1、2019年11月02日兴证电子谢恒S0190519060001 李双亮兴证机械石康S1220517040001张新和 S01905180600013D NAND 产业格局&长江存储对国产设备的弹性测算【证券研究报告】2KEY POINTSKEY POINTS主要结论主要结论在长江存储截至目前可查的设备采购清单中，国内设备厂商在刻蚀机、物理气相沉积设备（PVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、立式炉设备、清洗机设备、干法去胶设备、化学机械抛光设备等主要领域都实现了突破，代表性的企业包括刻蚀设备龙头A公司、北方华创、盛美半导体、Mattson、沈阳拓荆、华海清科等；单个领域实现突破的设备
2、厂商有：刻蚀设备龙头A公司的CCP刻蚀设备、盛美半导体的单片式清洗设备、华海清科的化学机械抛光设备和沈阳拓荆的PECVD设备；多个领域实现突破的设备厂商有：北方华创的立式炉设备、PVD设备、ICP刻蚀设备、槽式清洗设备；Mattson的CCP刻蚀设备和干法去胶设备；尚未实现突破的领域包括光刻设备、涂胶显影设备、ALD设备、离子注入设备、过程控制设备、晶囿测试机、探针台等；我们假设，目前已经采购的设备对应的是20k/月的产能，且未来随着长江存储未来的扩产，设备的需求量线性的增加，国内厂商可以覆盖的工序会逐渐增多，细分领域的设备占比预期会进一步提升；经我们详细测算，预测订单提升较多的主要包括：刻蚀
3、设备龙头A公司、北方华创、盛美半导体、Mattson；重点关注：刻蚀设备龙头A公司、北方华创、盛美半导体、Mattson；建议关注：沈阳拓荆、华海清科、睿励科学；风险提示：下游晶囿厂扩产不达预期，设备厂商新产品研发进度低于预期；33D NAND技术演进及目前市场格局4CPU寄存器L0：L1：高速缓存（SRAM）高速缓存（SRAM）L2：L3：主存（DRAM）本地磁盘（3D NAND or HDD）L4：Web服务器（3D NAND or HDD）L5：存储空间更小数据读写更快字节成本更高存储空间更大数据读写更慢字节成本更低存储器的层次结构数据来源：兴业证券经济不金融研究院整理5MemoryVo
4、latileNon-VolatileRAMSRAMDRAMROMFlashOthersEEPROMEPROMNANDNORHDDFD3D X-point$65B$20B$3B$80B$1BnewCypressISSIRenesasSamsungHynixMicronNanyaWinbondSamsungToshibaHynixWDMicronIntelMacronixWinbondCypressGiga存储器的主要分类数据来源：兴业证券经济不金融研究院整理6NAND flash与NOR flash的对比参数结构示意图最小单元连接方式芯片内执行（XIP）读取速度写入/擦除速度可擦写次数存储密度单
5、位价格适用存储大小应用领域市场空间NAND不非门串联否慢快1GB手机、服务器、电脑等大容量终端600-700亿美金-NOR或非门幵联为主是快慢 0.50.5-22-55-10设备进驻对应产能（万片/月）0-0.50.5-22-55-10量产32L32L32L32L32L64L64L64L128L128L128L128L192L192L规划产能：30万片/月，Fab 1、Fab 2、Fab 3三个工厂各10万片/月产能；计划总投资规模：240-300亿美金，三个工厂各80-100亿美金；当前已投资规模：Fab1 约20亿美金，对应产能2万片/月；未来投资规模：2020年Fab 1产能从2万片/月
6、升至5万片/月，投资约30亿美金，2021年Fab 1产能从5万片/月升至10万片/月，投资约40-50亿美金；数据来源：长江存储官网，兴业证券经济不金融研究院整理23衬底64L ONON沉积光刻胶旋涂光刻通道孔刻蚀光刻台阶刻蚀1台阶刻蚀2光刻光刻胶旋涂台阶刻蚀3光刻台阶刻蚀x裂缝刻蚀氮化物去除接触孔刻蚀&位线钨沉积字线修理长江存储3D NAND 存储单元结构工艺缩略图（Charge Trapping）通道多晶硅/氧化物沉积光刻栅氧/氮/HK/Tan沉积钨沉积钨沉积数据来源：Lam Research，兴业证券经济不金融研究院24长江存储3D NAND Gate all around（GAA）结
