1、2022 年年度报告 1/242 公司代码：688261 公司简称：东微半导 苏州东微半导体股份有限公司苏州东微半导体股份有限公司 2022 年年度报告年年度报告 2022 年年度报告 2/242 重要提示重要提示 一、一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性性、准确、准确性性、完整完整性性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利公司上市时未盈利且尚未实现盈利
2、是 否 三、三、重大风险提示重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。四、四、公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议。董事会会议。五、五、天健会计师事务所（特殊普通合伙）天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了为本公司出具了标准无保留意见标准无保留意见的审计报告。的审计报告。六、六、公司负责人公司负责人龚轶龚轶、主管会计工作负责人、主管会计工作负责人谢长勇谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇谢长勇声声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。明：保证年
3、度报告中财务报告的真实、准确、完整。七、七、董事会董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2022年度利润分配预案为：1、公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，拟向全体股东每10股派发现金红利14.76元（含税）。截至2022年12月31日，公司总股本67,376,367股，以此计算合计拟派发现金红利99,447,517.69元（含税），本年度公司现金分红金额占2022年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的比例为34.97%。2、公司拟以资本公积向全体股东每10股转增4股。截至2022年12月31日，公司总股
4、本67,376,367股，以此计算合计转增26,950,547股，转增后公司总股本增加至94,326,914股（本次转增股数系公司根据实际计算四舍五入所得，具体公司总股本数以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司最终登记结果为准，如有尾差，系取整所致）。如在公司2022年年度利润分配预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间公司总股本发生变动的，公司拟维持分配和转增总额不变，相应调整每股分配和转增比例，并将另行公告具体调整情况。以上利润分配预案已经公司第一届董事会第十六次会议审议通过，尚需公司2022年年度股东大会审议通过。2022 年年度报告 3/242 八、八、是否是否存在存在公司治理特殊
5、安排等重要事项公司治理特殊安排等重要事项 适用 不适用 九、九、前瞻性陈述的风险声明前瞻性陈述的风险声明 适用 不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。十、十、是否存在被控股股东及其是否存在被控股股东及其他他关联方非经营性占用资金情况关联方非经营性占用资金情况 否 十一、十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、十二、是否存在半数是否存在半数以上以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、
6、十三、其他其他 适用 不适用 2022 年年度报告 4/242 目录目录 第一节 释义.5 第二节 公司简介和主要财务指标.8 第三节 管理层讨论与分析.13 第四节 公司治理.65 第五节 环境、社会责任和其他公司治理.81 第六节 重要事项.87 第七节 股份变动及股东情况.123 第八节 优先股相关情况.135 第九节 债券相关情况.136 第十节 财务报告.137 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公
7、告的原稿 2022 年年度报告 5/242 第一节第一节 释义释义 一、一、释义释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：常用词语释义 公司、本公司、股份公司、东微半导、东微 指 苏州东微半导体股份有限公司，根据上下文，还包括其子和/或分公司 苏州高维 指 苏州工业园区高维企业管理合伙企业（有限合伙）得数聚才 指 苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业（有限合伙）原点创投 指 苏州工业园区原点创业投资有限公司 中新创投 指 中新苏州工业园区创业投资有限公司 聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙）哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司，曾用名“哈勃科技
8、投资有限公司”中小企业发展基金 指 深圳国中中小企业发展私募股权投资基金合伙企业（有限合伙），曾用名“中小企业发展基金（深圳有限合伙）”智禹博信 指 苏州工业园区智禹博信投资合伙企业（有限合伙）智禹淼森 指 苏州智禹淼森半导体产业投资合伙企业（有限合伙）智禹博弘 指 苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业（有限合伙）智禹东微 指 苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业（有限合伙）智禹嘉通 指 苏州智禹嘉通创业投资合伙企业（有限合伙）天蝉投资 指 苏州天蝉智造股权投资合伙企业（有限合伙）丰熠投资 指 宁波丰熠企业管理有限公司，曾用名“上海丰熠投资管理有限公司”丰辉投资 指 宁波丰辉投资管理合伙企业（有限
