1、华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 1 华灿光电股份有限公司华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告年年度报告 公司代码：公司代码：300323 公告编号：公告编号：2016-035 2016 年年 04 月月 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 2 第一节第一节 重要提示、目录和释义重要提示、目录和释义 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏
2、，并承担个别和连带的法律责任。公司负责人刘榕、主管会计工作负责人刘榕及会计机构负责人公司负责人刘榕、主管会计工作负责人刘榕及会计机构负责人(会计主管人员会计主管人员)韩继东声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。韩继东声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容，均不构成本公司对任何投资者及相关人士的承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认
3、识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容，均不构成本公司对任何投资者及相关人士的承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。重大风险提示：1、产品市场价格非理性竞争导致盈利能力下降的风险 公司所处的 LED 芯片行业过去一段时间由于新增的大规模投资产能释放导致大幅的价格下跌，虽然目前跌幅趋稳，但是为了争夺市场的主导权，短期内再次出现市场价格非理性竞争状态还是无法完全避免的，因此，公司还将面临着产品价格持续下降导致的盈利能力下降的风险。2、产品质量风险 LED 芯片质量对下游封装环节或终端产品的质量
4、有较大的影响，客户对 LED重大风险提示：1、产品市场价格非理性竞争导致盈利能力下降的风险 公司所处的 LED 芯片行业过去一段时间由于新增的大规模投资产能释放导致大幅的价格下跌，虽然目前跌幅趋稳，但是为了争夺市场的主导权，短期内再次出现市场价格非理性竞争状态还是无法完全避免的，因此，公司还将面临着产品价格持续下降导致的盈利能力下降的风险。2、产品质量风险 LED 芯片质量对下游封装环节或终端产品的质量有较大的影响，客户对 LED华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 3 芯片的一致性、稳定性、光衰等指标有较高的要求。若芯片在上述指标中出现任一问题，均有可能对质量产生较大的不利影响，由
5、此可能导致下游客户的索赔，承担远高于销售芯片价值的赔偿。3、知识产权诉讼的风险 随着公司规模的快速成长，特别是国际业务的拓展，未来公司与竞争对手在知识产权方面发生冲突的风险增大。这将影响公司产品在国际市场的推广速度。4、应收账款的风险 随着公司销售规模的继续扩大，公司应收账款数额不断增加，公司已制定完善的应收账款管理制度并已按会计准则要求充分计提坏账，若主要债务人的财务状况发生不利变化导致应收账款无法及时收回，则可能使公司资金周转速度与运营效率降低，存在流动性风险或坏账风险。5、技术持续创新风险 LED 技术创新活跃，新材料、新工艺不断涌现，发光效率不断提高，产品技术升级较快。不断更新的技术升
6、级和新技术的出现也给 LED 外延和芯片厂商的技术创新能力提出了更高的要求。如果未来产品研发工作跟不上行业技术发展的步伐，本公司的竞争力将可能下降。芯片的一致性、稳定性、光衰等指标有较高的要求。若芯片在上述指标中出现任一问题，均有可能对质量产生较大的不利影响，由此可能导致下游客户的索赔，承担远高于销售芯片价值的赔偿。3、知识产权诉讼的风险 随着公司规模的快速成长，特别是国际业务的拓展，未来公司与竞争对手在知识产权方面发生冲突的风险增大。这将影响公司产品在国际市场的推广速度。4、应收账款的风险 随着公司销售规模的继续扩大，公司应收账款数额不断增加，公司已制定完善的应收账款管理制度并已按会计准则要
7、求充分计提坏账，若主要债务人的财务状况发生不利变化导致应收账款无法及时收回，则可能使公司资金周转速度与运营效率降低，存在流动性风险或坏账风险。5、技术持续创新风险 LED 技术创新活跃，新材料、新工艺不断涌现，发光效率不断提高，产品技术升级较快。不断更新的技术升级和新技术的出现也给 LED 外延和芯片厂商的技术创新能力提出了更高的要求。如果未来产品研发工作跟不上行业技术发展的步伐，本公司的竞争力将可能下降。6、规模扩张带来的管理风险、规模扩张带来的管理风险 随着公司的资产规模、人员规模、业务规模不断扩大，对公司的管理提出了更高的要求，近几年公司逐步优化公司治理，持续引进人才，努力建立有效的考核
8、激励机制和严格的内控体系，不断加强人员培训力度，但公司经营规模随着公司的资产规模、人员规模、业务规模不断扩大，对公司的管理提出了更高的要求，近几年公司逐步优化公司治理，持续引进人才，努力建立有效的考核激励机制和严格的内控体系，不断加强人员培训力度，但公司经营规模华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 4 增长迅速，仍存在高速成长带来的管理风险。增长迅速，仍存在高速成长带来的管理风险。7、汇率变动带来的财务风险、汇率变动带来的财务风险 受国家经济形势的影响，外汇汇率会不断发生变化，对公司汇兑损益的管理提出更高的要求。公司签订了较长期限的美元借款。随着外汇汇率的变动，公司可能存在较大金额的
