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硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GBT 1551-2021.pdf

上传人:la****1 文档编号:2451808 上传时间:2023-06-24 格式:PDF 页数:25 大小:4.34MB
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资源描述

1、GB/T1551-2021前言本文件按照GB/T1.1一2020标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草,本文件代替GB/T1551一2009硅单品电阻常测定方法,与GB/T1551一2009相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:a)更改了直排四探针法的适用范围(见第1章,2009年版的第1章);b)“范围”中增加了“硅单品其他范围电阻率的测试可参照本文件进行”(见第1章):c)增加了规范性引用文件GB/T14264(见第2章):d)增加了“术语和定义”(见第3章):c)更改了测试环境温度的要求(见第4章,2009年版的第2章、第13章):D更改了“干扰因素”中

2、光照对测试结果的影响(见5.1,2009年版的3.1、14.1);g)增加了少数载流子注入对测试结果具体影响的干扰因素(见5.3):h)更改了“干忧因素”中温度对测试结果的影响(见5.4,2009年版的3.4、14.4):i)增加了探针振动、探针头类型对测试结果影响的干扰因素(见5.5、5.6);增加了直排四探针法测试时样品发热、探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰因素见5.7a)、5.7c);k)增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀、存在轻微裂痕或其他机械损伤、导电类型不唯一对测试结果影响的干扰因素(见5.8):1)删除了直流两探针法测试干扰因素中探针间距的内容(见2009年版的14

3、.6):m)更改了直非四探针法的测试原理(见6.1,2009年版的第4章);n)增加了直排四探针法中“试剂和材料”(见6.2):o)更改了直排四探针法中对针尖形状和初始标称半径的要求见6.3.1a),2009年版的5.1.1门:p)更改了直排四探针法中标准电阻的要求见6.3.2c)、2009年版的5.2.4:q)更改了直排四探针法中散热器的要求(见6.3.4,2009年版的5.4);r)更改了直排四探针法中制样装置的要求(见6.3.5,2009年版的5.5);s)更改了直排四探针法中厚度测试仪的要求(见6.3.6,2009年版的5.6):t)别除了直排四探针法中超声波清洗器、化学实验室器具的要

4、求(见2009年版的5.13、5.14):u)更改了直排四探针法中样品表面处理的描述(见6.4.1,2009年版的6.1):v)增加了电阻率大于30002cm样品对应的推荐圆片样品测试电流值(见表2,2009年版的表2):w)删除了不同电阻率样品对应的测试电流(见2009年版的表2):x)更改了直排四探针法中电学测试装置的要求(见6.5.1.6,2009年版的7.1.6):y)更改了直排四探针法中确定探针间距用材料的要求(见6.5.2.1,2009年版的7.2.1):z)删除了直排四探针法测试中样品清洗、干燥的过程(见2009年版的7.3.1):a)删除了直排四探针法测试中对于圆片试样的特殊要求(见2009年版的7.3.2、7.3.3):bb)删除了直排四探针法测试圆片时探针阵列位置的要求(见2009年版的7.3.4):cc)更改了直排四探针法测量组数的要求(见6.5.3.7,2009年版的7.3.8):dd)更改了直排四探针法测试精密度的内容(见6,7,2009年版的第9章):ce)更改了直排四探针法的测试原理(见7.1,2009年版的第15章):

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