1、GB/T29421-2012前言本标准按照GB/T1.1一2009给定的规则起草。本标准由中国建筑材料联合会提出。本标准由全国人工品体标准化技术委员会(SAC/TC461)归口。本标准起草单位：中国科学院福硅物质结构研究所、国家光电子品体材料工程技术研究中心、福建福晶科技股份有限公司、中国计量学院材料与工程学院。本标准主要起草人：兰国政、吴少凡、林文雄、王昌运、张剑虹、李雄、史宏声、秦来顺。本标准为首次制定。GB/T29421-2012统消光比。当有应力双折射的透明介质插人两个偏振器之间时，消光比降低。3.7插入损耗insertion lossIL光通过品体器件后的损耗，即光源通过器件后量测到
2、的功率和未通过器件量测到的功率比值。3.8偏振相关损耗polarization dependent lossPDL品体器件在所有的偏振态下最大与最小插入损耗的比值。3.9楔角wedge angle两个通光面之间的夹角。如图1所示。图1单晶原件单楔角示意图4技术要求4.1物理性能4.1.1散射在波长为632.8nm的氢氖激光照射下，单品元件单位体积(cm3)内直径大于10m的散射点不得多于4个。4.1.2光学不均匀性在波长为632.8m的氮氖激光照射下，单品元件光学不均匀性应不大于110-5。4.1.3透过波前畸变在波长为632.8氢氖激光的照射下，被测元件的透射波前畸变干涉图“峰-谷”值偏差应不大于/4。4.1.4消光比单晶元件的消光比应大于25dB。4.1.5插入损耗单品元件的插入损耗应不大于0.08dB。4.1.6偏振相关损耗单品元件的偏振相关损耗应不大于0.03dB。
