1、太阳能第 09 期总第 353 期2023 年 09 月No.09Total No.353Sep.,2023SOLAR ENERGY540 引言德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)的 Frank Feldman 博士于 2013 年在第 28 届欧洲能源及太阳能光伏展览会(EU-PVSEC)上首次提到了隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池的概念，经过数年的发展，目前 TOPCon 技术被广泛认为是继 PERC 技术之后最有可能实现大规模量产的太阳电池技术1-2。PERC 太阳电池的工艺路线具有较高的成熟度，大部分情况下，现有的 TOPCon 太阳电池工艺路线都能
2、与 PERC 太阳电池的重合，仅需要增加少量的工序即可完成高光电转换效率的 TOPCon 太阳电池的制备3。PERC 太阳电池和 TOPCon 太阳电池的工艺路线对比如图 1 所示。图中：BSG 为硼硅玻璃；PSG 为磷硅玻璃；LPCVD 为低压化学气相沉积。TOPCon 太阳电池的结构主要是基于钝化和载流子选择性接触的概念形成，该结构的特点是使用一层超薄隧穿氧化硅层与掺杂磷元素的多晶硅薄膜作为太阳电池的背面。其中，隧穿氧化层的厚度一般为 12 nm，其存在可以有效降低界面态密度，而在其外部的一层薄的高掺杂浓度多晶硅层可形成场钝化效应，对硅片背面起到较好的钝化效果。LPCVD 法是制备 TOP
3、Con 太阳电池多晶硅层比较主流的工艺路线4-5。隧穿氧化层的存在可以使电子隧穿进入到多晶硅层中，有效阻止电子和空穴的复合，提升太阳电池的开路电压和短路电流6。实验室制备的TOPCon 太阳电池实现了高达 725 mV 的开路电压和 24.5%的光电转换效率，证明了此类太阳电池技术路线的可行性7-8。TOPCon 太阳电池的结构图如图 2 所示。DOI:10.19911/j.1003-0417.tyn20220617.01 文章编号：1003-0417(2023)05-54-06TOPCon 太阳电池中多晶硅层磷掺杂工艺的 优化及其对电性能的影响钱金忠1，左克祥1，王安1，杜东亚2,3，凡金星
4、2,3，高纪凡2,3*(1.国家能源集团常州发电有限公司，常州 213031；2.常州天合智慧能源工程有限公司，常州 213031；3.天合光能股份有限公司光伏科学与技术国家重点实验室，常州 213031)摘要：随着光伏行业的飞速发展，PERC 太阳电池技术已无法满足太阳电池光电转换效率的进一步提升，TOPCon 太阳电池因具有高光电转换效率，被认为是下一代太阳电池技术的可选方案。针对 TOPCon 太阳电池的多晶硅层的磷掺杂量、推进温度及推进时间对多晶硅层、硅衬底中磷掺杂特性及电性能参数的影响进行了研究。研究结果显示：在隧穿氧化层及多晶硅层厚度分别设定为 1.5 和 130.0 nm 的条件
5、下，磷掺杂参数设置为通源流量为 1400 sccm、通源时间为 25 min、推进温度为 880、推进时间为 30 min 时，既保证了钝化效果，也保证了欧姆接触和寄生吸收在合理的区间，TOPCon 太阳电池的光电转换效率达到了最大值，为 24.48%。关键词：隧穿氧化层钝化接触太阳电池；多晶硅层；磷掺杂；钝化效果；光电转换效率中图分类号：TM914.4+1 文献标志码：A收稿日期：2022-06-17基金项目：国家重点研发计划(2020YFB1506503)通信作者：高纪凡(1965)，男，硕士，主要从事晶体硅太阳电池及其组件、光伏发电系统工程、储能等技术方面的研究。J2023-09杂志.i
