1、中华人民共和国住房和城乡建设部公告第1347号住房城乡建设部关于发布国家标准微组装生产线工艺设计规范的公告现批准微组装生产线工艺设计规范为国家标准，编号为GBjT 51198-2016.自2017年7月1日起实施。本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版发行。中华人民共和国住房和城乡建设部2016年10月25日.L._ 目Ij=i 本规范是根据住房城乡建设部关于印发(2012年工程建设标准规范制订、修订计划的通知(建标(2012J5号)的要求，由工业和信息化部电子工业标准化研究院电子工程标准定额站和中国电子科技集团公司第二研究所会同有关单位共同编制完成。本规范在编制过程中，编制组在调查
2、研究的基础上，总结国内实践经验、吸收近年来的科研成果、借鉴符合我国国情的国外先进经验，并广泛征求了国内有关设计、生产、研究等单位的意见，最后经审查定稿。本规范共分6章和1个附录，主要内容包括:总则、术语、微组装基本工艺、工艺设备配置、工艺设计、厂房设施及环境等。本规范由住房城乡建设部负责管理，工业和信息化部负责日常管理，中国电子科技集团公司第二研究所负责具体技术内容的解释。本规范在执行中，请各单位注意总结经验，积累资料，如发现需要修改或补充之处，请将意见和建议寄至中国电子科技集团公司第二研究所(地址:山西省太原市和平南路115号;邮政编码:030024)，以供今后修订时参考。本规范主编单位、参
3、编单位、主要起草人和主要审查人:主编单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院电子工程标准定额站中国电子科技集团公司第二研究所参编单位:信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司中国电子科技集团公司第二十九研究所中国航天科工集团公司二院第二十三研究所 1 中国电子科技集团公司第十四研究所中国兵器工业集团公司第二一四研究所中国电子科技集团公司第四十三研究所主要起草人:晃宇晴薛长立郑秉孝李悦余春雷何中伟闰诗源李孝轩高能武何长奉姜伟卓王正义王贵平乔海灵主要审查人:沈先锋万铜良程凯王开帽、黄文胜邱颖霞常青松崔洪波了晓杰 2 目次149A哇ddAR户。ioonud-ndA吐DZJiooooooodq
4、nu1414-A141ti-i1i1i14114741-9?】备UH备设备备设备艺艺设设艺设备工UUUUUU之口UU置工艺艺工艺设本定装合u焊阳配定装工工合工艺则语基规贴焊焊键焊缝焊覆空洗叶备规贴焊焊键焊工装般氧流曰阳线装焊行为涂直(清测定般氧流品线装焊脱一环再共引倒纤平激#U一环再共寻侄纤AZ门1i。白nJft总术微JJJJJJJoJJJJJJ工JJJJJJJqdquqd内d?dndquqJnJqdququJA吐A吐4A吐AUAA吐A哇149Iuq4U4A 4.8 平行缝焊工艺设备(22)4.9 激光焊工艺设备(23)4.10 涂覆工艺设备(23)4.11 真空烘熔工艺设备(23)4.12
5、清洗工艺设备(24)4.13 测试设备(24)5 工艺设计门们5.1 总体规划门们5.2 工艺区划(26)5.3 工艺设备布置门门6 厂房设施及环境(28)6.1 一般规定(28)6.2 厂房土建(28)6.3 消防给水及灭火设施(29)6.4 供配电系统(29)6.5 照明(29)6.6 空气净化系统(30)6.7 信息与安全保护(30)6.8 压缩空气系统(31)6.9 纯水系统(31)6.四大宗气体系统(31)附录A微组装基本工艺流程(33)本规范用词说明.(35)引用标准名录(36)附:条文说明门7)2 Contents 1 General provisions(1)2 Terms(2
6、)3 Micro-assembling basic processes.(4)3.1 General requirements(4)3.2 Epoxy die attaching(4)3.3 Reflow soldering.(5)3.4 Eutectic soldering(6)3.5 Wire bonding(7)3.6 Flip chip bondi口g.(8)3.7 Braze welding(9)3.8 Parallel seam sealing(11)3.9 Laser weldi口g.(13)3.10 Coating(14)3.11 Vacuum baking(15)3.12 C
7、leaning(15)3.口Testing(17)4 Process equipment disposition.门们4.1 General requirements(18)4.2 Epoxy die attaching process equipment disposition(18)4.3 Reflow soldering process equipment disposition(19)4.4 Eutectic soldering process equipment disposition(19)4.5 Wire bonding process equipment disposition
8、(20)4.6 Flip chip bonding process equipme且tdisposition(21)4.7 Braze welding process equipment disposition(21)3 4.8 Parallel seam sealing process equipment disposition(22)4.9 Laser welding process equipment disposition(23)4.10 Coating process equipment disposition.(23)尘11Vacuum baking process equipme
