1、GB/T11446.10-2013前言GB/T11446预计结构如下：GB/T11446.1电子级水：GB/T11446.2(待定)：GB/T11446.3电子级水测试方法通则：GB/T11446.4电子级水电阻率的测试方法：GB/T11446.5电子级水中痕量金属的原子吸收分光光度测试方法：GB/T11446.6电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法：GB/T11446.7电子级水中痕量阴离子的离子色谱测试方法：GB/T11446.8电子级水中总有机碳的测试方法；GB/T11446.9电子级水中微粒的仪器测试方法；一GB/T11446.10电子级水中细菌总数的滤膜培养测试方法。本部分为GB/T
2、11446的第10部分。本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本部分代替GB/T11446.10一1997电子级水中细菌总数的滤膜培养测试方法。本部分与GB/T11446.10一1997相比，主要有下列变化：“3术语和定义”中去掉了“无菌操作”定义，增加了“细菌总数”和“培养基”定义（见第3章）：一增加了“5干扰因素”（见第5章）：删除了“10注意事项”（见1997年版的第10章）。本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出本部分由中国电子技术标准化研究院归口。本部分起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国科学院半导体研究所、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第四十六研究所。本部分主要起草人：王奕、褚连青、何秀坤、段曙光、提刘旺、刘筠。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：-GB/T11446.10-1989、GB/T11446.10-1997.