6、ndd 542023-09杂志.indd 542023/9/26 10:13:152023/9/26 10:13:15第 09 期?BSG+?LPCVD?PSG+RCA?PERC?TOPCon?图 1 PERC 太阳电池和 TOPCon 太阳电池的工艺路线对比Fig.1 Comparison of process routes between PERC solar cells and TOPCon solar cells n?SiNxSiOx/AlOx/SiNx?(n)SiO2图 2 TOPCon 太阳电池的结构图Fig.2 Structure diagram of TOPCon solar
7、cells隧穿氧化层的制备和掺杂多晶硅层的沉积是TOPCon 太阳电池当前工艺路线中两个非常关键的步骤。当制备较高掺杂浓度的多晶硅层时，更容易出现磷原子穿透隧穿氧化层的情况，对氧化层的结构造成破坏，影响载流子的选择能力，且会增加寄生吸收；而当制备较低掺杂浓度的多晶硅层时，所形成的多晶硅层的场钝化效果较差。如何在保证场钝化效果的基础上，减少掺杂过程中磷原子穿透氧化层的情况，是 TOPCon 太阳电池光电转换效率进一步提升过程中需要解决的问题9-10。为了保证 TOPCon 太阳电池具有较高的开路电压和较低的串联电阻，需要对多晶硅层的掺杂工艺进行研究11-12。基于此，本文针对 TOPCon太阳电
8、池的多晶硅层的磷掺杂量、推进温度及推进时间对多晶硅层、硅衬底中磷掺杂特性及电性能参数的影响进行研究。1 实验实验所采用的硅片为n型直拉单晶硅(CZ-Si)，尺寸为210 mm210 mm，电阻率为0.32.1 cm，厚度为 170180 m。TOPCon 太阳电池的制备流程为：1)通过碱制绒工艺在硅片表面制备出随机的金字塔结构。2)通过扩散方式在硅片正面制备出方阻为110/的硼发射极，利用 LPCVD 法在硅片背面制备氧化硅及多晶硅。3)通过磷扩散的方式对多晶硅进行重掺杂及高温晶化，在硅片正面沉积一层氧化铝，以保证钝化效果；在硅片正面及背面制备减反射膜，以增强减反射及钝化效果。4)进行正面电极
9、和背面电极的制备。本文主要研究磷扩散对多晶硅层及硅衬底掺杂情况的影响，通过实验分析不同磷掺杂量、推进温度及推进时间对电化学微分电容电压(ECV)曲线及太阳电池电性能参数的影响，然后根据分析结果优选出最适合的磷掺杂参数。采用德国 WEP 公司生产的型号为 CVP21 的扩散浓度分布测试仪测试磷扩散后的磷浓度分布曲线；使用 Halm 脉冲太阳模拟器在 25 环境温度、AM1.5 大气质量和 1000 W/m2太阳辐照度下测量 TOPCon 太阳电池的 I-V 特性。2 结果与讨论2.1 磷掺杂量对磷掺杂特性及 TOPCon 太阳电池电性能的影响在 TOPCon 太阳电池的结构设计中，为了提55钱金
10、忠等：TOPCon 太阳电池中多晶硅层磷掺杂工艺的优化及其对电性能的影响技 术 应 用2023-09杂志.indd 552023-09杂志.indd 552023/9/26 10:13:152023/9/26 10:13:152023 年太阳能升太阳电池的光电转换效率，需要提升金属接触区域的欧姆接触，因此会尽量增加掺杂区域的浓度。但在掺杂浓度提升的同时，重掺杂区域会出现自由载流子吸收的情况，这种寄生吸收会对光生电流有负面影响，因此需要验证不同掺杂浓度对太阳电池电性能的影响。在隧穿氧化层及多晶硅层厚度分别设定为1.50、130.0 nm 的条件下，保证推进温度及推进时间不变，研究不同的磷掺杂量对
11、磷掺杂特性及 TOPCon 太阳电池电性能的影响。当通源量为1400 sccm 时，通源时间分别设定为 15、25、35 min。不同通源时间时的掺杂浓度曲线如图3所示。0.000.020.040.060.080.100.120.140.16101610171018101910201021?/m 15?/min?25 35?/(/cm3)图 3 不同通源时间时的掺杂浓度曲线Fig.3 Doping concentration curves at different doping times从图 3 可以看出：通源时间越长，掺杂量越大，多晶硅层中的磷掺杂浓度越高；同时，由于隧穿氧化层会影响磷原子