9、合伙）国策投资 指 上海国策科技制造股权投资基金合伙企业（有限合伙），曾用名“上海国和人工智能股权投资基金合伙企业（有限合伙）”上海烨旻 指 上海烨旻企业管理中心（有限合伙）NEP 指 青岛北方超能电气有限公司 亚美斯通 指 深圳市亚美斯通电子有限公司 英飞凌、英飞凌科技 指 Infineon Technologies AG 安森美 指 ON Semiconductor Corporation 意法半导体 指 STMicroelectronics N.V.瑞萨电子 指 Renesas Electronics Corporation 公司法 指 中华人民共和国公司法 证券法 指 中华人民共和国证
10、券法 企业会计准则 指 财政部于 2006 年 2 月 15 日颁布的企业会计准则及其应用指南和其他相关规定，以及相关规定、指南的不时之修订 报告期末 指 指 2022 年 12 月 31 日 公司章程 指 现行有效的苏州东微半导体股份有限公司章程及其修订和补充 股东大会 指 苏州东微半导体股份有限公司股东大会 董事会 指 苏州东微半导体股份有限公司董事会 监事会 指 苏州东微半导体股份有限公司监事会 半导体 指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种 分立器件 指 半导体分立器件，与集成电
11、路相对而言的，采用特殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无2022 年年度报告 6/242 法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等 半导体功率器件、功率半导体 指 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分 MOSFET、功率MOSFET 或 MOS 指 金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单
12、独作为分立器件使用以实现特定功能 Trench MOSFET、沟槽型功率 MOSFET 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损耗等特点 超级结功率 MOSFET产品、超结 MOS、超结MOSFET、Super Junction MOSFET 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点 屏蔽栅功率 MOSFET、屏 蔽 栅 沟 槽 型 功 率MOSFET、屏 蔽 栅MOSFET、屏蔽栅结构MOSFET、SGT、SGT MOSFET、分裂栅
13、器件 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入额外的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点 沟槽栅 VDMOS 指 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点 TGBT 指 Tri-gate IGBT，一种公司采用独立知识产权 Tri-gate 器件结构的创新型 IGBT 产品系列 Vth 指 Threshold Voltage，阈值电压 DC-DC 指 将一个固定的
14、直流电压变换为可变的直流电压，也称为直流斩波器 谐振拓扑 指 一种电源的架构，其具备效率高、输出纹波小、发热小、体积小、低 EMI、负载可调范围大，可以对输入/输出电压比在很宽的范围内进行调节等特点 功率模块 指 将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品 晶圆 指 经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封装测试可以形成半导体器件产品。每片 8 英寸晶圆包含数百颗至数万颗数量不等的单芯片 功率器件 指 已经封装好的 MOSFET、IGBT 等产品。晶圆制作完成后，
15、需要封装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统 IDM 指 指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、晶圆制造、封装测试到销售的垂直整合型公司 Fabless 指 半导体行业中流行的业务形态，指公司“没有制造业务、只专注于研发设计”的一种运作模式，也用来指未拥有芯片制造工厂的 IC 或功率器件设计公司 Foundry 指 半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家，其依据设计企2022 年年度报告 7/242 业提供的方案，提供晶圆代工服务 晶圆代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工
16、企业通过采购晶圆材料、光刻、刻蚀、离子注入等加工工艺制造出芯片 封装测试、封测 指 封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对元器件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求，整个过程被称为封装测试 碳化硅、SiC 指 碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高和击穿电场高等性质，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域 氮化镓、GaN 指 氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质 导通电阻 指 功率 MOSFET 开启时漏极和源极间的阻值。导通电阻数
17、值越小，MOSFET 工作时的功率损耗越小 饱和压降 指 在饱和区内，IGBT 集电极和发射极间电压 关闭损耗 Eoff 指 IGBT 关闭动作(switch-off)中，集电极电流 Ic 下降至接近于 0安培所消耗的能量 优值系数、FOM 指 器件的品质因子或系数，指导通电阻与栅极电荷 Qg 的乘积。栅极电荷 Qg 的大小可以表征器件的开关速度，栅极电荷 Qg越小，器件的开关速度越快。因此，FOM 值越低，表示器件同时具备低导通电阻和快速开关特性，器件损耗特性越好 LED 指 Lighting Emitting Diode，即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，利用固体半导体芯片作为发光材