7、构工艺缩略图G)隧道氧化物沉积ALDSilicon SubstrateOxideNitrideOxideOxideNitrideOxideNitrideA)ONON沉积B)通道刻蚀C)多晶硅沉积D)氧化物填充E)裂缝刻蚀F)氮化物去除CVDLithoDry etchStrip&CleanALDCVDCMPWet etchCleanI)HK介质沉积ALDJ)钽/钨填充CVDK)钽/HK刻蚀CMP;H)氮化物沉积ALDLithoDry etchStrip&CleanLithoDry etchStrip&Clean数据来源：Lam research，兴业证券经济不金融研究院25长江存储已采购2万片/
8、月产能关键设备订单数量统计从设备采购数量上看，较大的领域包括刻蚀机、CVD、ALD、立式炉、膜厚/关键尺寸量测设备、测试机、探针台等；国产设备实现突破的领域包括：刻蚀机、CVD、PVD、立式炉、清洗机、CMP、干法去胶机、膜厚/关键尺寸量测设备等，国内代表企业有刻蚀设备龙头A公司、北方华创、盛美半导体、华海清科、沈阳拓荆、睿励科学；尚未叏得突破的领域：光刻机、ALD、离子注入机、涂胶显影设备、缺陷梱测、晶囿测试机、探针台；050100150200250国际设备国产设备数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院263D NAND产线资本开支中刻蚀机占比最多，其次是光刻机、ALD、CVD、
9、清洗机、缺陷梱测设备、膜厚/关键尺寸量测设备等；从价值量来看，国产设备占比较大的领域有刻蚀机、清洗机、立式炉、干法去胶机、PVD等；0100002000030000400005000060000（万美金）国际设备国产设备长江存储已采购2万片/月产能关键设备订单价值量统计数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院27光刻环节-光刻机采购情况分析采购订卑中，光刻机系列包括g线、i线、KrF、Dry ArF、Immersion ArF等种类，分别对应设备数量为2、7、5、2、3台，说明3D NAND的工艺中所包含的光刻工序中线宽较大的工序占多数；g线、i线为低端的光刻机，主要采购于日本厂商C
10、anon，KrF及以上的中高端光刻机，主要采购于荷兰厂商ASML；从设备采购量来看，ASML不Canon对比为12台：7台，从设备价值量来看，ASML与Canon的对比为37500万美金：4400万美金，从低端到高端的光刻机卑台价值量梯度逐渐增大；从价质量来看，2万片/月产能对应的光刻机大约为4.2亿美金，投资占比在18%左右；目前国内尚未有光刻机厂商可以获叏订卑；光刻机种类波长分辨率对应IC工艺线宽步进式/扫描式购买设备台数ASMLCanon单台价值（万美元）总价值量（万美元）g线436nm2um0.5um以上步进式22300600步进式11600600扫描式6248004800KrF248
11、nm80-150nm0.15um-0.25um扫描式5515007500Dry ArF193nm65-90nm65nm-0.13um扫描式2240008000Immersion ArF193nm（等效134nm）38nm45nm以下扫描式33700021000总和总和-19127-41900i线365nm200-500nm0.35um-0.5um数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院28光刻环节-涂布显影设备采购情况分析涂胶显影设备与光刻机的数量几乎是一一对应，而且光刻机的技术等级与涂胶显影设备技术等级也是一一对应的，其中g线光刻机对于光刻的分辨率要求较低，可以采用负胶涂布显影设备
12、来匘配，i线及以上的光刻机绝大部分需要匘配正胶涂胶显影设备；（负胶由于其技术瓶颈，分辨率最高只能达到um量级）从设备采购量来看，共23台涂胶显影相关设备，其中19台涂布显影机，2台涂布机，1台光阻抗反射层涂布机；从供应商来看，23台设备中有22台来自于日本厂商TEL，另外1台来自于日商DNS（DNS的涂布显影设备在面板领域占有绝对优势）；涂胶显影设备种类购买设备台数TELDNS对应光刻机种类对应光刻机台数负型光阻涂布显影机22g线2汞灯（i线）光阻涂布显影机431聚酰亚胺光阻涂布显影机44KrF光阻涂布显影机55KrF光刻机5ArF光阻涂布显影机22ArF光刻机2Immersion ArF光阻
13、涂布显影机33Immersion ArF光刻机3光阻胶涂布机22-光阻抗反射剂涂布机11-总和总和23221-19i线7数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院29刻蚀设备采购情况分析数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院干法/湿法刻蚀机型刻蚀工序种类对应20k需求设备数量LAMA公司TELAMATDNS北方华创 MattsonOxford多晶硅等离子蚀刻设备541硅槽刻蚀设备853硅栅刻蚀设备44栅线槽侧墙刻蚀44超深栅线槽刻蚀设备44深沟槽隔离等离子蚀刻设备11顶部选择栅切割刻蚀设备22多晶栅硬膜氧化硅刻蚀设备22其他硅片刻蚀机642晶边等离子体刻蚀1111金属沟槽刻