9、汇兑损失风险。受国家经济形势的影响，外汇汇率会不断发生变化，对公司汇兑损益的管理提出更高的要求。公司签订了较长期限的美元借款。随着外汇汇率的变动，公司可能存在较大金额的汇兑损失风险。华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 5 目录目录 第一节第一节 重要提示、目录和释义重要提示、目录和释义.2 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标.7 第三节第三节 公司业务概要公司业务概要.10 第四节第四节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析.17 第五节第五节 重要事项重要事项.34 第六节第六节 股份变动及股东情况股份变动及股东情况.45 第七节第七节 优先股相关情况优先股相
10、关情况.51 第八节第八节 董事、监事、高级管理人员和员工情况董事、监事、高级管理人员和员工情况.51 第九节第九节 公司治理公司治理.58 第十节第十节 财务报告财务报告.63 第十一节第十一节 备查文件目录备查文件目录.133 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 6 释义释义 释义项 指 释义内容 华灿光电、公司、本公司、母公司 指 华灿光电股份有限公司 股东大会、董事会、监事会 指 公司股东大会、董事会、监事会 公司章程 指 华灿光电股份有限公司章程 元、万元 指 人民币元、人民币万元 LED 指 Light Emitting Diode（发光二极管），是由 III-V 族半
11、导体材料等通过半导体工艺制备的可将电能转化为光能的发光器件 衬底/衬底片 指 LED 外延生长的载体，用于制造 LED 外延片的主要原材料之一，主要有蓝宝石、碳化硅、硅及砷化镓 PSS 衬底 指 图形化蓝宝石衬底（全称 Patterned Sapphire Substrate），指在蓝宝石抛光衬底片之上进行表面图形粗糙化处理后的衬底片，可提高出光效率 外延片 指 LED 外延生长的产物，用于制造 LED 芯片的基础材料 芯片 指 LED 中实现电-光转化功能的核心单元，由 LED 外延片经特定工艺加工而成 MOCVD 设备 指 采用金属有机化学气相淀积法生产 LED 外延片的专用设备 BLU
12、指 Back Lighting Unit，即背光照明单元 上海灿融 指 上海灿融创业投资有限公司 天福华能 指 义乌天福华能投资管理有限公司 石河子友生 指 原名为武汉友生投资管理有限公司，2015 年 6 月 30 日更名为石河子友生股权投资有限公司，2015 年 12 月 21 日更名为石河子友生股权投资合伙企业（有限合伙）Jing Tian I 指 Jing Tian Capital I,Limited Jing Tian II 指 Jing Tian Capital II,Limited 浙江华迅 指 浙江华迅投资有限公司 苏州子公司 指 华灿光电（苏州）有限公司，为公司全资子公司 香
13、港子公司 指 HC Semitek Limited，为公司全资子公司 蓝晶科技 指 云南蓝晶科技股份有限公司 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 7 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 一、公司信息一、公司信息 股票简称 华灿光电 股票代码 300323 公司的中文名称 华灿光电股份有限公司 公司的中文简称 华灿光电 公司的外文名称（如有）HC SemiTek Corporation 公司的外文名称缩写（如有）HC SemiTek 公司的法定代表人 刘榕 注册地址 武汉市东湖开发区滨湖路 8 号 注册地址的邮政编码 430223 办公地址 武汉市东湖开发区滨
14、湖路 8 号 办公地址的邮政编码 430223 公司国际互联网网址 www.HCSemiT 电子信箱 二、联系人和联系方式二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 叶爱民 亢娜 联系地址 武汉市东湖开发区滨湖路 8 号 武汉市东湖开发区滨湖路 8 号 电话 027-81929003 027-81929003 传真 027-81929091-9003 027-81929091-9003 电子信箱 三、信息披露及备置地点三、信息披露及备置地点 公司选定的信息披露媒体的名称 上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报 登载年度报告的中国证监会指定网站的网址 公司年度报告备置地点 证券事务
15、部 四、其他有关资料四、其他有关资料 公司聘请的会计师事务所 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 8 会计师事务所名称 大信会计师事务所（特殊普通合伙）会计师事务所办公地址 北京市海淀区知春路 1 号学院国际大厦 1504 室 签字会计师姓名 李朝鸿，张万斌 公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构 适用 不适用 保荐机构名称 保荐机构办公地址 保荐代表人姓名 持续督导期间 中信证券股份有限公司 深圳市福田区中心三路 8 号中信证券大厦 陈平进、李小岩 2012 年 6 月 1 日-2015 年 12 月 31 日 公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问 适用 不适用 五
