1、课程名称：芯片知识介绍课程版本号：课程编制：课程讲解：培训对象：产线基层员工,晶片基本知识介绍,目 录,晶片发光颜色及材质分布,晶片分类,四元晶片结构,蓝光晶片结构,蓝光ITO晶片的差别,金屬接觸層,60%,90%,ITO,ITO相对普通晶片亮度提升30以上！,晶片制程简介,总流程（以蓝光例）,1.磊晶片透过不同磊晶成长法，制造 族化合物半导体，如：磷化镓（GaP）、砷化镓（GaAs）、磷砷化镓(AsGaP)、砷化铝镓（AlGaAs）、磷化铝铟镓（AlGaInP）、氮化铟镓（GaInN）等磊片。2.晶片的组成原物料：主要为及族化学元素：磷（P）、镓（Ga）、砷（As）、铝（Al）等。如：黄绿色
2、光：磷化镓（GaP）；红 光：砷化铝镓（AlGaAs）、磷砷化镓（AsGaP）；黄 光：磷化铝铟镓（AlGaInP）；蓝 光：氮化铟镓（GaInN）。3.所有晶片及PAD尺寸标注单位均为mil。如：10mil0.250mm；11mil0.280mm；12mil0.300mm；8mil0.203mm；,LED发光原理,电流与电压关系,电流与波长的关系,温度与波长的关系,温度与光强的关系,温度与电压的关系,晶片的正确使用及影响因素,1.晶片的正确使用：固好晶片的材料原则上要求室内湿度在40以下。晶片扩张温度设定：自动片蓝膜：4010；手动片白膜：4010 扩张越开，背胶胶量好管控，不易造成银胶过高
3、IR，间隔以1.86 mm为 佳。银胶量为晶片高度的2/5最佳，(1/41/2晶片高度)。2.Bonding 焊接位置及压力对晶片电性均会有影响。B/D压力重易打损晶片造成晶片内崩，另接电面积小，第一焊点位置打 偏也会影响IR。故要求每换不同型号的晶片，焊线均需调整距离（钢嘴到第一焊点的距离）及压力。3.检测条件：电流设定：20mA；电压（VFV）设定根据不同晶片规格设定：E：2.0；G：2.1；Y：2.1；H：2.1；SR/SRD/LR/UR：1.8；LY/UY：2.1。,晶片的正确使用及影响因素,影响晶片特性的主要因素：晶片自身不良：晶片切割不良，晶片PAD（接垫）不平整，晶片铝垫镀层不良
4、（有凹洞）。晶片材质不良：影响晶片VF值的主要因素在于晶片背金（晶片背面的金属附著是否够，检测方式可用TAPE贴粘晶片的背面，看底部的金属附著是否会脱落）。（背面金属附著）背金分布有全金、点金，分布不同其电流不同以至影响其VF。分析晶片首先将外形尺寸及铝垫大小进行测量，因不同大小的晶片制程工艺不同，然后分析所有材料（不同的方面：正面、侧面、上层、中层、下层所用材料均不同）。一般晶片除了底部不发光，其它五个侧面都能发光，主要靠表面发光，晶片PAD（接电）的大小（及第一焊点线球的大小）会影响晶片的发光。晶片PAD（接电）有加天线可以增进电流分布。,常用晶片参数,晶片定义,晶片定义,右图在1/1001/10duty时建议使用100mA电流，大于1/10duty时，使用电流下降，到直流时建议使用30mA电流！,同电流情况下，温度对产品VF的影响。当温度升高，原子震动更加剧烈，“势垒区”变窄。同电流情况下，电子更容易通过“势垒区”与空穴结合发光，所以VF值相对室温要低，温度越高，原子震动越剧烈，产品VF值越低,产品当温度升高光强会降低，因为温度升高VF降低，导致产品功率也降低，功率降低意味着光强降低,温度和使用电流关系图假设LED的热阻为Rth【/W】点亮时消耗功率为P【W】此时结合部之温度上升TRth【/W】P【W】当周围温度为Ta结合部温度TjTTa,附录产业名词汇总,