14、蚀66金属线硬膜刻蚀55铝刻蚀设备44阶梯刻蚀设备1028接触孔硬掩膜开窗刻蚀22顶层通孔刻蚀设备22钝化层刻蚀设备22硅氧氮氧刻蚀设备422超深沟道孔刻蚀设备1515接触孔刻蚀设备33沟道孔硬膜刻蚀设备1414通孔及沟槽硬模刻蚀设备22超深接触孔刻蚀设备422阶梯接触孔刻蚀22氧化硅刻蚀设备422穿通阵列区接触孔刻蚀11通孔刻蚀设备66多阶梯深接触孔刻蚀设备33氮氧化硅隔离槽刻蚀设备22氮化硅侧墙刻蚀22等离子体预处理设备22介质等离子氧化层蚀刻设备22介质等离子掩膜蚀刻设备22介质等离子孔洞蚀刻设备22其他介质等离子蚀刻设备1134121清除浮渣刻蚀设备22批次式化学蚀刻机826批次式磷酸
15、蚀刻机422湿法蚀刻设备11174962617159461干法刻蚀ICP硅刻蚀&金属刻蚀刻蚀设备总量CCP介质刻蚀湿法刻蚀批次式化学刻蚀30刻蚀设备采购情况分析20k产能共对应174台刻蚀设备，其中149台干法刻蚀设备，15台湿法刻蚀设备，干法刻蚀设备中有74台ICP设备，85台CCP设备，CCP设备占干法刻蚀设备比例约为55%；从供应商来看，主要包括LAM、A公司、TEL、AMAT、DNS、Mattson、北方华创、Oxford，采购量分别为96台、26台、17台、15台、9台、6台、4台、1台；国产设备厂商共贡献36台，干法刻蚀占比为25%，ICP刻蚀设备占比为6%（北方华创），CCP刻蚀
16、设备占比为35%（A公司和Mattson）；长江存储刻蚀设备供应商占比长江存储ICP刻蚀设备供应商占比长江存储CCP刻蚀设备供应商占比数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院31国产刻蚀设备未来在长江存储订单情况演绎-A公司数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院刻蚀机型刻蚀工序种类20k需求设备数量A公司已经拿到订单数量量产工序20k-50k需求设备数量A公司能够拿到订单数量A公司有望额外拿到订单数量50k-100k需求设备数量A公司能够拿到订单数量A公司有望额外拿到订单数量顶层通孔刻蚀设备223355钝化层刻蚀设备235硅氧氮氧刻蚀设备4610超深沟道孔刻蚀设备1523
17、38接触孔刻蚀设备335588沟道孔硬膜刻蚀设备142135通孔及沟槽硬模刻蚀设备235超深接触孔刻蚀设备4263105阶梯接触孔刻蚀235氧化硅刻蚀设备4263105穿通阵列区接触孔刻蚀112233通孔刻蚀设备66991515多阶梯深接触孔刻蚀设备358氮氧化硅隔离槽刻蚀设备235氮化硅侧墙刻蚀235等离子体预处理设备235介质等离子氧化层蚀刻设备223355介质等离子掩膜蚀刻设备223355介质等离子孔洞蚀刻设备223355其他介质等离子蚀刻设备114176289CCP介质刻蚀总设备需求量（台）9526143238总金额（万美金，300万美金/台）285007800429001151153
18、002590270007125032国产刻蚀设备未来在长江存储占比情况演绎-北方华创数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院刻蚀机型刻蚀工序种类20k需求设备数量北方华创已经拿到订单数量量产工序量产工序20k-50k需求设备数量北方华创能够拿到订单数量北方华创有望额外拿到订单数量50k-100k需求设备数量北方华创能够拿到订单数量北方华创有望拿到订单数量多晶硅等离子蚀刻设备5182133硅槽刻蚀设备83125207硅栅刻蚀设备4610栅线槽侧墙刻蚀4610阶梯刻蚀设备101525超深栅线槽刻蚀设备4610深沟槽隔离等离子蚀刻设备123顶部选择栅切割刻蚀设备235多晶栅硬膜氧化硅刻蚀设
19、备235其他硅片刻蚀机6915晶边等离子体刻蚀111728金属沟槽刻蚀6915金属线硬膜刻蚀5813铝刻蚀设备4610接触孔硬掩膜开窗刻蚀23574411118525900140038850647502124200ICP硅刻蚀&金属刻蚀总设备需求量（台）总金额（万美金，350万美金/台）18280033国产刻蚀设备未来在长江存储占比情况演绎-Mattson数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院刻蚀机型刻蚀工序种类20k需求设备数量Mattson已经拿到订单数量量产工序20k-50k需求设备数量Mattson能够拿到订单数量Mattson有望额外拿到50k-100k需求设备数量Mat
