1、GB/T32281-20158试样8.1取样因为SMS分析实际上是破坏性试验，所以应进行取样，且被抽取样品能够评价该组硅片的性质。本标准不包含统一的抽样方法这部分，因为大多数合适的取样计划根据每批样品的情况不同而有区别，见GB/T2828.1或由供需双方协商确定。为了便于仲栽，取样计划应在测试之前得到测试双方的认可。8.2样品要求8.2.1标准样品或标准物质应是区熔硅晶片，氧、碳、硼、磷注入剂量约为110a1oms/cm2,能量约为100keV,得到硅中的注人元素体含量低于1101”atoms/cm3。8.2.2氧、硼和磷元素的测试校准可溯源至NIST标准物质：SRM2551,SRM2137和
2、SRM2133,或是可溯源原到NST的二级标准物质。碳测试的校准可完全使用碳注入硅片作为标准样品。8.23样品应切割成适于分析的尺寸并在必要时去油和清洗，样品的分析面应经过机械抛光，使其平坦光滑。9测试程序9.1将母个样品切割成小块以适合放入SMS样品架内。在正常分析实验条件下处理样品，周围环境不做特殊要求，9.2按下列步骤抛光样品：a)使用100m抛光垫进行粗抛：b)使用30m抛光垫进行精抛：c)使用6m的抛光垫进行二次精抛：d)使用1m的抛光垫和0.05m的硅抛光液对样品进行终抛。9.3将样品装入SMS样品架，并检查确认样品是否平坦地放在窗口背面，并尽可能地多覆盖窗口。一次装战的样品包括标
3、准样品和一个或多个测试样品。9.4在空气气氛，温度为100士10的条件下烘烤样品架至少1h。9.5按照仪器说明书开启仪器。9.6如果需要使用冷却装置，将液氮或液氦装人冷阱。9.7用铯一次离子束轰击标准样品表面，检测6O、C、BSi、1P负离子值及分析过程中或测试结束时基体负离子2S值。测试完所有样品后，使用探针轮廓仪测量SMS分析溅射坑的深度。9.8移动样品架，使样品上的溅射坑形成在窗口的中心位置附近。不检测二次离子强度，开始SMS剖析。9.9对每个样品重复9.8操作。9.10为分析样品，选择两个光栅条件，一个使溅射速率最大，另一个提供相对偏低的溅射速率。选择孔径或其他方式来保证改变光栅时分析区域不变，使电子倍增器上负离子计数率低于110 counts/s。9.11在太阳能级硅片和硅料中，同位素B/B的比率可能不是天然丰度。在使用SMS分析前，确认并记录原子量为38的1B2S与原子量为39的BS的负离子比率。1“B/B天然丰度比为0.25。硼总含量一般可由B注入标准物质得到的RSF乘以1.25来确定。当测试材料中B/B比率不是天然丰度时，硼总含量可由B注人标准物质得到的RSF乘以(1十x)来计算，此处x为测试材料得到的3
