GB/T12962-1996前言本标准参照国外有关标准，结合我国硅材料的使用情况，对GB12962一91进行修订而成的。修订时保留了原标准中符合我国实际的内容。修订后的本标准，去了原标准中直拉硅单晶直径为38mm、80mm、90mm规格，增加了直径125mm、150mm规格，对硅单晶的旋祸缺陷密度和微缺陷密度指标改为由供需双方商定；对径向电阻率变化指标，增加了距边缘6mm测点（见GB11073的B方案）计算：对区熔硅单晶和中子嬗变掺杂硅单晶的径向电阻率变化指标，改为按GB11073的C方案或B方案测量和计算。中子墟变摻杂硅单晶增加了微区电阻率条纹内容。与本标准配套的标准有：GB/T12964硅单晶抛光片GB/T12965硅单晶切割片和研磨片本标准从1997年4月1日起实施，本标准从生数之日起，代替GB12962一91。本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。本标准起草单位：峨眉半导体材料厂和中国有色金属工业总公司标准计量研究所。本标准主要起草人：王鸿高、刘文魁、尹建华、吴福立。本标准首次发布日期：1991年6月。