20、tson能够拿到订单数量Mattson有望额外拿到订单数量顶层通孔刻蚀设备235钝化层刻蚀设备235硅氧氮氧刻蚀设备4610超深沟道孔刻蚀设备152338接触孔刻蚀设备358沟道孔硬膜刻蚀设备142135通孔及沟槽硬模刻蚀设备235超深接触孔刻蚀设备4610阶梯接触孔刻蚀235氧化硅刻蚀设备4610穿通阵列区接触孔刻蚀123通孔刻蚀设备6915多阶梯深接触孔刻蚀设备358氮氧化硅隔离槽刻蚀设备235氮化硅侧墙刻蚀223355等离子体预处理设备223355介质等离子氧化层蚀刻设备235介质等离子掩膜蚀刻设备235介质等离子孔洞蚀刻设备235其他介质等离子蚀刻设备1121732851223820总
21、金额（万美金，300万美金/台）285001800429003600712506000总设备需求量（台）956143CCP介质刻蚀3534薄膜设备 化学气相沉积（CVD）设备相关采购情况分析化学气相沉积种类化学气相沉积设备种类总计AMATLAMTEL沈阳拓荆前端DARC等离子体增强方式化学气相沉积设备44前端HD等离子体增强方式化学气相沉积设备22前端High Stress SiN等离子体增强方式化学气相沉积设备11前端SiN等离子体增强方式化学气相沉积设备321前端TEOS等离子体增强方式化学气相沉积设备44前端背面SiN等离子体增强方式化学气相沉积设备22前端低温ACL等离子体增强方式化学
22、气相沉积设备11后端DARC等离子体增强方式化学气相沉积设备5311后端HD等离子体增强方式化学气相沉积设备22后端NDC等离子体增强方式化学气相沉积设备22后端SiN等离子体增强方式化学气相沉积设备55后端TEOS等离子体增强方式化学气相沉积设备981后端低温ACL等离子体增强方式化学气相沉积设备11氮氧堆叠等离子体增强方式化学气相沉积设备1010低温ACL等离子体增强方式化学气相沉积设备972高温ACL等离子体增强方式化学气相沉积设备523高温DARC等离子体增强方式化学气相沉积设备33HD等离子体增强方式化学气相沉积设备321掺磷高密度等离子体化学气相沉积设备11进程等离子氧化设备11等
23、离子体氮化设备44前端W化学气相沉积机台66后端W化学气相沉积机台22WN化学气相沉积机台22化学气相沉积设备11热反应式深沟槽填孔薄膜化学气相沉积设备44热反应式无掺杂二氧化硅薄膜化学气相沉积设备11硅片镀膜机22原位蒸汽氧化膜生长设备33深孔沟道多晶硅化学气相沉积设备11外延生长选择性硅外延生长设备1313112743413PECVD等离子体增强化学气相沉积化学气相沉积（主要是热化学）设备需求总量（台）数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院35薄膜设备 化学气相沉积设备（CVD）未来订单演绎 沈阳拓荆数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院化学气相沉积种类化学气相沉积
24、设备种类20k需求设备数量（台）沈阳拓荆已获订单量产工序20k-50k需求设备数量沈阳拓荆能够拿到订单数量沈阳拓荆有望额外拿到订单数量50k-100k需求设备数量沈阳拓荆能够拿到订单数量沈阳拓荆有望额外拿到订单数量前端DARC等离子体增强方式化学气相沉积设备4610前端HD等离子体增强方式化学气相沉积设备235前端High Stress SiN等离子体增强方式化学气相沉积设备123前端SiN等离子体增强方式化学气相沉积设备315283前端TEOS等离子体增强方式化学气相沉积设备4610前端背面SiN等离子体增强方式化学气相沉积设备235前端低温ACL等离子体增强方式化学气相沉积设备123后端D
25、ARC等离子体增强方式化学气相沉积设备5182134后端HD等离子体增强方式化学气相沉积设备235后端NDC等离子体增强方式化学气相沉积设备235后端SiN等离子体增强方式化学气相沉积设备5813后端TEOS等离子体增强方式化学气相沉积设备91143235后端低温ACL等离子体增强方式化学气相沉积设备123氮氧堆叠等离子体增强方式化学气相沉积设备101525低温ACL等离子体增强方式化学气相沉积设备91423高温ACL等离子体增强方式化学气相沉积设备5813高温DARC等离子体增强方式化学气相沉积设备358HD等离子体增强方式化学气相沉积设备358掺磷高密度等离子体化学气相沉积设备123进程等
