1、YS/T819-2012表2高纯铜靶晶粒度要求品粒要求牌号平均值/m最大值/m4N1001504N51001505N1001506N50100注：需方如有特殊要求时，由供需双方商定。3.4内部质量高纯铜靶坯内部不应有分层，疏松、夹杂和气孔等缺陷，由供方生产工艺保证。需方有特殊要求时按GJB1580A执行。3.5焊接质量高纯铜靶的焊接分为仟焊和非钎焊。焊接质量应符合表3的规定，需方如有特殊要求时，由供需双方商定。表3焊接质量要求焊接方式焊接结合率单个未焊合间隙面积/总面积钎焊95%2%非钎焊98%1%3.6外形尺寸与允许偏差3.6.1高纯铜靶按照形状通常可分为圆形、矩形和三角形等，按照结构方式可
2、分为单体型和焊接型两类，靶材的背板可包括铜及铜合金、铝及铝合金等。3.6.2半导体用（布线与封装）高纯铜靶，其尺寸、规格及结构方式与用户使用的溅射机台类型有关，一般由客户提供图纸，经双方确认后，方可生产。3.6.3平板显示器及太阳能用高纯铜靶，靶材不平度1.5(mm/m),客户有特殊要求按客户要求。注：需方有特殊要求时，由供需双方商定。3.7外观质量高纯铜靶表面应清洁光滑，无指痕，无油污和锈蚀，应无拉伸润滑痕迹，颗粒附加物和其他沾污，应无凹坑、划伤、裂纹、凸起等缺陷。3.8内包装质量高纯铜靶应经过全面清洗，真空干燥后每片单独真空包装。真空袋封口要平整无贯通，真空袋体无漏洞，无真空泄露。4试验方法4.1高纯铜靶化学成分的分析方法4.1.1金属杂质元素、F、S、P的分析方法采用杯光放电质谱法测定，或由供需双方协商确定。
