1、请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 证券研究报告|行业深度 2019 年 03 月 25 日 电子电子 科创板深度报告系列科技红利黄金年代科创板深度报告系列科技红利黄金年代 中国要从科技制造大国演进到科技制造强国、科技创新强国发展阶段，持续高效率的研发投入是关键中国要从科技制造大国演进到科技制造强国、科技创新强国发展阶段，持续高效率的研发投入是关键。科技创新带来公司有效产值的提升是关键，研发投入及转换效率是科技红利突破的前瞻性关键指标，重点参数包括研发投入、研发强度、研发人员单位产值/利润、产品品类扩张情况、专利储备及转化情况。国家逐步梳理科技立国的思路，不断加大科技红利提升力度
2、、提高有效研发投入产值，这一大背景下科创板应用而生。国家逐步梳理科技立国的思路，不断加大科技红利提升力度、提高有效研发投入产值，这一大背景下科创板应用而生。国家通过产业政策对科技创新的扶持，本质在于提升 R&D/GDP，高水平的 R&D 投入强度是一个国家具有较高创新能力的重要保障。根据科技部最新公布数据，2018 年全社会研究与试验发展（R&D）支出占 GDP 比重预计为 2.15%，与美国、韩国、中国台湾省、德国等国家及地区仍有较大差异。而参考美国、日本、韩国的新兴产业政策崛起，国家 R&D/GDP 达 2.5%，从历史经验来看往往是科技创新“量变到质变的临界点”。我们认为在后续覆盖、跟踪
3、、投资登陆科创板的半导体标的，应当重点沿循两条主线我们认为在后续覆盖、跟踪、投资登陆科创板的半导体标的，应当重点沿循两条主线：“第四次硅含量提升”与“自主产业链”：“第四次硅含量提升”与“自主产业链”：以人工智能、5G、物联网与汽车为代表的创新驱动第四次硅含量提升，这一浪潮下数据量将呈现指数级增长，存储、处理、传输、感知各个环节将同步受益；第二条主线是产业链的自主供应与安全可靠，沿着这条主线我们主要建议挖掘三类机会下的受益标的：1）建厂潮资本开支持续提升周期下优质半导体设备/材料公司的国产化机会；2）国内消费电子/通信设备/工控/汽车龙头厂商对于国产化芯片的导入机会；3）党政军电子设备/芯片的
4、安全可靠机遇。本文主要对半导体板块潜在科创板标的进行介绍分析：本文主要对半导体板块潜在科创板标的进行介绍分析：设计类公司：设计类公司：1）切入自主可控核心领域 CPU，内存接口芯片商：澜起科技；2）消费级处理器芯片厂商：紫光展锐、瑞芯微、晶晨半导体（证监会已受理）晶晨半导体（证监会已受理）；3）利基型存储设计公司：东芯半导体。4）传感器设计厂商：睿创微纳（证监会已受理）。人工智能：人工智能：寒武纪、地平线、云从科技。泛半导体设备：中微半导体、上海微电子、杰普特。芯片代工与特色工艺：和舰科技（证监会已受理）芯片代工与特色工艺：和舰科技（证监会已受理）、华润微电子、英诺赛科 风险提示：风险提示：科
5、创板推出进度不达预期；本文提及潜在标的并非确定登录科创板。增持（维持）增持（维持）行业走势行业走势 作者作者分析师分析师 郑震湘郑震湘 执业证书编号：S0680518120002 邮箱： 相关研究相关研究 1、电子：OLED 上游国产化系列之 Open Mask2019-03-19 2、电子：继续看好半导体、TWS 耳机、光学2019-03-17 3、电子：5G 之 AR/VR2019-03-12-48%-32%-16%0%16%2018-032018-072018-112019-03电子沪深300 2019 年 03 月 25 日 P.2 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 内
6、容目录内容目录 时隔四年再谈科技红利！.9 科技立国之道研发投入与科技红利.9 科技创新强国必由之路，科创板应运而生.12 韩国崛起启示录：科技兴国+扶持硬科技+大国市场纵深.13 集成电路实体第一，科技创新重中之重.15 科创板加速推进，半导体迎来科技红利黄金年代.18 Fabless：近年来高速成长，百花齐放.23 澜起科技：有望成为安全可靠龙头厂商.26 晶晨半导体：智能终端处理芯片优质厂商.31 紫光展锐：期待消费级处理器昔日明星归来.37 睿创微纳：优质传感器厂商.39 瑞芯微：对标全志的消费级 SoC 设计商.44 东芯半导体：利基型存储设计公司.48 人工智能：数据产业链的核心驱