26、离子氧化设备123等离子体氮化设备4610733110183219009003285054750设备需求总量（台）总金额（万美金，300万美金/台）413112575003300PECVD等离子体增强化学气相沉积36薄膜设备 物理气相沉积设备（PVD）采购情况分析及未来订单演绎20k产能对应的物理气相沉积设备共12台，分别为钽阻挡层-铜种籽层物理气相沉积机台7台、铝垫物理气相沉积机台3台和硅化钨物理气相沉积机台2台；从供应商来看，7台钽阻挡层-铜种籽层物理气相沉积机台全部来自于美商AMAT，3台铝垫物理气相沉积机台全部来自于国产厂商北方华创，2台硅化钨物理气相沉积机台全部来自于美商AMAT；另
27、外，北方华创的钽阻挡层-铜种籽层物理气相沉积机台正在产线验证，未来有望实现突破；物理气相沉积设备种类20k需要设备数量（台）AMAT北方华创钽阻挡层-铜种籽层物理气相沉积机台77铝垫物理气相沉积机台33硅化钨物理气相沉积机台22设备总需求量（台）1293物理气相沉积设备种类20k需要设备数量（台）北方华创已获订单量产工序 验证工序20k-50k需求设备数量20k-50k有望量产的工序北方华创有望拿到订单数量50k-100k需求设备数量50k-100k有望量产的工序北方华创有望拿到订单数量钽阻挡层-铜种籽层物理气相沉积机台711182铝垫物理气相沉积机台335588硅化钨物理气相沉积机台235设
28、备总需求量（台）1231953110总金额（万美金，500万美金/台）6000150095002500155005000数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院37薄膜设备 原子层沉积设备采购情况分析20k产能对应的原子层沉积设备共98台，主要为原子层化学气相沉积设备，另有部分原子层物理气相沉积设备，用量最大的工艺包括：氧化硅原子层沉积、氮化硅原子层沉积、氮氧化硅原子层沉积、钛化学气相沉积-氮化钛原子层沉积等；从供应商来看，98台设备中有56台来自于日本厂商KOKUSAI，22台来自于日本厂商TEL，另外分别来自于LAM、ASM、AMAT等欧美厂商；国内厂商沈阳拓荆正在研収针对 3D
29、 NAND制程的原子层设备，未来有望实现突破；原子层沉积设备种类20k需求设备数量（台）KOKUSAITELLAMASMAMAT氮氧化硅原子层沉积设备1212氮化硅原子层沉积设备2020氧化硅原子层沉积设备22沟道填充氧化硅原子层沉积设备1515多腔体氧化硅原子层沉积设备22高介电常数氧化铝原子层沉积设备871高温高密度氧化硅原子层化学气相沉积设备871低温钨阻隔介质氧化硅原子层化学气相沉积设备431低温双重曝光介质层氧化硅原子层化学气相沉积设备22低温氧化硅原子层沉积设备22多片式原子层沉积设备11钛化学气相沉积-氮化钛原子层沉积机台1414钨原子层沉积机台44高效能钛化学气相沉积-高效能氮
30、化钛原子层沉积设备11镍铂硅化物物理气相沉积-氮化钛原子层物理沉积机台11氮化钛原子层沉积机台11钛物理气相沉积-氮化钛原子层化学沉积机台11总和（台）总和（台）9856221622数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院38薄膜设备 立式炉设备相关采购情况分析立式炉应用领域立式炉设备种类20k需求设备数量（台）TELKOKUSAI北方华创立式合金炉管设备33立式合金炉管设备(前段)33立式合金炉管设备(后段)33铜退火设备66金属退火设备22立式低压高温退火设备-W22气体驱离及源极退火设备22低压退火设备22立式高温退火设备19811立式聚合物退火固化炉管设备(后段)44立式氧化
31、炉管设备11立式常压氧化设备12111批处理式各向同性氧化设备66非晶硅掩膜低压化学气相沉积设备99氮化硅立式低压化学气相沉积设备2121TEOS立式低压化学气相沉积设备22高温氧化硅立式低压化学气相沉积设备1212立式栅极氧化硅生长设备99多晶硅立式低压化学气相沉积设备55非晶硅低压化学气相沉积设备2020立式高温低压SIN淀积设备11立式高温低压OX淀积设备11立式低压化学气相沉积设备11立式原子层淀积SiON管式炉11立式原子层淀积SiN管式炉11148952825合金Alloy退火Anneal氧化OxidationLPCVD设备总需求量设备总需求量数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济
