1、“十三五”科学技术专著丛书功率半导体异质耐压层电荷场优化技术吴丽娟著北京邮电大学出版社前言功率 MOS(Metal Oxide Semicorductor,金属氧化物半导体)器件因输入阻抗高、导通电阻正温度系数大、开关频率高、安全工作区较宽等诸多优点而得以广泛应用。但是，功率MOS器件在高压、大功率应用时，其比导通电阻(Specific on-Resistance)R与击穿电压(Breakdown Voltage,BV)存在“硅极限”关系（即 RBV6),比导通电阻随击穿电压呈指数增加。击穿电压和比导通电阻的矛盾关系成为目前的一个研究热点。本书从功率半导体器件的概念出发，提出了功率半导体异质耐
2、压层电荷场优化方法，从概念、模型、结构到工艺逐条进行分析，很好地解决了在异质耐压层中击穿电压和比导通电阻的矛盾问题。本书可作为高等院校电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子学等专业相关课程的教学参考书。本书共5章：第1章首先介绍了功率半导体器件，然后在此基础上介绍横向功率器件耐压层、耐压层的作用基础与分析方法、耐压层的特殊性；第2章主要介绍异质耐压层分类和工作机理；第3章分析ENDIF耐压层电荷场优化方法，是全书的核心研究成果；第4章分析VFP耐压层电荷场优化方法；第5章分析HK耐压层极化电荷场优化方法；第6章分析CCLSJ耐压层电荷场优化方法；第7章分析GC耐压层电荷场优化方法。本书
3、涉及的部分实验是著者就读电子科技大学时在张波老师以及团队老师的支持和帮助下完成的。在本书的撰写过程中，研究生章中杰、杨航、宋月、胡利民、袁娜、雷冰、张银艳、吴怡清、朱琳、黄也参与了本书部分内容的修改、搜集资料和图文校对过程，并且，长沙理工大学的柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室提供了技术支持，在此一并表示感谢！著者在编著本书的过程中，参考了大量的相关教材和文献资料，并选用了其中的一些研究成果和图表数据，这些参考文献不在书后一一列举，而统一列于每章的最后。本书获得国家自然科学基金资助项目(No.61306094)、湖南省教育厅基金资助项目(No.15C0034)、长沙理工大学基金项目(No.1198023)、长沙理工大学教学改革研究项目(No.JG1666)和长沙理工大学出版资助。功率半导体器件理论和技术在不断发展，而著者水平有限，本书难免存在不足之处。热诚欢迎读者对本书赐予宝贵意见，在此不胜感谢！著者