16、、主要会计数据和财务指标五、主要会计数据和财务指标 公司是否因会计政策变更及会计差错更正等追溯调整或重述以前年度会计数据 是 否 2015 年 2014 年 本年比上年增减 2013 年 营业收入（元）955,393,578.07 706,081,569.48 35.31%316,202,545.08 归属于上市公司股东的净利润（元）-95,963,887.71 90,906,180.84-205.56%-8,616,637.66 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润（元）-190,658,989.95 16,174,347.11-1,278.77%-110,575,608.02 经营
17、活动产生的现金流量净额（元）-26,095,560.74-129,926,870.54-79.92%71,886,837.93 基本每股收益（元/股）-0.14 0.13-207.69%-0.01 稀释每股收益（元/股）-0.14 0.13-207.69%-0.01 加权平均净资产收益率-5.58%5.28%-10.86%-0.51%2015 年末 2014 年末 本年末比上年末增减 2013 年末 资产总额（元）4,215,114,091.35 3,778,558,632.52 11.55%2,465,702,596.26 归属于上市公司股东的净资产（元）1,669,359,667.19 1
18、,768,151,653.33-5.59%1,677,245,472.49 六、分季度主要财务指标六、分季度主要财务指标 单位：元 第一季度 第二季度 第三季度 第四季度 营业收入 171,182,568.47 263,052,679.69 264,695,030.10 256,463,299.81 归属于上市公司股东的净利润-14,068,179.93 26,637,716.59-3,635,143.13-104,898,281.24 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 9 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-23,468,612.95 25,786,990.53-63
19、,052,046.60-129,925,320.93 经营活动产生的现金流量净额 75,002,786.27-88,157,358.53-85,622,572.91 72,681,584.43 上述财务指标或其加总数是否与公司已披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异 是 否 七、境内外会计准则下会计数据差异七、境内外会计准则下会计数据差异 1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 适用 不适用 公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和
20、净资产差异情况。2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 适用 不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。八、非经常性损益项目及金额八、非经常性损益项目及金额 适用 不适用 单位：元 项目 2015 年金额 2014 年金额 2013 年金额 说明 非流动资产处置损益（包括已计提资产减值准备的冲销部分）-65,186.75 2,637,385.81 35,240.54 计入当期损益的政府补助（与企业业务密切相关，按照国家统
21、一标准定额或定量享受的政府补助除外）107,967,382.69 92,370,073.92 134,552,995.92 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 70,027.54 458,889.90 14,732.74 减：所得税影响额 13,277,121.24 20,734,515.90 32,643,998.84 合计 94,695,102.24 74,731,833.73 101,958,970.36-对公司根据 公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号非经常性损益 定义界定的非经常性损益项目，以及把 公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号非经常性损益 中列举的非经常
22、性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 适用 不适用 公司报告期不存在将根据公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号非经常性损益定义、列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目的情形。华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 10 第三节第三节 公司业务概要公司业务概要 一、报告期内公司从事的主要业务一、报告期内公司从事的主要业务 公司自设立以来一直从事 LED 外延片及芯片的研发、生产和销售业务，主要产品为全色系 LED 芯片。目前，公司主营业务主要为生产、销售高亮度 LED 芯片，LED 芯片经客户封装后可广泛应用于全彩显示屏、背光源及照明等中高端应用领域。LED 外延