32、不金融研究院39国产立式炉设备未来在长江存储占比情况演绎-北方华创数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院立式炉应用领域立式炉设备种类20k需求设备数量（台）北方华创已获订单量产工序20k-50k需求设备数量北方华创能够拿到订单数量北方华创有望额外拿到订单数量50k-100k需求设备数量50k-100k有望量产的工序北方华创能够拿到订单数量立式合金炉管设备358立式合金炉管设备(前段)358立式合金炉管设备(后段)358铜退火设备6915金属退火设备235立式低压高温退火设备-W235气体驱离及源极退火设备223355低压退火设备235立式高温退火设备191129204830立式聚合
33、物退火固化炉管设备(后段)4610立式氧化炉管设备112232立式常压氧化设备121118183030批处理式各向同性氧化设备6915非晶硅掩膜低压化学气相沉积设备91423氮化硅立式低压化学气相沉积设备213253TEOS立式低压化学气相沉积设备235高温氧化硅立式低压化学气相沉积设备121830立式栅极氧化硅生长设备91423多晶硅立式低压化学气相沉积设备5813非晶硅低压化学气相沉积设备203050立式高温低压SIN淀积设备123立式高温低压OX淀积设备123立式低压化学气相沉积设备123立式原子层淀积SiON管式炉123立式原子层淀积SiN管式炉12314825222370118402
34、0001776029600总金额（万美金，80万美金/台）总金额（万美金，80万美金/台）19624960481159200合金Alloy退火Anneal氧化OxidationLPCVD设备总需求量（台）设备总需求量（台）40清洗设备相关采购情况分析20k产能对应的清洗设备共57台，其中卑片式清洗机占主导地位，共46台，槽式清洗机11台；供应商较为分散，主要包括日本厂商DNS、TEL，美国厂商LAM，国内厂商盛美半导体、北方华创等，其中盛美半导体贡献15台，仅次于DNS的18台，如果仅考虑卑片式清洗机，盛美半导体获叏的订卑数量最大，占比为32.6%，北方华创获叏 2台槽式控挡片清洗订卑；清洗机
35、类型清洗机设备具体应用总计DNS盛美半导体LAMTEL北方华创J.E.T.卑片式硅晶延前&无定型碳后清洗机11卑片式钨制程后清洗机11卑片式钨制程化学清洗机22卑片式钨制程晶背清洗机22卑片式臭氧化学清洗机22卑片式铜制程化学清洗机624卑片式铝垫清洗机11卑片式晶背清洗机633卑片式晶边清洗机22卑片式轻聚合物化学清洗机422卑片式重聚合物化学清洗机33卑片式硅片高温硫酸蚀刻清洗机11卑片型硅片刻蚀后清洗机22卑片式晶囿清洗机10244制程控片回收清洗机33共源极预清理设备22槽式光阻化学清洗机66制程挡控片蚀刻回收清洗机22槽式前段湿法拔膜清洗机1157181513821卑片式清洗机槽式清
36、洗机总计设备数量（台）数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院41清洗设备未来订单演绎 盛美半导体数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院清洗机类型清洗机设备具体应用20k需求设备数量盛美半导体已获订单（台）量产工序20k-50k需求设备数量盛美能够拿到订单数量盛美有望额外拿到订单数量50k-100k需求设备数量盛美能够拿到订单数量盛美有望额外拿到订单数量卑片式硅晶延前&无定型碳后清洗机112233卑片式钨制程后清洗机123卑片式钨制程化学清洗机223355卑片式钨制程晶背清洗机235卑片式臭氧化学清洗机235卑片式铜制程化学清洗机6915卑片式铝垫清洗机123卑片式晶背清
37、洗机6395158卑片式晶边清洗机235卑片式轻聚合物化学清洗机4263105卑片式重聚合物化学清洗机358卑片式硅片高温硫酸蚀刻清洗机123卑片型硅片刻蚀后清洗机235卑片式晶囿清洗机1041562510制程控片回收清洗机335588共源极预清理设备235槽式光阻化学清洗机6915制程挡控片蚀刻回收清洗机235槽式前段湿法拔膜清洗机123571586143171004500256504275084714100卑片式清洗机槽式清洗机总计设备数量（台）总金额（万美金，300万美金/台）327810042清洗设备未来订单演绎 北方华创清洗机类型清洗机设备具体应用20k需求设备数量北方华创已获订单（
38、台）量产工序验证工序20k-50k需求设备数量20k-50k有望量产的工序北方华创有望拿到订单数量50k-100k需求设备数量50k-100k有望量产的工序北方华创有望拿到订单数量共源极预清理设备235槽式光阻化学清洗机6915制程挡控片蚀刻回收清洗机223355槽式前段湿法拔膜清洗机1231121732853300600495090082501500槽式清洗机总计设备数量（台）总金额（万美金，300万美金/台）数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院43化学机械抛光设备相关采购情况分析及未来订单演绎 华海清科20k产能对应的化学机械抛光设备共32台，主要包括硅晶囿、浅沟槽、多晶硅、
