GB/T32815-2016前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。本标准主要起草单位：北京大学、中机生产力促进中心、大连理工大学、东南大学、北京青鸟元芯微系统科技有限公司。本标准主要起草人：张大成、王玮、李海斌、杨芳、黄贤、何军、刘冲、刘伟、周再发、刘军山、李婷、差博岩。GB/T32815-2016d)干法刻蚀硅片正面二氧化硅，为保证离子注入均匀性保留需要的二氧化硅厚度：)硅片正面离子注人硼高子(B+),形成淡硼摻杂区(G);D硅片去胶，清洗，进行淡硼推进(G):g)硅片表面热氧化方式制备二氧化硅：)硅片光刻，形成浓硼摻杂区图形：)湿法腐蚀硅片正面二氧化硅：)硅片去胶，清洗，硅片正面浓硼预沉积（沉积的方式可以为注入或扩散）：k)湿法漂二氧化硅，硅片正面浓硼推进。注1，步骤a)中硅片准备时需要增加一个与其他硅片相同的陪片，用于薄层电阻测量。注2：步骤)完成后，硅片有图形的一面定义为硅片正面，另一面为硅片背面。该步骤中，陪片经过光刻上半区作为淡谢注人区，注3：步骤)中，陪片经过光刻右半区作为浓硪注入区，)硅片准备Z27777777777777777777777777777777777777777777777777777b)表面制备二氧化硅ZZzZZZd)光刻形成淡翻注入区图1硅片压阻区制备流程图
