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碳化硅单晶位错密度的测试方法 GBT 41765-2022.pdf

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碳化硅单晶位错密度的测试方法 GBT 41765-2022.pdf

Gb/T41765-20229.2选择视场面积将测试样品(8.3)置于光学显微镜的载物台上，选择放大倍数为100倍，扫描样品表面，估算位错密度N。根据估算的位错密度N选择视场面积，具体如下：)N.5000cm-2,选用视场面积S0.01cm2;b)5000cm-210000cm-2,选用视场面积S0.001cm2。若使用位错自动测试仪观测，则在相同放大倍数的情况下，允许视场面积适当减小，但应不小于上述视场面积的70%。9.3选择测试点9.3.1人工识别测试方法采用光学显微镜或带数字相机的显微镜人工识别位错类型时，不同直径碳化硅单品位错测试点的位置分布如图1所示，具体测试点位置及数量应符合表1的规定，并在选定圆周上均匀取点。表1不同直径碳化硅单晶位错测试点的位置及数量不同直径碳化硅单品位错测试点数量测试点位置50.8mm76.2mm100mm150mm200mm中心点1111半径10mm圆周8一半径15mm圆周8半径20mm圆周16888半径30mm圆周一16-半径40mm圆周161616半径60mm圆周16分半径80mm因周一一16总计25252541573