1、GB/T4937.18-2018/1EC60749-18:2002半导体器件机械和气候试验方法第18部分：电离辐射（总剂量）1范围GB/T4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行0C0Y射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量常电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事成空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。2术语和定义下列术语和定义适用于本文件。2.1电
2、离辐射效应ionizing radiation effects由辐射感生电荷引起分立器件或集成电路电参数的变化。注：也称为总剂量效应，2.2辐照中测试in-flux test幅照期间对器件进行的电测试。2.3非辐照中测试non in-flux test除福照期间以外的任何时间对器件进行的电测试。2.4移地测试remote tests将器件从福照位置移开后对器件进行的电测试。2.5时变效应time-dependent effects幅照后，由于福射感生陷所电荷的产生或（和）退火引起器件电参数的显著退化。注：辐照期间器件也会发生类似效应，2.6加速退火试验accelerated annealing test利用提高温度来加速时变效应的方法。3试验设备设备应包括辐射源，电参数测试装置、试验电路板、电缆、接线板或开关系统、合适的剂量测定系统
