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安森美上车“极”%2C半导体大厂积极布局车用SiC市场.pdf

上传人:哎呦****中 文档编号:2580039 上传时间:2023-08-01 格式:PDF 页数:1 大小:543.89KB
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1、电力电子专栏市场动态安森美上车“极”,半导体大厂积极布局车用SiC市场半导体厂Onsemi于今年四月底宣布与中国吉利汽车集团旗下的极氪汽车签署SiC功率元件LTSA(Long-TermSupplyAgreement),极氪车款未来将藉由搭载Onsemi提供的EliteSiC功率元件以优化电驱系统能量转换效率,提高续航力,降低车主里程焦虑。此举也能看出Onsemi积极布局车用SiC,加速追赶STMicroelectronics及Infineon两大龙头厂商。在电动车SiC半导体市场中,STMicroelectronics(以下简称STM)及Infineon凭借早期切入车厂持续占据SiC市场龙头,

2、而Wolfspeed、ROHM则透过掌握SiC的垂直整合技术后来居上。反观0 nsemi,虽然在2 0 2 1年收购GT Advanced Technologies(GTAT),掌握SiC制造流程中最难的晶圆生长及生产设备技术,一跃成为与Wolfspeed、R O H M 及STM等比肩的IDM厂,同时也宣布2 0 2 5年将量产8 时SiC晶圆,但是它的SiC功率半导体在2 0 2 3年以前只搭载于NI0、Lucid等中小型车厂的车款,在市场上仍属于追赶者。不过,正是因为Infineon及STM等先发者建构的产业成熟度,加上Onsemi前期对于SiC相关技术的布局效益于2 0 2 3年开始发

3、酵,旗下SiC产品EliteSiC透过元件及模块的形式陆续拿到极氪、BMW、H y u n d a i,以及Volkswagen的LTSA,再加上其总裁暨CEOHassane El-Khoury发下未来3年SiC事业可带来40 亿美元营收的豪语,让Onsemi成为今年到目前为止,SiC市场话题度最高的半导体厂。事实上,SiC市场的激烈竞争将是一场考验资源投入持久性的耐力赛。SiC近5年内需求快速成长的原因主要来自于电池成本偏高,且能量密度发展已达极限,故车厂改采在电控零组件中使用SiC芯片,作为不增加电池数量同时可提升续航力的解决方案。然而,因需求骤然提升,车厂积极要求各半导体厂加速对于SiC

4、技术的研究与开发,在研发时间大幅缩短的情况下,研发成本也相对上升,加上激烈的市场竞争对于获利影响,意味着研发资源投入的能耐及整体获利表现,将是衡量半导体厂竞争力的关键指数。参考各半导体厂2 0 2 2 年财报,Onsemi在过去几年针对产品线去芜存菁的策略成功改善获利表现,其以49%的毛利率名列前茅,此获利表现可让Onsemi比起其他竞争对手更有空间能满足车厂对于成本的要求而获得订单,以换取SiC产品规模经济的成长。不过,在研发成本占营收比例中,相较于主要竞争对手Wolfspeed(26%)、I n fin e o n(13%)、ST M(12%)及ROHM(8%),O n s e m i 以

5、7%的占比排在末位,随着各半导体厂在缩小导通电阻,以及提升制程良率等技术的加码投资下,如何在透过激烈的市场竞争达成营收目标的前提下,维持获利表现与资源支出的平衡,将成为Onsemi拿到车厂订单后要面对的重要问题。市场动态德州仪器推出SiC栅极驱动器助力最大化EV行驶里程Maximize EVdriving rangewith industry-leadingSicgate driver凭借新型UCC5880-Q1增强型隔离式栅极驱动器,EV动力总成工程师能够提高功率密度并降低系统设计5月9日,德州仪器(T)宣布推出一款高度集成、符合功能安全要求的隔离式栅极驱动器UCC5880-Q1,使工程师能够设计出更高效的牵引逆变器,并最大限度地提高电动汽车(EV)的续航里程。WTEXASINSTREMEN复杂性和成本,同时实现其安全和性能目标。随着EV越来越受欢迎,牵引逆变器系统中的半导体创新正助力解决广泛应用的关键障碍。凭借具有实时可变栅极驱动强度、串行外设接40THEWORLDOFINVERTERS

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