1、(京)新登字023号中华人民共和国国家标准硅双栅场效应晶体管空白详细规范GB/T15450-1995中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号政编码：1045http:/电话：63787337、637874471995年7月第一板204年12月电子版制作书号：1550661-11559版权专有侵权必究举报电话：(010)68533533GB/T15450-1995(1)(2)评定电子器件质量的根据：(3)GB4589.1半导体器件分立器件和集成电路总规详细规范号如果规范号重复正CQ号，(4)范则本栏可以不用)GB12560半导体器件分立器件分规范详细规范(5)有关器件的型号)定货
2、资料：见本规范的第7条。1机械说明(7)2筒略说明(6)外形标准GB7581半导体分立器件外形尺寸双棚场效应晶体管外形图B型：绝缘栅耗尽型可以转到本规范的第10条或在该条中给出更半导体材料：Si多的细节)封装：空腔和（或）非空腔)引出端识别：应用：表示引出端功能，包括图示符号)注意：静电敏感器件应遵守预防措施标志：字母、图形或色码如有数据，详细规范应规定标志在器件上的数据)见总规范的第2.5条或本规范的第6条)如果采用特殊方法，则需极性标识)3质量评定类别(8)根据总规范的第2.6条)参考数据(9)按本详细规范鉴定合格的器件的有关制造单位的资料，可在现行的合格一览表中查到整个规范，在方括号内给
3、出的条款供指导规范制订者使用，而不包括在详细规范里。)整个规范，用于特性和额定值外的“”表示在详细规范中填入的值.)2GB/T15450-19954极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。只重复使用带标题的条款号。任何附加值应在适当的地方给出，但没有条款号。)最好在本规范的第10条给出曲线)。数值条款号极限值符号最小最大4.1最低和最高工作温度或管壳温度Tb或TatX4.2最低和最高贮存温度Tu4.3在规定条件下的最高漏源电压Vsx或Vss或V6R4.4最高反向一栅源电压和二栅源电压VGISR(Vs=0)VGsk适当时，最高正向一栅源电压和二栅源电压VGISF
4、+V GZSE4.5源极开路时的最高一橱漏电压和二栅漏电压VGIDOVG2Do+4.6最大漏极电流Ip4.7耗散功率应规定通风和（或）安装的特殊要求4.7.1温度为函数时的最大耗散功率或：m=f(T)+4.7.2最高有效沟道温度和耗散功率的绝对极限值Te注：1)当4,7.2条中规定了沟道温度时，只要求热阻R,5电特性检验要求见本规范第8章。特性和条件（见总规范的第4章）数值条款号除非另有规定Tmb=25C符号试验组别最小最大5.1源极开路二栅漏电压VcD为零时，最好1c100)XA2b在最高额定一栅漏电压Vc1o下的最大漏泄或截止电流源极开路一栅漏电压VG1D为零时，最好+A2b在最高额定二栅漏电压Vco下的最大漏泄或截止电流漏源短路时，二栅源电压Vcs为零，最好A2b在最高额定一栅源电压Vc1下的最大漏泄或截止电流