23、片及芯片为 LED 产品的核心技术器件，属于 LED 产业链的上游产品。目前 LED 作为新型高效节能照明产品，正在被大力推广。公司在报告期内，在稳固显示屏市场第一供应商地位的基础上，大力开拓白光照明市场，着力开发中功率照明以及高压产品，迅速提升倒装产品技术，现已跻身国内白光照明市场前两位供应商地位。报告期内公司小间距显示屏市场开始起量，公司首创推出“小间距”显示屏专用芯片，为业内首款小间距专用芯片，其高可靠性和高度一致性已得到客户端的认可。在显示屏市场上，公司继续保持国内最大供应商地位，根据市场和客户的需求来调整产品策略，更好地契合市场需求。公司白光产品在各细分市场不断提升占有率，以“给客户
24、定制的个性化需求”为目标，与客户协同开发，更好地适应终端市场的需求，提供芯片级解决方案。公司目前已经推出了高压芯片解决方案、倒装芯片解决方案、灯丝芯片解决方案和背光芯片解决方案。中功率及高压芯片产品在终端客户已积累良好口碑，2015 年市场份额取得较大增长；倒装芯片产品技术不断创新和优化，目前已达国内一流技术水平，与主流客户协同开发以满足细分市场需求；灯丝专用芯片于 2013 年首创，2015 年市场份额持续扩大；公司背光芯片产品承接台湾背光产业转移明显，在 2015 年下半年放量明显，已成功打入主流背光供应链，获得业内主流客户认可。2015 年白光四大系列产品在各细分市场占有率不断提升，受到
25、封装客户以及终端应用客户的认可。公司配合封装客户和应用客户，从应用出发，从设备、材料、结构、工艺方法方面进行系统创新，为客户提供客制化的芯片及解决方案。在产品和市场的契合度上，公司走在市场前端。二、主要资产重大变化情况二、主要资产重大变化情况 1、主要资产重大变化情况、主要资产重大变化情况 主要资产 重大变化说明 在建工程 比期初增加 42%，主要系报告期内公司和苏州子公司进行设备改造所致。应收账款 比期初增加 58%，主要系报告期内销售数额及销售客户数量增加所致。应收票据 比期初增加 88%，主要系报告期内销售数额及销售客户数量增加所致。开发支出 比期初增加 399%，主要系报告期内公司研发
26、的开发阶段支出增加所致。2、主要境外资产情况、主要境外资产情况 适用 不适用 资产的具体内容 形成原因 资产规模 所在地 运营模式 保障资产安全性的控制措施 收益状况 境外资产占公司净资产的比重 是否存在重大减值风险 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 11 可供出售金额资产 投资 2258 万元 韩国 1.18%否 其他情况说明 公司通过注册在香港的全资子公司 HC SEMITEK LIMITED 参股投资的韩国子公司株式会社 Semicon Light于 2015 年 6 月 25 日在韩国证券交易所 KOSDAQ 上市，本次公开发行新股 1,040,558 股，发行价 11,
27、300 韩币（按当日中国银行折算价折合人民币约 63.11 元）。公司香港全资子公司 HC SEMITEK LIMITED 持有韩国株式会社 Semicon Light 股份数为 402,625 股，占其上市前总股份的 9.75%，持有成本折合人民币 22,583,175.89元。公开发行后，占其总股份的 7.74%。报告期内，由于韩国子公司株式会社 Semicon Light 股价变动，公司确认可供出售金融资产公允价值变动损益-2,828,098.43 元，该部分公允价值变动损益不计入公司报告期营业利润及净利润。三、核心竞争力分析三、核心竞争力分析（一）核心竞争力 1、具有国际水平的技术团队
28、 LED 外延芯片行业具有资本和技术双密集特性，企业的技术研发实力是大量资本投入能否有效转化为利润的关键所在。本公司充分重视技术团队的建设，打造了一支具有国际水平的技术研发团队，核心成员由多位具有资深化合物半导体专业背景和丰富产业经验的归国博士、台湾专家及资深业内人士组成。核心技术人员多年来一直在国内外著名高校及知名 LED 企业中从事外延芯片领域技术研发工作，具有国际领先水平的基础技术研究和产品开发、应用能力。2、持续的技术创新 自公司创立之初，本公司管理层便认识到创新的重要性，投入了相当大资源进行研发工作，积极鼓励员工进行研发并申请专利，以保证公司产品的创新性，避免产生专利侵权风险。目前，
29、本公司已经在 LED 外延生长和芯片制造的主要工序上拥有了自己的核心技术，建立了专利保护体系。3、可靠的产品质量 目前，国内 LED 蓝、绿光芯片主要应用于显示屏领域，对芯片的稳定性要求很高，芯片的质量将直接决定终端显示屏产品的质量。此外，LED 芯片客户的订单具有时间急、量大的特点，较高的坏品率不但会面临被客户投诉的风险，也会给 LED芯片厂商带来极大的成本负担。因此，是否具有可靠的芯片制造工艺便成为芯片厂商赢得市场的关键。公司在充分利用公司各项技术研发成果的基础上，通过对外延芯片生产环节的工艺控制，使得公司的产品品质不断提升，产品得到客户一致好评，LED 芯片抗静电（ESD）能力、亮度、可