9、nt disposition(23)4.12 Cleaning process equipment disposition(24)4.13 Testing equipment disposition(24)5 Process design(26)5.1 Entire programming(26)5.2 Process compartments(26)5.3 Process equipment arrangement.(27)6 Plant facilities and environment(28)6.1 General requirements(28)6.2 Plant building(
10、28)6.3 Fire fighting water-supply and fire extinguish巳rsystem(29)6.4 Power-supply and distribution system(29)6.5 Lighting.(29)6.6 Air purification system(30)6.7 Informatio丑andsafeguard(30)6.8 Compressed air system(31)6.9 Pure water system(31)6.10 Bulk gas system.(31)Appendix A Micro-assembling basic
11、 process flow(33)Explanation of wording in this code(35)List of quoted standards.(36)Addition:Explanation of provisions(37)4 2术语2.0.1 微组装micro-assem bling 在高密度基板上，采用表面贴装和互连工艺将构成电子电路的集成电路芯片、片式元件及各种微型元器件组装，并封装在同一外壳内，形成高密度、高速度、高可靠性的高级微电子组件。2.O.2 环氧贴装epoxy die attaching 用导电或绝缘环氧树脂胶将裸芯片和(或)片式阻容元件贴装在基板上，并
12、通过加热固化环氧树脂实现芯片(元件)与基板间的物理连接。2.O.3 再流焊reflow soldering 在电路板的焊盘上预涂的焊锡膏经过干燥、预热、熔化、润温、冷却，将元器件焊接到印制板上的工艺。2.O.4 共晶焊eutectic soldering 将二元或三元合金焊料加热到不小于其共熔咀度(也即共晶温度)而熔融，并经冷却直接从液态共熔合金凝固形成固态共晶合金，实现芯片等元件的焊接的工艺。2.O.5 倒装焊flip chip bonding,FCB 一种IC裸芯片与基板直接安装的互连方法，将芯片面朝下放置，通过加热、加压、超声等方法使芯片电极或基板焊区上预先制作的凸点变形(或熔融塌陷)，
13、实现芯片电极与基板焊区间的对应互连焊接的工艺。2.O.6 引线键合wire bonding 使极细金属丝的两端分别附着在芯片、基板或外壳引脚上，从而在它们之间形成电气连接的工艺。2.0.7 平行缝焊parallel seam sealing 借助于平行缝焊系统，由通过计算机程序控制的高频大电流脉冲使外壳底座与盖板在封装界面缝隙处产生局部高热而熔合，从而形成气密性封装的一种工艺手段。2.O.8 激光焊laser welding 以聚焦的激光束作为能源轰击焊件所产生的热量进行焊接的工艺。2.0.9 奸焊braze welding 采用熔点或液相线温度比母材低的填充材料(奸料)，在加热温度低于母材熔
14、点的条件下实现金属间冶金结合的工艺。2.0.10 涂覆coating 在电路板特定区域运用机械的、化学的、电化学的、物理的方法施加塑性的或非塑性的非导电薄层涂料，起环境保护和(或)机械保护作用。3 3 微组装基本工艺3.1一般规定3.1.1 微组装主要生产工艺应包括芯片和基板贴装、互连、密封工艺;辅助工艺包括真空烘培、清洗、涂覆、测试工艺。3.1.2 微组装生产线加工工艺应根据混合集成电路、多芯片组件等微组装产品的性能指标与质量要求确定。3.1.3 微组装工艺流程设计应符合下列规定:1 微组装工艺应按温度从高逐步到低进行操作，各工艺应按共晶焊、再流焊(表面组装)、倒装焊、粘片、引线键合、密封的
15、次序降序排列。2 半导体器件的贴装，应采取防静电措施。3 微组装工艺应符合电子元器件常规组装顺序规定:1)先粘片后引线键合;2)先进行内引线键合后进行外引线键合;3)完成器件装连后应进行产品电性能测试。4 共晶焊、再流焊、表面组装、芯片倒装焊后，当有助焊剂残留时应进行清洗，芯片倒装焊后应进行下填充。5 每一种微组装工艺完成后，应完成相应的工序检验。3.2环氧贴装3.2.1 采用环氧贴装工艺应符合下列规定:1 贴装发热量不高、对湿气含量元严格要求的中小功率器件、无引线倒装器件、片式元器件以及将基板贴装到封装外壳中时，宜采用环氧贴装工艺;2 有欧姆接触要求的器件应采用掺银或金的导电环氧胶进 4 行
16、贴装;3 元欧姆接触要求的器件宜采用绝缘环氧胶贴装;4 有散热要求的器件应采用导热环氧胶贴装。3.2.2 环氧贴装工艺的主要工序应符合下列规定:1 应按规定方法配制多组分浆料型环氧胶，环氧胶使用前应充分搅拌均匀并静置或真空除泡;环氧胶在冷冻环境下贮存时，使用前应在室温下放置，充分解冻;2 环氧贴装前待贴装件应保持洁净;3 可采用滴注点涂、丝网印刷、模板印刷等方法将环氧胶涂布在基板上元器件待安装位置，于工或采用贴装设备将环氧膜片排布在外壳底座上;4 将待安装的元器件准确放置在基板的环氧胶上，或将基板或电路功能衬底压着在外壳底座上已排布好的环氧膜上，应按粘接剂的使用要求完成粘接固化;5 宜采用加热、热压、紫外光照射等方法将粘接剂固化;6 固化后应清除多余的环氧胶;7 应用显微镜检查芯片、器件的外观和环氧贴装质量;8 应对完成贴装后的元器件进行端头通断测试。3.2.3 环氧贴装的工艺运行条件应符合下列规定:1 贴装元器件工艺宜在等于或优于8级净化区中完成;2 固化过程应有排风系统;3 称量、混合、配胶、清洗工序应在通风柜内进行。3.3再流焊3.3.1 再流焊工艺宜适用于元器件在基板上的表面组
