1、ICS17.040.01J04B中华人民共和国国家标准GB/T31225一2014椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer2014-09-30发布2015-04-15实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T31225-2014-n53n53（1）式中：E,一p偏振的电场强度分量：E,一5偏振的电场强度分量；R。一p偏振分量的总反射系数；R,一5偏振分量的总反射系数：一椭圆函数，亚一由于反射、与人射平
2、面平行和相垂直的电矢量振动的振幅的微分变化：一由于反射、与人射平面平行和相垂直的电矢量振动的相位的微分变化；j一虚数单位：，一p偏振分量的费涅耳反射系数：，一5偏振分量的费涅耳反射系数：，一p偏振的相位差；8,一5偏振的相位差。由于椭圆函数是环境折射率、薄膜膜层折射率、薄膜厚度、衬底折射率、人射光波长、人射角的函数，可表示为式(3)：p=tan(亚)eP=p(1,n2,d,9,n3,入)(3)式中：P一椭圆函数：业一由于反射、与人射平面平行和相垂直的电矢量振动的振幅的微分变化：一由于反射、与入射平面平行和相垂直的电矢量振动的相位的微分变化：j一虚数单位：1一环境折射率；薄膜膜层折射率：d一薄膜厚度9一人射角：,一衬底折射率：入一入射光波长。一般情况下，在人射光波长、人射角、环境折射率、衬底折射率确定的条件下，椭圆函数只是薄膜厚度和薄膜膜层折射率的函数。5环境条件5.1环境温度环境温度应在20土5范围内。5.2相对湿度相对湿度应不大于60%。5.3光源、电源和其他环境要求无直射强光源、清洁无尘、无振动、无腐蚀性气体：有良好的独立地线，供电电压、频率及电源稳定性