30、靠性和稳定性整体达到国际先进水平。4、领先的市场地位 目前，本公司已经是国内主流 LED 封装及应用企业的主要蓝、绿光 LED 芯片供应商，与各大客户长期、稳定的合作关系有助于公司充分分享 LED 下游应用领域的广阔市场，促进公司业务的快速增长。在本报告期增加红黄光产品，进一步丰富公司的产品结构和市场竞争能力。公司 2014 年扩产后随着产量的增加能摊薄部分固定生产成本，持续改善单位生产成本的竞争力。公司一直以“做最好的 LED 产品，做最好的 LED 企业”为经营宗旨，特别注重与下游客户的战略性共赢。通过近年来的不懈努力，公司得以逐步建立起了高品质 LED 芯片制造商的良好品牌形象，在广大客
31、户中积累了良好的口碑和市场美誉度，公司产品也日益获得下游封装和应用客户的广泛认可。5、稳定、专业的管理团队 LED 外延芯片行业对生产工艺的要求很高，企业人员的稳定对产品的品质与客户的合作关系都起着重要的作用。公司管理团队在管理、技术、生产、市场等方面各有所长，分工明确，配合默契，对于公司长期发展战略和经营理念形成了共识，善于把握市场机遇，勇于进取、乐于创新、富有创业精神。此外，公司通过引进国内外著名投资机构、骨干成员间接持股等方式，逐步建立并完善了法人治理结构和激励机制，公司凝聚力和核心员工的稳定性也不断增强。华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 12（二）无形资产情况 公司账面无
32、形资产为土地使用权、商标、专利、软件，期末余额为 9,820.90 万元。1、土地使用权情况如下：序号 证书编号 土地座落 土地面积（平方米）用途 权利终止日期 他项权利 1 武新国用（2007）第005号 东湖开发区武大科技园 65,050.57 工业用地 2056.07.31 已抵押 2 武新国用（2008）第070号 东湖开发区滨湖路以北，火炬路以东 34,738.31 工业用地 2057.08.22 已抵押 3 张国用（2012）第0740090号 杨舍镇晨新村 112,015.20 工业用地 2062.10.21 已抵押 2、商标 截至报告期，公司拥有注册商标24项，具体如下：序号
33、商标栏 注册号 类号 有效期限 1 5935711 7 2009.11.7-2019.11.6 2 5935712 7 2009.11.7-2019.11.6 3 5935713 4 2010.1.28-2020.1.27 4 5935714 4 2009.12.28-2019.12.27 5 5935715 4 2009.12.28-2019.12.27 6 5935716 4 2009.12.28-2019.12.27 7 5935717 1 2010.11.14-2020.11.13 8 5935718 1 2010.1.7-2020.1.6 9 5935719 1 2010.1.7-2
34、020.1.6 10 5935720 1 2010.1.7-2020.1.6 11 5935721 11 2009.12.14-2019.12.13 12 5935722 11 2009.12.14-2019.12.13 13 5935723 11 2009.12.14-2019.12.13 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 13 14 5935724 11 2009.12.14-2019.12.13 15 5935725 9 2010.4.21-2020.4.20 16 5935726 9 2009.12.14-2019.12.13 17 5935727 9 2010.2.21
35、-2020.2.20 18 5935728 9 2010.1.28-2020.1.27 19 5935729 7 2010.1.21-2020.1.20 20 5935730 7 2009.11.7-2019.11.6 21 5935731 28 2010.6.21-2020.6.20 22 5935732 28 2010.2.14-2020.2.13 23 5935733 28 2010.2.14-2020.2.13 24 5935734 28 2010.2.14-2020.2.13 3、专利 截至报告期，公司拥有已授权专利 62 项，其中实用新型专利 24 项，发明专利 37 项，外观设计
36、 1 项。另有 54 项专利申请正在审核过程中。公司已获授权的专利具体情况如下：序号 专利名称 专利号 类型 专利申请日 授权公告日 保护期 1 一种在蓝宝石衬底材料上外延生长 AlXGa1-XN 单晶薄膜的方法 ZL 2006 1 0019545.2 发明 2006-7-5 2009-10-14 20 年 2 一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的 V-型缺陷的方法 ZL 2006 1 0019720.8 发明 2006-7-26 2008-7-16 20 年 3 增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构 ZL 2006 1 0124789.7 发明 2006-10-18 2009-5-6
37、 20 年 4 一种氮化镓基-族化合物半导体器件的电极 ZL 2006 1 0166563.3 发明 2006-12-30 2008-7-16 20 年 5 倒装焊发光二极管芯片的制造方法 ZL 2007 1 0053027.7 发明 2007-8-24 2010-2-17 20 年 6 氮化镓基发光二极管芯片 ZL 2008 1 0047953.8 发明 2008-6-10 2011-1-26 20 年 7 倒装焊发光二极管硅基板及ZL 2008 1 0048739.4 发明 2008-8-8 2010-2-17 20 年 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 14 其制造方法 8