12、向硅衬底中扩散，因此在 poly-Si/SiO2界面的掺杂浓度会呈现急剧下降的趋势，且随着通源时间的进一步提升，磷在硅衬底中的浓度也相应提高。不同通源时间时制备的 TOPCon 太阳电池的电性能参数如图 4 所示。从图 4 可以看出：当通源时间为 15 min 时，TOPCon 太阳电池的光电转换效率为 24.29%；当通源时间为 25 min 时，TOPCon 太阳电池的光电转换效率达到最大值，为 24.38%；当通源时间为 35 min 时，TOPCon 太阳电池的光电转换效率下降至 24.33%。由此可知，随着掺杂浓度的提通源时间/min24.7024.6024.5024.4024.30
13、24.2024.1024.0023.9023.80Eta/%15253524.3324.2924.38a.光电转换效率 Eta通源时间/min0.72400.72200.72000.71800.71600.71400.71200.7100Uoc/V1525350.71560.71580.7178b.开路电压 Uoc通源时间/min18.25018.20018.15018.10018.050Isc/A15253518.12818.16718.142c.短路电流 Isc通源时间/min83.40083.20083.00082.80082.60082.40082.20082.00081.800FF/
14、%15253582.68782.36282.615d.填充因子 FF图 4 不同通源时间下制备的 TOPCon 太阳电池的电性能参数Fig.4 Electrical performance parameters of TOPCon solar cells prepared at different doping times56技 术 应 用2023-09杂志.indd 562023-09杂志.indd 562023/9/26 10:13:162023/9/26 10:13:16第 09 期升，太阳电池的光电转换效率呈先增加后下降的趋势。当通源时间为 25 min 时，太阳电池的光电转换效率最高
15、，且此时的开路电压也最高，达到了 0.7178 V，这是因为此时硅衬底中掺杂的磷的浓度可保证较好的钝化效果，欧姆接触较好，且寄生吸收相对较小。随着掺杂浓度提高，填充因子有一定的提升，但当掺杂浓度过大时，太阳电池的开路电压及短路电流呈下降趋势。相较于通源时间为 15、25 min 时的情况，通源时间为 35 min 时，硅衬底中的磷原子浓度呈上升趋势，太阳电池的欧姆接触变好，填充因子得到提升，所以，通源时间为 35 min 时太阳电池的填充因子最高。当掺杂浓度较低时，背面浆料接触会受到影响，填充因子相对较低，但当进入硅衬底中的磷原子过多时，会影响到体区的俄歇复合，进而影响钝化效果。因此，通源时间
16、为 35 min 时太阳电池的开路电压较低，且此时的寄生吸收最严重，短路电流也最低。2.2 推进温度对磷掺杂特性及 TOPCon 太阳电池电性能的影响在隧穿氧化层及多晶硅层的厚度分别设定为1.5、130.0 nm 的条件下，保证通源条件(通源量为 1400 sccm、通源时间为 25 min)及推进时间不变，研究不同推进温度对磷掺杂特性的影响。推进温度分别设置为 860、880、900，不同推进温度时磷的掺杂浓度曲线如图 5 所示。0.000.020.040.060.080.100.120.140.160.18 860 880 900?/m?/(/cm3)101610171018101910201021?/?图 5 不同推进温度时的磷掺杂浓度曲线Fig.5 Phosphorus doping concentration curves at different propulsion temperatures从图 5 可以看出：随着推进温度的升高，多晶硅层中磷的掺杂浓度基本不变，而磷在硅衬底中的掺杂浓度呈逐渐上升趋势；在不同推进温度条件下，由于隧穿氧化层的存在，其会阻止磷原子进入到硅衬底中
