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2023年材料计算实验报告.doc

1、材料计算实验报告 学生实验实习报告册 学年学期: 2023-2023学年o春o秋学期 课程名称: 课程设计小型软件系统 学生学院: 理学院 专业班级: 11921701 学生学号: 2023213260 学生姓名: 联系 : 指导教师: 总评成绩: xx邮电大学教务处制 课程设计小型软件系统要求 通过本课程设计,了解当代计算材料学之材料设计和计算及模拟的理论根底、开展历程。初步掌握LINUX系统的根本操作、脚本编写。熟悉常用的材料计算软件的使用,并能够通过模拟计算,获得常见的简单晶体结构的几何和电子性质。具体要求: 1. 通过前期的课程学习和网络调研,了解第一性原理计算的理论根底; 2. 通过

2、课程学习和实践操作,初步掌握LINUX系统的根本操作; 3. 学会根据实验测试数据如XRD、TEM等,利用FINDIT软件获得材料体系的晶体结构; 4. 学会利用VESTA、MATERIALSSTUDIO、UEDIT等软件对晶体结构进行查看、结构调节,最终准确获得初始计算模型; 5. 学会利用VIENNAAB-INITIOSIMULATIONPACKAGE简称VASP软件,获得晶体结构稳定构型、电荷密度分布、电子态密度、能带结构、声子谱、结合能等; 6. 学会利用P4VASP、ORIGIN等软件进行数据转换和作图; 7. 能够利用所学的量子力学、固体物理、半导体物理学知识,分析晶体结构、电荷密

3、度分布、电子态密度以及能带结构。 实验名称 系统建模与仿真实验 课程编号 A2110260 实验地点 SL110 实验时间 6.15-6.19 一、课程设计目的: 目的:通过本课程设计,了解当代计算材料学之材料设计和计算及模拟的理论根底、开展历程。初步掌握LINUX系统的根本操作、脚本编写。熟悉常用的材料计算软件的使用,并能够通过模拟计算,获得常见的简单晶体结构的几何和电子性质。 二、课程设计使用的仪器、软件: 仪器:计算机。 软件:FINDIT、VESTA、MATERIALSSTUDIO、UEDIT、VIENNAAB-INITIOSIMULATIONPACKAGE、P4VASP、ORIGIN

4、。 三、课程设计要求: 1. 通过前期的课程学习和网络调研,了解第一性原理计算的理论根底; 2. 通过课程学习和实践操作,初步掌握LINUX系统的根本操作; 3. 学会根据实验测试数据如XRD、TEM等,利用FINDIT软件获得材料体系的晶体结构; 4. 学会利用VESTA、MATERIALSSTUDIO、UEDIT等软件对晶体结构进行查看、结构调节,最终准确获得初始计算模型; 5. 学会利用VIENNAAB-INITIOSIMULATIONPACKAGE简称VASP软件,获得晶体结构稳定构型、电荷密度分布、电子态密度、能带结构、声子谱、结合能等; 6. 学会利用P4VASP、ORIGIN等软

5、件进行数据转换和作图; 7. 能够利用所学的量子力学、固体物理、半导体物理学知识,分析晶体结构、电荷密度分布、电子态密度以及能带结构。 四、课程设计原理: 研究体系的复杂性表现在多个方面,从低自由度体系转变到多维自由度体系,从标量体系扩展到矢量、张量系统,从线性系统到非线性系统的研究都使解析方法失去了原有的威力。因此,借助于计算机进行计算与模拟恰恰成为唯一可能的途径。复杂性是科学开展的必然结果,计算材料科学的产生和开展也是必然趋势,它对一些重要科学问题的圆满解决,充分说明了计算材料科学的重要作用和现实意义。 采用了基于密度泛函理论的第一性原理计算方法。使用目前常用的商业软件包,VIENNAAB

6、INITIOSIMULATIONPACKAGE(VASP),进行模拟。离子实与价电子层的相互作用采用投影缀加平面波赝势(PROJECTORAUGMEN=TEDWAVE,PAW)来描述。交换相关能采用广义梯度近似(GGA)中的PBE泛函描述。为了更好地描述层间作用,在计算时,用OPTPBE-VDW方法进行范德华尔斯修正。平面波基组截断能设置为400eV。结构优化和静态计算时的布里渊区K点采样网格分别为333和444。原子完全弛豫,直至各原子之间的力小于 0.01eV-1,结构弛豫结束。 五、课程设计思路、步骤: 1、翻开FINDIT软件,查找MoS2,选择晶胞参数为3.16,如以下列图 图1查找