18、料，在半导体中通过载流子复合产生光子 EMI 指 Electro-Magnetic Interference，即电磁干扰，是干扰电缆信号并降低信号完好性的电子噪音 栅极电荷、总栅极电荷、Qg 指 为导通或驱动 MOSFET 而注入到栅极电极的电荷量。数值越小，开关损耗越小，从而可实现高速开关 导通压降 指 器件开始导通时 MOSFET 源-漏极之间或者 IGBT 发射极-集电极之间的电压差 同步整流 指 用功率 MOSFET 做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步，以完成整流功能 锂电保护 指 对电芯的保护，使电芯工作在安全范围内，锂电保护监测电芯使用情况，在异常状态阻断电芯充
19、放电，防止电芯继续使用 逆变器 指 把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调频调压交流电（一般为 220V,50Hz 正弦波）的转换器，由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成 Omdia 指 一家以研究科技、媒体和电信业务为核心的全球性调查公司 Yole 指 Yole D veloppement SA，一家法国市场研究与战略咨询公司，专注于功率半导体与 MEMS 传感器等领域 WSTS 指 世界半导体贸易统计组织 注：本年度报告中所列出的数据可能因四舍五入原因与根据本年度报告中所列示的相关单项数据计算得出的结果略有不同。2022 年年度报告 8/242 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简
20、介和主要财务指标 一、一、公司基本情况公司基本情况 公司的中文名称 苏州东微半导体股份有限公司 公司的中文简称 东微半导 公司的外文名称 Suzhou Oriental Semiconductor Company Limited 公司的外文名称缩写 Oriental Semi 公司的法定代表人 龚轶 公司注册地址 苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室 公司注册地址的历史变更情况 无 公司办公地址 苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层 公司办公地址的邮政编码 215121 公司网址 http:/ 二、二、联系人和联系方式联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境
21、内代表）姓名 李麟 联系地址 苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层 电话+86 512 62668198 传真+86 512 62534962 电子信箱 三、三、信息披露及备置地点信息披露及备置地点 公司披露年度报告的媒体名称及网址 上海证券报（）；中国证券报（）；证券时报 （）；证券日报 （）；经济参考报（）。公司披露年度报告的证券交易所网址 上海证券交易所（）公司年度报告备置地点 公司董事会办公室 四、四、公司股票公司股票/存托凭证简况存托凭证简况(一一)公司股票简况公司股票简况 适用 不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称
22、A股 上海证券交易所科创板 东微半导 688261 不适用 (二二)公司存托凭证简况公司存托凭证简况 适用 不适用 五、五、其他相关资料其他相关资料 公司聘请的会计师事务所（境内）名称 天健会计师事务所（特殊普通合伙）办公地址 浙江省杭州市江干区钱江路 1366 号华润大厦-B 座 签字会计师姓名 向晓三、朱珊珊 2022 年年度报告 9/242 报告期内履行持续督导职责的保荐机构 名称 中国国际金融股份有限公司 办公地址 北京市朝阳区建国门外大街 1 号国贸大厦 2 座 27 层及 28 层 签字的保荐代表人姓名 李扬、王竹亭 持续督导的期间 2022 年 2 月 10 日-2025 年 1
23、2 月 31 日 六、六、近三年主要会计数据和财务指标近三年主要会计数据和财务指标(一一)主要会计数据主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 2022年 2021年 本期比上年同期增减(%)2020年 营业收入 1,116,363,474.63 782,091,845.56 42.74 308,787,414.12 归属于上市公司股东的净利润 284,356,313.50 146,903,706.46 93.57 27,683,219.46 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 267,787,569.05 140,506,928.84 90.59 20,402,633.3
24、9 经营活动产生的现金流量净额 141,630,114.33 130,246,075.31 8.74-37,485,732.18 2022年末 2021年末 本期末比上年同期末增减（%）2020年末 归属于上市公司股东的净资产 2,834,503,758.31 565,793,694.48 400.98 418,897,956.11 总资产 2,926,426,354.36 628,572,810.01 365.57 437,640,219.48 (二二)主要财务指标主要财务指标 主要财务指标 2022年 2021年 本期比上年同期增减(%)2020年 基本每股收益（元股）4.31 2.91
25、48.11 0.60 稀释每股收益（元股）4.31 2.91 48.11 0.60 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元股）4.06 2.78 46.04 0.44 加权平均净资产收益率（%）11.22 29.84 减少18.62个百分点 12.66 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%）10.57 28.54 减少17.97个百分点 9.33 2022 年年度报告 10/242 研发投入占营业收入的比例（%）4.92 5.30 减少0.38个百分点 5.18 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 适用 不适用 1、2022 年度公司营业收入相较上年同期增长 42.74%，主
