1、GA1091-20133.4TypeB芯片TypeB integrated circuits采用IS()/IEC14443-2:2010中定义的Type B通信协议T作的芯片。4符号和缩略语下列符号和缩略语适用于本文件。Ha:卡体短边位移Hs:卡体长边位移RF:射频(Radio Frequency)a:卡体扭转角度5一般要求5.1依据评测目标选择本文件规定的试验项目。5.2样品提供方应向评测机构提供样品通信的传输协议。5.3本文件所述样品或样品卡读写功能测试是指：先向样品或样品卡中写入数据，然后读取数据，若读出数据与写入数据一致，视为样品或样品卡读写功能正常：题，视为样品或样品卡读写功能异常。
2、5.4对样品测试时，应先将样品连接在与其匹配的天线线图上，然后使用射频读卡器进行测试：对样品卡测试时，直接使用射频读卡器进行测试。5.5样品或样品卡读写则试失效不应包含天线效、样品卡的卡体失效。6试验项目6.1交变磁场6.1.1目的确定交变磁场对样品读写功能的影响。6.1.2试验要求试验要求为：a)将样品封装成样品卡：b)频率：13.56MHz:c)磁场强度：平均10A/m(rms),最大不超过12A/m(rms)d)暴露时间：30s。6.1.3试验方法按照IS()/IEC14443-1:2008中4.4的要求执行后对样品卡进行读写功能测试。6.1.4失效判据样品卡读写功能异常视为样品失效。2
3、GA1091-20136.2.1目的确定静电对样品读写功能的影响。6.2.2试验要求试验要求为：a)电压等级：不小于3000V:b)放电方式：1)端子1对端子2进行放电；2)端子2对端子1进行放电；3)端子1对“底”进行放电：4)端子2对“底”进行放电：5)“底”对端子1进行放电：6)“底”对端子2进行放电。c)放电次数及间丽：每种方式放电3次，间隔1s以上。6.2.3试验方法按照GJB548B一2005中方法3015中3.1一3.3的要求，行后对样品进行读写功能测试。6.2.4失效判据样品读写功能异常视为失效。6.3变化场强6.3.1目的确定场强变化对样品读写功能的影响。6.3.2试验要求试验要求为：a)将样品封装成样品卡：b)按照IS)/1EC14443-2:2010中6.2规定，产生场强值分别为1.5A/m、3.5A/m、5.5A/m、7.5A/m的RFT作场：c)按照ISO/IEC14443-2:2010中8.1和9.1规定分别产生TypeA芯片和TypeB芯片通信信号调制波形。6.3.3试验方法在每个试验点上对样品卡进行读写功能测试（见表1和表2）。
