅材料补偿度测量方法1范围本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分
2、析方法。本标准适用于光伏电池用非摻杂硅材料补偿度的测量和分析。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T4326非本征半导休单品蛋尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T24581低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单品中、V族杂质含量的测试方法GB/T29057用区熔拉品法和光普分析法评价多品硅棒的规程3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4方法原理利用载流子浓度与温度变化关系的电中性方程，对(P)一T-关系曲线进
3、行计算机拟合分析，从而得到补偿度。电中性方程（以N型样品为例）如式(1)所示：n(n十N)=Nc.cxp-mNp-NA-n gA(1）其中Nc计算方法见式(2)：Ne=22xm kT wah2nn1n（2）电离化杂质浓度关系见式(3)：1300=Np-NA（3）由式(1)，式(2)、式(3)利用最小二乘法原理，并适当调整gA、m,、N、N、E5个量作数据拟合，得到补偿度的表达式见式(4)、式(5)：Kp=Np/NA(P)型(4)Kx=NA/Np(N)型n(5)根据GB/T4326,对样品作变温霍尔测量，由式(6)计算测试数据，得到n一T-关系曲线。n=Y/eRH式(1)式(6)中：一载流子浓度，单位为每立方厘米(cm):Na一受主杂质浓度，atomscm-3;