26、要系公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道，营业收入持续增加，充分受益于功率半导体结构性需求分化红利；并通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作关系，持续扩大产能。公司通过数字化手段不断提高运营效率，期间费用保持相对稳定。公司主营产品广泛应用于光伏逆变器、储能、新能源汽车直流充电桩、各类工业和通信电源、车载充电机以及消费类电子、适配器等领域。公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域结构性需求增长、技术迭代及产品组合结构进一步优化等因素影响。2、2022 年度归属于上市公司股东的净利润与归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别同比增长 9
27、3.57%、90.59%，主要系报告期内公司销售规模持续扩大和毛利率不断上涨所致，2022 年度公司毛利率较上年同期上涨 5.24 个百分点,毛利率持续上升主要系公司持续技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素所致。3、2022 年度归属于上市公司股东的净资产与总资产分别同比增长 400.98%、365.57%，主要系报告期内公司首次公开发行股票募集资金增加所致。4、2022 年度基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益分别同比增长 48.11%、48.11%、46.04%，主要系报告期内公司销售规模持续扩大，盈利能力不断提升，利润大幅增长所致。七、七、境内外会计准则下会
28、计数据差异境内外会计准则下会计数据差异(一一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况的净资产差异情况 适用 不适用 (二二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归归属于上市公司股东的属于上市公司股东的净资产差异情况净资产差异情况 适用 不适用 (三三)境内外会计准则差异的说明：境内外会计准则差异的说明：适用 不适用 八、八、2022 年分季度主要财务数据年分季度主要财务数据 单位
29、：元 币种：人民币 第一季度（1-3 月份）第二季度（4-6 月份）第三季度（7-9 月份）第四季度（10-12 月份）营业收入 205,662,518.28 260,605,908.83 323,822,718.87 326,272,328.65 归属于上市公司股东的净利润 47,743,304.24 69,036,135.21 83,252,582.83 84,324,291.22 2022 年年度报告 11/242 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润 47,099,413.06 63,451,383.95 79,855,530.10 77,381,241.94 经营活动产生的
30、现金流量净额-18,940,838.92 79,426,510.55 40,427,703.21 40,716,739.49 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 适用 不适用 九、九、非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额 适用 不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 2022 年金额 附注（如适用）2021 年金额 2020 年金额 非流动资产处置损益 99,804.42 8,614.35 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免 331,345.89 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补
31、助除外 11,782,026.90 7,940,913.24 6,206,504.81 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备 债务重组损益 企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等 交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外
32、，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 7,050,554.80 101,569.20 2,784,681.35 2022 年年度报告 12/242 单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回 对外委托贷款取得的损益 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响 -693,889.39 755,608.91 受托经营取得的托管费收入 除上述各项之外的其他
33、营业外收入和支出 234,645.89 46.91-226,279.10 其他符合非经常性损益定义的损益项目 35,594.24 个税手续返还 77,176.35 3,131.21 减：所得税影响额 2,865,423.27 1,128,843.11 2,251,675.46 少数股东权益影响额（税后）合计 16,568,744.45 6,396,777.62 7,280,586.07 对公司根据公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号非经常性损益定义界定的非经常性损益项目，以及把公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号非经常性损益中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应
34、说明原因。适用 不适用 十、十、采用公允价值计量的项目采用公允价值计量的项目 适用 不适用 单位：元 币种：人民币 项目名称 期初余额 期末余额 当期变动 对当期利润的影响金额 应收款项融资 3,759,520.10 14,434,052.14 10,674,532.04 交易性金融资产 140,089,178.09 140,089,178.09 89,178.09 合计 3,759,520.10 154,523,230.23 150,763,710.13 89,178.09 十一、十一、非企业会计准则业绩指标说明非企业会计准则业绩指标说明 适用 不适用 十二、十二、因国家秘密、因国家秘密、商