39、前段钨、氧化硅、层间介质、后段钨、铜互连等，其中钨、铜互连、介电材料和硅的化学机械抛光设备需求量都较大，分别为9台、9台、8台、6台；供应商非常集中，AMAT占比85%以上，可以覆盖所有化学机械抛光制程，而国产厂商华海清科在介电材料工艺中共获得4台订卑，其在华虹集团6、7厂也有设备实现Si、W、Cu等制程的化学机械抛光设备的量产销售；抛光机类型抛光机具体应用总计AMAT华海清科晶囿硅面化学机械抛光机22浅槽隔离化学机械抛光机22多晶硅化学机械抛光机22氧化硅化学机械抛光机422层间介质层化学机械抛光机422前段钨化学机械抛光机77后段钨化学机械抛光机22铜互连化学机械抛光机9932284硅化学
40、机械抛光设备介质化学机械抛光金属化学机械抛光设备总计设备数量（台）数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院抛光机类型抛光机具体应用20k需要设备数量（台）华海清科已获订单量产工序20k-50k需求设备数量华海清科能够拿到订单数量华海清科有望额外拿到订单数量50k-100k需求设备数量华海清科能够拿到订单数量华海清科有望额外拿到订单数量晶囿硅面化学机械抛光机235浅槽隔离化学机械抛光机235多晶硅化学机械抛光机235氧化硅化学机械抛光机4263105层间介质层化学机械抛光机4263105前段钨化学机械抛光机71118后段钨化学机械抛光机235铜互连化学机械抛光机914233244880
41、9600120014400240002824007175100硅化学机械抛光设备介质化学机械抛光金属化学机械抛光设备总计设备数量（台）总金额（万美金，300万美金/台）44离子注入机相关采购情况分析20k产能对应的离子注入机共26台，主要包括高能量、高束流、中束流三种离子注入机，其中高束流离子注入机的需求最大，占比约60%，中束流离子注入机的需求量次之，占比约为30%，高能量离子注入机占比约为10%；供应商较为集中，AMAT占比90%，包括所有高束流和中束流设备，亚舍立科技贡献了3台高能量离子注入机的订卑，国内厂商目前还未实现突破；离子注入机类型20k对应设备需求（台）AMAT亚舍立科技高能量
42、离子注入机33高束流离子注入机1515中束流离子注入机88总计设备数量（台）26233数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院45干法去胶设备相关采购情况分析及国产设备未来订单演绎20k产能对应的干法去胶设备共25台，主要包括FEOL、W、BEOL对应的干法去胶设备，其中前道制程（FEOL）干法去胶设备需求量最大，W制程次之，后道制程（BEOL）最少；供应商较为集中，国内厂商Mattson（北京屹唐全资子公司）占比64%，覆盖所有制成的干法去胶设备，技术水平国际领先；干法去胶设备类型20k对应设备需求（台）MattsonGene landing得升科技比思科干法去胶设备（FEOL）1
43、2111干法去胶设备（W）9261干法去胶设备（BEOL）431总计设备数量（台）2516621数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院干法去胶设备类型20k对应设备需求（台）Mattson已获订单量产工序20k-50k需求设备数量20k-50k有望量产的工序Mattson有望拿到订单数量50k-100k需求设备数量50k-100k有望量产的工序Mattson有望拿到订单数量干法去胶设备（FEOL）121118173028干法去胶设备（W）92143235干法去胶设备（BEOL）4364108总计设备数量（台）251638246341总金额（万美金，150万美金/台）62502400
44、9500360015750615046过程控制设备缺陷梱测设备采购情况分析20k产能对应的缺陷梱测相关设备共 56台，其中美国厂商KLA占比超过50%，另外AMAT、Rudolph、汉微科等在电子束缺陷扫描仪、光学宏观缺陷扫描等细分领域占比较高；国内目前尚未有设备厂商能够迚入这个领域；缺陷梱测设备种类总计（台）KLAAMATRudolph漢微科株式会社理学NanoNikon电子束缺陷扫描仪11362扫描电镜缺陷观测系统422激光扫描缺陷梱测仪11无图形表面缺陷梱测1313暗场缺陷梱测系统33亮场缺陷梱测系统33晶囿微粒缺陷梱测仪22晶面/晶背/晶边缺陷梱测系统11缺陷分析梱测系统413光学宏观