38、 具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片 ZL 2008 1 0236734.4 发明 2008-12-9 2010-10-13 20 年 9 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法 ZL 2008 1 0236950.9 发明 2008-12-22 2010-6-2 20 年 10 带热沉的 LED 芯片及其制造方法 ZL 2009 1 0062024.9 发明 2009-5-8 2011-4-14 20 年 11 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 ZL 2009 1 0062768.0 发明 2009-6-22 2012-5-30 20 年 12 垂直结构发光二极管芯片结构及
39、其制造方法 ZL 2009 1 0272579.6 发明 2009-10-30 2012-1-25 20 年 13 高效抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法 ZL 2010 1 0181048.9 发明 2010-5-19 2012-10-3 20 年 14 一种湿法腐蚀与干法刻蚀向结合图形化蓝宝石的方法 ZL 2011 1 0078480.X 发明 2011-3-30 2012-11-7 20 年 15 一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长方法 ZL 2011 1 0258692.6 发明 2011-9-2 2013-3-27 20 年 16 一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法 ZL
40、 2011 1 0199127.7 发明 2011-7-15 2013-3-6 20 年 17 一种通过湿法剥离 GAN 基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二级管的方法 ZL 2011 1 0217923.9 发明 2011-8-1 2013-9-4 20 年 18 一种提高发光二极管外量子效率方法 ZL 2009 1 0061316.0 发明 2009-3-27 2013-7-31 20 年 19 倒装焊芯片 ZL 2006 2 0099111.3 实用新型 2006-9-22 2007-12-12 20 年 20 一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台 ZL 2011 2
41、0414928.6 实用新型 2011-10-27 2012-8-1 20 年 21 一种基于红绿光 LED 芯片的交通信号灯 ZL 2011 2 0414930.3 实用新型 2011-10-27 2012-6-6 20 年 22 侧光式背光模组 ZL 2011 2 0414941.1 实用新型 2011-10-27 2012-6-6 20 年 23 一种透明导电层和发光二极管 ZL 2012 20338044.1 实用新型 2012-7-12 2013-2-13 20 年 24 一种高压发光二极管芯片 ZL 2012 20399415.7 实用新型 2012-8-13 2013-2-13
42、20 年 25 一种发光二极管芯片 ZL 2012 2 0476129.6 实用新型 2012-9-17 2013-3-27 20 年 26 一种半导体探测器 ZL 2012 2 0690685.3 实用新型 2012-12-12 2013-8-28 20 年 27 氮化镓基发光二极管 ZL 2013 2 0447686.X 实用新型 2013-7-25 2013-12-25 20 年 28 一种 GAN 基探测器 ZL 2013 2 0276416.7 实用新型 2013-5-20 2013-11-13 20 年 29 一种提高发光二极管发光效率的方法 ZL 2011 1 0258718.7
43、 发明 2011-9-5 2014-4-30 20 年 30 一种回收图形化蓝宝石衬底的方法 ZL 2012 1 0056756.9 发明 2012-3-7 2014-7-9 20 年 31 渐变电子阻挡层的紫外光氮ZL 2012 1 0122392.X 发明 2012-4-25 2014-5-7 20 年 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 15 化镓半导体发光二极管 32 LED 芯片的制造方法 ZL 2012 1 0093271.7 发明 2012-4-1 2014-12-24 20 年 33 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法 ZL 2012 1 0208670.3 发明