35、业商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 适用 不适用 根据上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号规范运作苏州东微半导体股份有限公司信息披露暂缓与豁免业务管理制度等有关规定，基于商业秘密保护的需求，公司对年度报告部分信息豁免披露并已履行相关程序。2022 年年度报告 13/242 第三节第三节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析 一、一、经营情况讨论与分析经营情况讨论与分析 2022 年，受到上一年度供需错配、“缺芯”涨价等多因素影响，功率半导体全行业终端应用市场结构性需求分化明显：以光伏逆变及储能、车载电子为代表的新能源领域需求持续高景气，而消费电
36、子需求仍未见改观。技术创新为企业创造出更加明显的边际价值贡献，助力其穿越半导体行业周期，进一步规避市场波动带来的经营稳定性风险。报告期内，公司市场均衡分布在光伏逆变及储能、新能源汽车、充电桩、数据中心服务器电源和工业照明电源等工业级与汽车级市场，减小对单一市场及单一产品的依赖性，始终坚持以技术创新为驱动，持续提升产品性能，提高供货能力，不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。公司持续加大研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，有效保障产能供给，持续进行前沿技术的合作。凭借在高性能功率器件领域优异的技
37、术实力、产品性能和一流的客户基础，紧抓国产替代的历史机遇，继续深耕以光伏逆变及储能、新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域，长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。公司独创器件结构的 Tri-gate IGBT 新型功率器件实现迅速放量并凭借优异的产品性能进入高性能储能、光伏逆变器、直流充电桩等高效率电能转换系统应用，在多个重点客户实现批量供货。报告期内，公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了超前布局，在 SiC 二极管、SiC MOSFET 及 Si2C MOSFET 器件上取得了较大的研发进
38、展，其中，Si2C MOSFET 实现少量出货，进入批量生产阶段。报告期内，公司实现营业收入 111,636.35 万元，较上年同期增长 42.74%；实现归属于上市公司股东的净利润 28,435.63 万元，较上年同期增长 93.57%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 26,778.76 万元，较上年同期增长 90.59%。同时，公司主营业务收入分产品系列实现情况如下：（1）公司高压超级结 MOSFET 产品全年实现营业收入 91,405.97 万元，较 2021年同期增长 60.77%；（2）公司中低压屏蔽栅 MOSFET 产品全年实现营业收入 15,564.69 万元；
39、（3）公司 Tri-gate IGBT 产品报告期内实现营业收入 4,461.27 万元,较 2021 年同期增长 685.21%；（4）公司超级硅 MOSFET 产品报告期内实现营业收入 204.29 万元；（5）报告期内，公司 SiC 器件（含 Si2C MOSFET）首次实现营业收入。2023 年，东微半导主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证，这将对公司主营产品销售增长提供持续推动力。（一）（一）产品规格、应用场景进一步丰富，终端客户群体持续拓展产品规格、应用场景进一步丰富，终端客户群体持续拓展 2022 年，公司大力发展光伏逆变、储能应用、UPS 方面的业务，并持续在工业电源、
40、新能源汽车车载充电机、直流充电桩、5G 通信和基站电源、工业照明、数据中心服务器电源等领域持续发力。1、Si 基器件（含超级硅基器件（含超级硅 MOSFET）业务进展）业务进展 2022 年年度报告 14/242 （1）MOSFET 持续扩大高压超级结 MOSFET 在光伏逆变、储能应用、UPS 领域的业务，成功替换 IGBT 并且明显提升系统效率，出货呈现迅速增加态势。报告期内，公司产品已批量出货给客户 A、昱能科技、禾迈股份、爱士惟等公司并应用于储能领域。作为高性能电源的核心器件，超级结 MOSFET在数据中心服务器电源领域的业务保持高速增长，公司高压超级结 MOSFET 及中低压屏蔽栅M
41、OSFET 持续批量出货给客户 A、维谛技术、中国长城等公司，并且持续增加规格设计。新能源汽车及直流充电桩领域是公司的重点拓展方向。公司高压超级结 MOSFET 及中低压SGT MOSFET 已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子等公司。多次获得了比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号。随着新能源汽车市场渗透率的迅速提升，充电桩模块市场即将迎来新一轮的迅速成长。公司与国内各主要的直流充电桩电源模块厂商均建立了广泛深入的合作关系，持续批量出货，保持在该市场主导地位。通信电源和基站电源是高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET的主要应用领域之一，也是公司的主要细分
42、市场之一。这个领域主要有客户 A、维谛技术、中兴通讯等行业头部客户。除此之外，公司还在其他工业领域有着广泛的市场客户群体，继续批量出货视源股份、航嘉Huntkey 等公司，并持续增加设计规格。批量出货给通用电气、明纬电子、崧盛股份、茂硕电源等客户。报告期内，公司新进入了 OPPO、安克创新等客户。公司超级硅 MOSFET 器件主要应用于高密度电源，批量进入中车株洲、航嘉驰源、Enphase Energy 等客户，开始进入禾迈股份、首航新能源、拓邦股份、金升阳等客户。（2）TGBT 2022年公司TGBT产品持续丰富规格，多款产品进入批量供货阶段，销售收入实现迅速增长，批量进入光伏逆变及储能、新