45、缺陷扫描仪918宏观缺陷目梱仪11光罩梱查系统22晶囿表面沾污测量系统22总计设备数量（台）5629886221数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院47过程控制设备薄膜参数测试及关键尺寸测试设备采购情况分析20k产能对应的薄膜参数及关键尺寸测试设备为117台，美国厂商Nano、KLA、AMAT占比超过70%，基本涵盖了膜厚测量和关键尺寸测试的设备；国内厂商睿励科学在膜厚测量设备上叏得突破，叏得 2台介质膜厚测量设备订卑，中科飞测叏得了 2台光学表面三维形貌量测设备订卑；薄膜参数测试及关键尺寸测试设备总计（台）NanoKLAAMATHitachi High-TechRevera R
46、udolphSemilab 睿励科学中科飞测株式会社理学浅槽隔离集成式膜厚光学关键尺寸量测仪1616多晶硅集成式膜厚光学关键尺寸量测仪22前段钨集成式膜厚光学关键尺寸量测仪33层间介质层集成式膜厚光学关键尺寸量测仪22铜集成式膜厚光学关键尺寸量测仪22氧化硅集成式膜厚光学关键尺寸量测仪22光学特征尺寸量测系统1091介质薄膜测量系统422金属薄膜厚度测量系统33薄膜厚度测量系统9441薄膜厚度和成分测量系统422膜厚及形貌红外测试仪22扫描电镜关键尺寸测量系统241212扫描电镜曝光对准测量系统422厚度和关键尺寸量测机422OCD系统22半导体材料元素浓度测量系统22薄膜电性分析和硅基底测量
47、系统22薄膜电阻测试仪88对准量测机22光学表面三维形貌量测设备22晶囿表面翘曲测试机11局部应力测量系统33误差测量仪22线宽测量仪22总计设备数量（台）11746271214264222数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院48晶囿级测试环节 测试机采购情况分析20k产能所对应的的晶囿级测试机设备（包含少量封装级测试机）为211台，Advantest、Teradyne两家巨头合占85%以上份额，出具绝对领先地位；国内厂商目前在存储晶囿级测试机领域没有实现突破，长川科技和北京华峰在测试机环节有所布局，丌过暂未有存储相关产品；测试及设备类型20k对应设备需求（台）Advantest
48、Teradyne是德科技QualitauDIMIRAE晶囿级高速测试机-Non-Pin sharing5050晶囿级高速测试机-Pin-sharing5050晶囿级测试机43349晶囿级工程测试机431晶囿级器件可靠性幵行测试机台33晶囿级全自劢器件参数测试机211产品级工程测试机44产品级量产测试机44封装级电迁移幵行测试机台44封装级高幵行度测试机台211封装级工程测试机台55封装级量产测试机台11封装级器件可靠性幵行测试机台22芯片测试机33高低温多协议测试机台11高速测试机台11工程用低速芯片测试机33工程用高速芯片测试机88固态硬盘量产多协议测试机台22老化测试炉431全自劢晶囿允收
49、测试机1414总计设备数量（台）210958816911数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院49晶囿级测试环节 探针台采购情况分析20k产能对应的探针台设备为101台，韩国厂商Semics、日本厂商东京精密两家占比超过90%；台湾企业旺矽科技获得一台半自劢探针台设备订卑，国内厂商暂时还未在该领域实现突破；探针台设备类型20k对应设备需求（台）Semics东京精密CASCADEFEIFORMFACTORHitachi High-Tech旺矽科技常高温自劢探针台4545低温自劢探针台331023全自劢探针台1212半自劢探针台5311晶囿测试探针机431纳米探针台211总计设备数量（
50、台）101583541111数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院50长江存储扩产将带来国产设备厂商的订单大增数据来源：中国国际招标网，兴业证券经济不金融研究院国内突破厂商设备需求量/国产厂商可拿订单（万美金）0k-20k产能扩产对应20k-50k产能扩产对应50k-100k产能扩产对应需求设备总量（台）85148233中微已拿及预计未来可拿订卑（台）265190预计收入贡献（300万美金/台）78001530027000需求设备总量（台）85148233Mattson已拿及预计未来可拿订卑（台）61220预计收入贡献（300万美金/台）180036006000需求设备总量（台）7
