1、GB/T11073-2007前言本标准是对GB/T11073一1989硅片径向电阻米变化的测量方法的修订。本标准修改采用了ASTM F81-01硅片径向电阻率变化的测量方法。本标准与ASTM F81-01的一致性程度为修改采用，主要差异如下：一删去了ASTM F81-01第4章“意义和用途”。本标准与GB/T11073一1989相比主要变化如下：一因GB/T6615已并入GB/T1552,本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为GB/T1552,并将第2章“规范性引用文件”中的“GB/T6615”改为“GB/T1552”;一采用ASTM F81-01第8章“计算”中的计算方法替代原GB110
2、73一1989中径向电阻率变化的计算方法：一依据GB/T1552将电阻常的测量上限由11032cm改为31030cm:一将原GB/T11073一1989中第7章“测量误差”改为第4章“干扰因素”，并对其后各章章号作了相应调整；一删去了原GB/T11073一1989中的表1，采用GB/T12965规定的直径偏差范围：一将原GB/T11073一1989中的表2改为表1，并依据GB/T12965中的规定，在本标准中捌去80.0mm标称直径规格，增加了150.0mm和200.0mm标称直径规格。本标准的附录A是规范性附录。本标准自实施之日起，同时代楷GB/T11073一1989。本标准由中国有色金属工
3、业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：峨半导体材料厂。本标准主要起草人：梁洪、草锐兵、王炎。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：一GB/T11073-1989。GB/T11073-20076.5.1选点方案A小面积十字型，测量六点：在硅片中心点测两次，在两条垂直直径的半径中点(R/2)处各测量一点。6.5.2选点方案B大面积十字型，测量六点：在硅片中心点测两次，在两条垂直直径距硅片边缘6mm处各测量一点。6.5.3选点方案C小面积及大面积十字型，测量十点：在硅片中心点测两次，在两条垂直直径的半径中点(R/2)处各测量一点，距硅片边缘6m
4、m处各测量一点。6.5.4选点方案D一条直径上的高分辨型：在硅片中心点以及中心与直径两端的距离之间，以2m间隔在尽可能多的位置上进行测量。6.6用GB/T6618中规定的厚度仪，在选点方案C(见图1中C)的九个点测量并记录各点厚度。7测量步骤7.1调整样品，使第一条测量的直径位于垂直于主参考面的直径或通过参考标记的直径沿逆时针方向旋转30的位置（见6,3条和图1）。仲裁测量时，要记下相对于参考面或参考标记的各测量点位置。7.2选定一种选点方案（见6.5条和图1）。7.3如果需要电阻节的绝对值，则应测量并记录样品的温度。7.4按选定的选点方案进行测量。7.4.1将四探针置于被测样品表面，使四探针
5、的排列直线垂直于经过测量点的半径，四探针直线的中点在测量点士0,15mm范围以内。7.4.2按GB/T1552的要求，测量正向和反向电阻米。7.4.3如果硅片是非标称直径，则须记永样品中心到四探针直线中点的距离。8测量结果的计算8.1对每一个测量位置进行以下计算。8.1.1按GB/T1552中的计算方法计算并记下电阻举的平均值。8.1.2对标称直径硅片（见6.4条），则根据表1确定修正因子F:的值。8.1.3非标称直径的硅片及探针间距不为1.00mm或1.59mm时，按附录A中第A.3章进行修正。8.1.4如果需要电阻常的绝对值，则可按GB/T1552中6.3.4条的规定计算该温度下的样品电阻常。如果需要随位置变化的电阻节，则温度的修正可以忽略不计。在测量过程中，如果样品温度变化不大于2C,引起计算电阻华变化的误差不大于2%。8.2对选点方案A,B或C,按式(1)、式(2)计算径向电阻常平均百分变化(%)和最大百分变化(%)。平均百分变化=色一100式中：,一硅片中心点测得的两次电阻率平均值，Qcmp,一硅片半径中点或距边缘6mm测得四个电阻率平均值，cm。
