GB/T15870一1995前言本标准非等效采用SEMI标准Semip2一86硬面光掩模用铬薄膜。本标准第4章“要求”中4.6按Semip2一86硬面光掩模用铬薄膜制定，其余均按我国国情制定。本标准对国家标准GB7237一87铬版中3.2的内容进行补充。与GB7237中3.2的重要技术改变之处为：增加磁溅射方法制作的铬膜有关技术指标。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位：长沙韶光微电子总公司、电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人：吴保华、王亦林、赵雨生、谈仁良。I
