1、GB/T17473.3-2008前言本标准是对GB/T17473一1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法（所有部分）的整合修订，分为7个部分：一GB/T17473.1一2008微电子技术用贵金属浆料测试方法固体含量测定：一GB/T17473.2一2008微电子技术用贵金属浆料测试方法细度测定：一GB/T17473.3一2008微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定；一GB/T17473.4一2008微电子技术用贵金属浆料测试方法附着力测试：一GB/T17473.5一2008微电子技术用贵金属浆料测试方法粘度测定；一GB/T17473.6一2008微电子技术用贵金属浆料测试方法分辨率测定；一
2、GB/T17473.7一2008微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定。本部分为GB/T17473一2008的第3部分。本部分代替GB/T17473.3一1998厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定。本部分与GB/T17473.3一1998相比，主要有如下变动：一将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定：增加低温固化型浆料方阻的测定方法；一原标准的原理中，“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下”修改为：“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”：一测厚仪修改
3、为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范围为0mm5mm,精度为0.001mm,千分尺用于固化型浆料：范围为0mm5mm,精度为0.001mm。本部分的附录A为规范性附录。本部分由中国有色金属工业协会提出本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草。本部分主要起草人：金勿毁、刘继松、李文琳、陈伏生、朱武勋、李晋。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T17473.31998.GB/T17473.3-2008微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定1范围本部分规定了微电子技术用贵金属浆料方阻的测试方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。2规范性引用文
4、件下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分，GB/T8170数值修约规则3方法原理浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下，膜层电阻与膜层带的长度成正比。通过测量规定膜层长度的电阻，计算方阻。4材料基片：纯度不小于95%的氧化铝或有机树脂基片，表面粗糙度为0.5m1.5m(在测量距离为10mm的条件下测量)。5仪器与设备5.1数字式电阻电压多用表范围为100100M,分辨常为6位有效数字，可四线测量。5.2超高阻绝缘电阻测量仪范围为110311072，精度为土2%。5.3测厚仪5.3.1光切显微测厚仪范围为0mm5mm,精度为0.001mm。5.3.2千分尺范围为0mm5mm,精度为0.001mm。5.4丝网印刷机5.5红外干燥箱最高使用温度为300C,控制温度精度为土5C。5.6隧道烧结炉最高使用温度为1000，控制温度精度为10C,6测试步骤实验环境要求：环境温度15C35，相对湿度45%75%，大气压力86kPa106kPa,
