1、GB/T11094-2007水平法砷化镓单晶及切割片1范围本标准规定了水平法砷化稼单品、单品锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。本标准适用于水平法砷化稼单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1555半导体单晶品向测定方法GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQ
2、L)检索的逐批检验抽样计划GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T8760砷化镓单品位错密度的测量方法GB/T14264半导体材料术语GB1927砷化镓单品材料测试方法3术语、定义GB/T14264确立的以及下列术语和标准适用于本标准。3.1水平法horizontal bridgman grown本标准中特指水平布里奇曼法，简写为：HB。3.2单品single crystal本标准中出现的单晶专指水平布里奇曼法砷化稼单晶。3.3晶锭ingot本标准中出现的品锭专指水平布里奇曼法砷化稼单品品锭。3.4最片wafer本标准中出现的晶片专指水平布里奇曼法砷化稼单晶晶片。3
3、.5切割片cutting wafer本标准中出现的切制片专指水平法砷化撐单品切割片。3.6基准面base level为了检验晶锭而在单晶晶锭两端或一端切出的与切割片晶面一致的晶面，GB/T11094-20073.7基准参考面absolute reference level指为了在后续的切片中便于单品加工和在割圆作主、次参考面时参考的在单品品锭左右两侧或上下两侧切出的面。3.8割圆片cutting disc单晶加工中，将切割后的D形片割成一定直径的圆片，称之为割圆片。4要求4.1产品分类产品按导电类型分为型和p型：按电阻米分为低阻导电型和半绝缘型。4.2牌号4.2.1单品、单品锭和切割片的牌号表
4、示如下，各部分中，不影响产品识别的部分可省路：HBGaAs-加CW表示切割片，不加表示是单晶或单品锭：用元素符号表示掺杂剂，有两个以上摻杂剂中间用十相连，如无特意摻杂剂时则用“纯”表示不掺杂；用HBGaAs表示水平法砷化傢。示例1：HBGaAs-Si表示用水平法生长的橡硅碑化够单品（或单晶晶锭）：示例2：HBGaAs-Cr十O表示用水平法生长的搀铬和氧的碑化镓单品（或单品品锭）：示例3：HBGaAs-Si-CW表示用水平法生长的掺硅砷化镓单品切别片。4.3单品4.3.1生长方向水平法碑化镓单晶以近B方向或(110)品带上由B向最远的方向偏转020生长单品。偏转角度最终由采用的生产工艺参数决定。其他方向由供需双方商定。4.3.2载流子浓度、迁移率、掺杂剂低阻导电型单品的导电类型、摻杂剂、载流子浓度和迁移率见表1；半绝缘单晶摻杂剂、电阻率应符合表2的规定。表1我流子浓度范围/迁移率范围/导电类型摻杂剂cm-acm2/(Vs)Si8X1065X10w1100Te8X1015101W1500-5X10H510一Zn41051050表2电阻率/掺杂剂(.em)Cr或Cr+O1101100