7、MoS2数据 导出MoS2数据,注意保存格式为.cif。 2、将保存好的文件icsd.cif直接拖入MATERIALSSTUDIO软件,即可以看到MoS2的单个晶胞结构,点击鼠标右键选择Displaystyle中的CPK选项,调整原子为适宜大小,点击viewacross查看模型的正面图图2,之后点击viewonto查看模型的俯视图图3,最后,保存文件到指定文件夹,文件命名为MoS2-BULK.Cif。 图2.MoS2正视图3.MoS2俯视图 3、将保存好的文件MoS2-BULK.cif直接拖入VESTA软件,转动一下即可以看到MoS2的单个晶胞结构,再点击左下角的Properties-icsd

8、.cif进入参数设置,第1选择General里的Singleunitcell即可以看见一个更规整的晶胞结构;第2点击Atoms,在里面可以选择Mo、S两个原子的颜色;第3点击edit中的Bonds,点击new后把A2改为S,将Maxlength改为3。调整完后可得到以下列图图4,最后保存文件,命名为icsd.vasp。 图4 4、将icsd.vasp文件用Uedit32翻开,可以得到MoS2晶胞的坐标数据。 5、计算局部:采用了基于密度泛函理论的第一性原理计算方法。使用目前常用的商业软件包 VIENNAABINITIOS IMULATIONPACKAGE(VASP),进行模拟。离子实与价电子层

9、的相互作用采用投影缀加平面波赝势( PROJECTORAUGMEN= TEDWAVE,PAW)来描述。交换相关能采用广义梯度近似(GA)中的PBE泛函描述。为了更好地描述层间作用,在计算时,用TPBE-DW方法进行范德华尔斯修正。平面波基组截断能设置为400eV。结构优化和静态计算时的布果渊区K点采样网格分别为333和444。原子完全弛豫,直至各原子之间的力小于0.01eVA,结构弛豫结束。 1翻开Xshell软件,建立会话并进入自己的分组,拷贝4个文件INCAR、 KPOINTS、 POSCAR 、vdw_kernel.bindat。在POSCAR中拷入刚得到的MoS2晶胞的坐标数据,修改I

10、NCAR中的数据,通过一系列操作,最后输入运行代码nohupmpirun -np 8 vasp_std& 1.out &进行结构优化计算。通过结构优化后可以得到CONTCAR并导出。 2接下来进行静态计算。创立新的文件夹static,进入该文件夹后导入结构优化后的CONTCAR、POSCAR,注意还要考入没有结构优化之前的INCAR、KPOINTS并修改KPOINTS为444。同样输入运行代码nohupmpirun -np 8 vasp_std& 1.out &进行静态计算。得到CHGCAR、vasprun. xml并导出。 6、将CHGCAR拖入VESTA中进行参数更改。第1选择Genera

11、l里的Singleunitcell即可以看见一个更规整的晶胞结构;第2点击Atoms,在里面可以选择 Mo、S两个原子的颜色;第3选择Isosurfaces里的New,将Isosurface level改为0.05即可得到以下列图5 图5MoS2晶胞 7、通过一个脚本文件vaspkit的计算,可以得到TDOS.dat并导出,再由脚本文件的另外一个计算可导出PDOS_Mo.dat、PDOS_S.dat, 接着新建一个excel文档导入TDOS.dat、PDOS_Mo.dat、PDOS_S.dat中的数据并进行处理,将处理的数据导入Origin中再处理,即可得到以下列图6 图6 8、再创立文件夹b

12、ands,将CHGCAR、POSCAR、POTCAR、vdw_kernel.bindat拷贝进该文件夹,再将前面的INCAR、KPOINTS拷入。在Matstudi软件中点击ToolsBrillouin zone path可得到以下列图7 图7 最后在bands中用脚本文件计算,可以得到REFORMATTED_BAND. Dat并导出。相同的方法在 Excel中处理数据再导入Origin中再处理,可以得到MoS2的能带结构图8 图8MoS2的能带结构图 六、课程设计结果: 根据以上能带结构图,我们可以清晰的看出这是一个间隙半导体,电子从价带转移到导带除了需要能量以外还需要位移。 七、课程设计总结: 这一课程的学习,我初步掌握了Linux系统的简单操作以及简单的材料计算步骤。通过这些学习接触到了材料计算这一专业领域,开拓了我的视野,认识到了更多的工作软件。

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