44、 2012-6-21 2014-12-10 20 年 34 一种正装结构的发光二极管外延片 ZL 2013 2 0324998.1 实用新型 2013-6-6 2014-3-26 20 年 35 一种发光二极管芯片 ZL 2013 2 0613260.7 实用新型 2013-9-29 2014-3-26 20 年 36 适用于 LED 测试机的辅助吹气装置 ZL 2013 2 0569531.3 实用新型 2013-9-13 2014-3-5 20 年 37 一种图形化的蓝宝石衬底 ZL 2013 2 0703572.7 实用新型 2013-11-8 2014-5-7 20 年 38 半导体发
45、光器件 ZL 2013 2 0746056.2 实用新型 2013-11-21 2014-5-7 20 年 39 一种具有全方位反射镜的发光二极管 ZL 2014 2 0022213.X 实用新型 2014-1-15 2014-7-16 20 年 40 一种白光发光二极管 LED 及其LED 芯片 ZL 2014 2 0273414.7 实用新型 2014-5-26 2014-12-10 20 年 41 一种白光发光二极管 LED 及其LED 芯片 ZL 2014 2 0273088.X 实用新型 2014-5-26 2014-10-29 20 年 42 一种发光二极管芯片 ZL 2014 2
46、 0403829.1 实用新型 2014-7-22 2014-12-31 20 年 43 半导体发光二级管及其制造方法 ZL 2012 1 0056382.0 发明 2012-3-6 2015-6-24 20 年 44 一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构 ZL 2012 1 0122393.4 发明 2012-4-25 2015-7-8 20 年 45 一种GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法 ZL 2012 1 0189941.5 发明 2012-6-11 2015-4-1 20 年 46 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL 2012 1 0224723.0 发明 201
47、2-7-2 2015-5-20 20 年 47 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL 2012 1 0240976.7 发明 2012-7-12 2015-9-23 20 年 48 一种晶圆的裂片装置和方法 ZL 2012 1 0273144.5 发明 2012-8-2 2015-4-22 20 年 49 一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法 ZL 2012 1 0563894.6 发明 2012-12-21 2015-12-9 20 年 50 一种提高GaN基LED发光效率的外延方法 ZL 2012 1 0299221.4 发明 2012-8-22 2015-2-11 20 年 51
48、一种发光二极管芯片的外延层生长方法 ZL 2012 1 0312441.6 发明 2012-8-29 2015-12-9 20 年 52 一种发光二极管的外延片以及发光二极管 ZL 2012 1 0384250.0 发明 2012-10-10 2015-9-30 20 年 53 一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法 ZL 2012 1 0394267.4 发明 2012-10-17 2015-4-22 20 年 54 LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME US9087933 PCT 2012-7-27 2015-7-21 2
49、0 年 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 16 55 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL 201210544495.5 发明 2012-12-13 2015-4-1 20 年 56 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL 2012 1 0546009.3 发明 2012-12-14 2015-12-9 20 年 57 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL 2013 1 0040746.0 发明 2013-2-1 2015-10-28 20 年 58 一种发光二极管芯片 ZL 2014 2 0430020.8 实用新型 2014-7-31 2015-1-21 20 年 59 一
50、种高压发光二极管芯片 ZL 201420842450.0 实用新型 2014-12-25 2015-5-6 20 年 60 一种发光二极管外延片 ZL 201520046892.9 实用新型 2015-1-23 2015-12-30 20 年 61 一种合金炉 ZL 201520064562.2 实用新型 2015-1-30 2015-7-8 20 年 62 发光二极管芯片 ZL201530148119.9 外观设计 2015-5-18 2015-11-11 20 年 华灿光电股份有限公司 2015 年年度报告全文 17 第四节第四节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析 一、概述一、概述 1、报
