1、218 GHz 300 W GaN固态功率放大器王仁军成海峰徐建华喻先卫祝庆霖周晨(南京电子器件研究所，南京，210016)2-18 GHz 300 W GaN Solid-state Power AmplifierWANG Renjun CHENG Haifeng XU Jianhua YU Xianwei ZHU Qinglin ZHOU Chen(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)南京电子器件研究所首次成功研制了2-18 GHz超宽带大功率固态功率放大器(Solid-state power amplifier,
2、SSPA)。该固态功率放大器以本所研制的0.2mGaNHEMT超宽带功率MMIC为基础，在218GHz频段内单芯片的输出功率16W,通过采用新型全空气超宽带高效合成结构，实现了30路高效功率合成。该合成结构相比现有合成技术，具有合成效率更高、散热布局更好的优点。实现的超宽带固态功率放大器饱和输出功率在218GHz频段内大于300W。功率模块可以兼容连续波及脉冲双模工作，采用水冷散热可以长时间稳定工作。该固态功率放大器的尺寸为380mm380mm400mm,模块内置水冷板，实物照片如图1所示。在工作频率218GHz、工作电压40V、输入功率4dBm的条件下，固态功率放大器测试结果如图2所示，全频
3、段连续波输出功率360W,增益50dB,杂散抑制60dBc,效率10%。图1218GHz300W固态功放实物照片Fig.1 Photograph of 2-18 GHz 300 W SSPA65一4060一5530050日93-万45208240153510301502468101214161820f/GHz图2218GHz300W固态功放的输出功率及附加效率Fig.2 Output power and power added efficiency of 2-18 GHz 300 W SSPA(C)1994-2023 China Academic Journal Electronic Publishing House.All rights reserved.http:/