7、动.53 人工智能关键技术.53 人工智能的参与者.53 人工智能芯片架构创新是关键.57 主流人工智能芯片.57 主流 AI 芯片架构.60 不同环节不同需求，催生专用计算芯片.61 ASIC：百家争鸣，确定场景规模后适用于量产.62 端侧 AI 芯片：SoC+IP 模式有望成为端侧主流.63 类脑芯片.65 人工智能应用快速落地，AI 芯片市场前景可期.66 寒武纪科技：全球智能芯片先行者.66 地平线：发力智能场景端侧应用.70 云从科技：计算机视觉方案供应商.73 半导体设备：资本开支上行期的国产大机遇.76 半导体产业东迁带动中国设备市场高速成长.76 全面完整布局，多项设备均实现国
8、产突破.80 中微半导体：研发强劲的国产半导体设备龙头.83 上海微电子：国产光刻机希望.89 杰普特：对标锐科的优质激光器厂商.94 芯片代工与特色工艺.100 功率半导体：稳步增长的通用型元器件市场.100 短期扰动不改中期强劲需求.101 IGBT 市场几乎被国外垄断，国内厂商追赶尚需时日.103 化合物半导体：性能优良、应用广，产业新机遇.103 砷化镓（GaAs）：无线通信核心材料，受益 5G 大趋势.104 氮化镓&碳化硅：高压高频应用前景广阔.106 和舰芯片：背靠联电的优质代工厂.109 英诺赛科：化合物半导体崛起新锐.114 华润微电子：功率半导体老牌企业.118 风险提示.
9、123 2019 年 03 月 25 日 P.3 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表目录图表目录 图表 1：2012 实验室成立后华为研发强度显著提升.9 图表 2：华为营收及净利润情况.10 图表 3：华为业绩增速、利润率以及研发强度.10 图表 4：2018 年华为研发投入位居全球第五.10 图表 5：A 股各板块研发费用及研发费用营收占比情况（截至 19Q3）.10 图表 6：华为申请专利连续两年位居全球第一.11 图表 7：华为芯片版图持续快速扩张体现其高研发转化效率.11 图表 8：华为手机出货量（百万部）.12 图表 9：我国 R&D 在 GDP 中占比（%）.
10、12 图表 10：全球主要国家/地区研发强度情况（%，截至 2015）.12 图表 11：美国半导体公司 R&D 与 CAPEX 投入情况（十亿美金）.13 图表 12：美国半导体公司 R&D 与 CAPEX 投入营收占比.13 图表 13：韩国科技产业政策整理.14 图表 14：韩国半导体进出口情况（亿美金）.14 图表 15：韩国 1992 年-2005 年 R&D/GDP 变动情况.15 图表 16：韩国 KOSDAQ 指数走势.15 图表 17：韩国龙头三星、海力士排名持续提升.15 图表 18：GDP 与各大产业增加值对比（亿美元）.16 图表 19：全球 GDP 增速 vs 全球电
11、子系统市场增速.16 图表 20：2018 年中国集成电路逆差超 2000 亿美金.16 图表 21：三星自研芯片基本实现核心元器件自主可控.17 图表 22：联想（左）和华为（右）为代表的消费电子终端巨头和通信设备巨头芯片采购额极大.17 图表 23：中国芯片产业现状及国产化替代.18 图表 24：科创板推进进程.19 图表 25：科创板潜在标的一览.19 图表 26：中国企业在集成电路细分领域中的全球市占率（1%为估测值，指市占率较小）.21 图表 27：中国大陆半导体生命周期示意图.22 图表 28：中国设计产业销售规模.23 图表 29：中国 IC 设计企业数量（家）.24 图表 30
