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砷化镓单晶 GBT 20228-2021.pdf

1、GB/T20228-2021商确定并在订货单中注明。表3位错密度位错密度等级及要求直径cm-zmmN50.81X10231025102110376.21102310251023103100.0110310251025103150.03X10251025101210200.05X1033X1031X105X106试验方法6.1外形尺寸砷化稼单品的直径用分度值为0.02mm的游标卡尺测量。6.2表面质量砷化镓单品的表面质量目视检查。6.3参考面或切口砷化稼单品的参考面、切口取向按GB/T13388规定的方法测试,参考面、切口尺寸用相应精度的量具测量。如有其他要求由供需双方协商确定。6.4晶向及晶向

2、偏离度砷化镓单品的品向及品向偏离度按GB/T1555规定的方法测试。6.5电学性能6.5.1n型、p型砷化傢单晶的导电类型,载流子浓度,电阻率按GB/T4326的规定进行测定。6.5.2SI型砷化镓单品的导电类型、霍尔迁移率、电阻率按SJ/T11488的规定进行测定。6.5.3截面电阻率不均匀性根据电阻率测试结果按公式(1)、公式(2)进行计算,电阻率测试点在砷化镓单品截面沿直径方向均匀取5点,即中心取1点,左右各取2点,如图1所示。砷化镓单品平均电阻率按公式(1)计算:(1)1=1式中:p一平均电阻常,单位为欧姆厘米(Qcm):P,一第i个测量点电阻率,单位为欧姆厘米(Qcm):i一测试点数目,i=15。截面电阻率不均匀性按公式(2)计算:

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