43、能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩模块等多个新能源领域的头部企业，获得客户一致认可，供不应求。公司 E 系列高速 TGBT 产品被批量应用于 60kHz频率电源系统，实现高速 IGBT 领域的国产替代。L 系列 TGBT 实现了极低的 Vcesat，对国外的超低 Vcesat IGBT 实现了替代。此外，公司 TGBT 产品在新能源汽车主驱应用领域亦进入认证阶段。公司研发的基于 TGBT 技术的高速大电流功率器件 600/650V Hybrid-FET 开发成功，出货量迅速增加，其高性能得到了市场的认可。公司积极进行 TGBT 产品技术迭代，持续优化产品性能并加大市场推广力度，在手订单充
44、足，供不应求。2、SiC 器件（含器件（含 Si2C MOSFET）业务进展）业务进展 公司积极布局基于第三代功率半导体 SiC 材料的功率器件领域。报告期内，公司开发出 SiC二极管，并发明具有自主知识产权的 Si2C MOSFET。其中，Si2C MOSFET 已通过客户的验证并开始小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 的替代，市场前景广阔。2022 年年度报告 15/242 为应对未来更加复杂的市场变化，东微半导积极开拓海外市场。目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动
45、工具、车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。除欧洲市场之外，公司开始开拓北美及东南亚市场，致力于发展全球客户。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值。（二）持续加大研发投入，保证公司产品性能国内领先（二）持续加大研发投入，保证公司产品性能国内领先 报告期内，公司积极推进主营产品高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 及 TGBT产品平台的技术迭代升级，优化 8 英寸与 12 英寸芯片代工平台的产品布局，取得较好成效。进一步加大第三代半导体、第四代半导体
46、材料等前瞻性研发投入，取得突破性进展。截至报告期末，公司共计拥有产品规格型号 2,196 余款，包括高压超级结 MOSFET 产品（包括超级硅 MOSFET）1,220 款，中低压屏蔽栅 MOSFET 产品 816 款，TGBT 产品 160 款及多款 SiC 器件（含 Si2C MOSFET）。公司高度重视技术团队的建设，报告期内进一步扩充研发团队。截至 2022 年 12 月31 日，公司研发部共拥有 54 名研发人员，合计占员工总数比例为 49.09%。在研发投入方面，报告期内，公司的研发费用投入为 5,492.73 万元，同比增长 32.57%。高效的研发团队与持续的研发投入使得公司成
47、为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。综上，2022 年度公司主营产品技术迭代升级有序进行，新产品开发稳步推进。报告期内研发经费、研发人员数量、专利数量、新品开发数量快速增加。同时，公司的研发管理体系与质量体系进一步健全，报告期内多个数字化系统上线，研发效率持续提升。（三）持续稳定供应商关系，保证产能供给（三）持续稳定供应商关系，保证产能供给 报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及 DB Hitek 等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系，保障公司的新产品研发有序推进以及供应产能稳步增长。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深
48、度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。（四）（四）参与参与投资设立产业基金，提升产业链协同投资设立产业基金，提升产业链协同 报告期内，为更好地实施公司战略规划，东微半导对外投资设立产业基金：苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙），该基金总募集规模不超过人民币 10,000 万元，首期募集规模为 7,100 万元，主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资。本次对外投资有利于提升产业链协同效应，实现协同发展，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。二、二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明报告期内公
49、司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明(一一)主要业务、主要产品或服务情况主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务、主要业务 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦2022 年年度报告 16/242 新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结 MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的 650V、1200V 及 1350V 等电压平
50、台的多种 TGBT 器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。此外，公司基于自主专利技术开发出的 Si2C MOSFET 器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，已通过多个客户验证并进入批量状态，可以用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。2、主要产品、主要产品 公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS 系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET、TGBT 系列 IGBT 产品以及 SiC 器件（含 Si2C MOSFET）。公司的产品广泛应