12、：中国销售过亿元 IC 设计企业数量（家）.24 图表 31：国内分下游 IC 设计企业数量（家）.24 图表 32：国内分下游 IC 设计业规模（亿元）.24 图表 33：中国集成电路领域专利增长趋势.25 图表 34：我国集成电路布图设计专有权（2006 年到 2016 年）.25 图表 35：全球 IC 设计收入 vs IDM 收入（十亿美元）.25 图表 36：全球 IC 设计收入增速 vs IDM 收入增速.25 图表 37：我国集成电路设计区域发展对比表.26 图表 38：澜起科技发展历程.26 图表 39：澜起科技管理团队.27 图表 40：澜起科技融资情况.27 图表 41：澜
13、起科技主营产品.28 图表 42：澜起科技安全可控津逮处理器.28 图表 43：澜起安全及混合安全内存模组.29 2019 年 03 月 25 日 P.4 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 44：全球服务器出货量预测.29 图表 45：澜起科技专利情况.30 图表 46：公司产品成就.31 图表 47：晶晨半导体股权结构.32 图表 48：晶晨半导体营收情况.32 图表 49：晶晨半导体业绩情况.32 图表 50：公司主营演变情况.33 图表 51：晶晨半导体产品情况.34 图表 52：公司收入情况（万元）.35 图表 53：公司收入结构（内圈 2017 vs 外圈 20
14、18）.35 图表 54：晶晨半导体研发投入情况.35 图表 55：晶晨半导体技术情况.36 图表 56：紫光展锐发展历程.37 图表 57：紫光展锐管理团队.38 图表 58：紫光展锐融资估值情况.38 图表 59：紫光展锐主营产品.39 图表 60：公司产品军用用途.40 图表 61：公司产品民用用途.40 图表 62：产品技术及特点.40 图表 63：探测器系列、型号等细节.41 图表 64：机芯产品参数及特点.41 图表 65：公司整机产品.42 图表 66：公司近年营收、净利情况.42 图表 67：公司股权结构.43 图表 68：公司高管结构.43 图表 69：公司募集资金用途规划（
15、万元）.44 图表 70：瑞芯微营收情况.44 图表 71：瑞芯微盈利情况.44 图表 72：瑞芯微主营业务发展.45 图表 73：瑞芯微各版块收入情况（百万元）.45 图表 74：瑞芯微收入结构.45 图表 75：瑞芯微下游消费电子应用情况.46 图表 76：瑞芯微下游智能物联应用情况.47 图表 77：瑞芯微手机快充芯片性能.47 图表 78：瑞芯微研发投入（亿元）.48 图表 79：东芯半导体发展历程.48 图表 80：东芯半导体融资情况.49 图表 81：东芯半导体管理及技术团队.49 图表 82：公司前五大股东.50 图表 83：东芯半导体专利情况（个）.50 图表 84：东芯半导体
16、主营产品分类.51 图表 85：东芯半导体主营产品 NAND 和 NOR 细分.51 图表 86：存储芯片分类.52 图表 87：全球存储器产品结构(按销售额).52 图表 88：我国存储芯片发展状况.53 图表 89：人工智能三要素.53 2019 年 03 月 25 日 P.5 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 90：AI 计算力、算法和数据.53 图表 91：人工智能产业链结构：基础层、算法层、应用层.54 图表 92：人工智能产业链参与者.54 图表 93：人工智能产业链及价值分析.55 图表 94：全球 AI 芯片公司榜单.55 图表 95：独角兽公司融资情况.
17、56 图表 96：AI 半导体分类.57 图表 97：2017 各 AI 企业公开芯片数据.58 图表 98：CPU 与 GPU 结构对比.58 图表 99：高密度 GPU 服务器已成为主流.58 图表 100：FPGA 结构图.59 图表 101：谷歌 TPU 板卡图.60 图表 102：AI 芯片主要性能对比.60 图表 103：主流 AI 处理器的制程和架构.60 图表 104：人工智能芯片生态体系.61 图表 105：TPU 模块框图.62 图表 106：TPU 各模块面积占比.63 图表 107：TPU 性能功耗比与吞吐量指标均大幅领先.63 图表 108：TPU 在六种神经网络上性
18、能良好.63 图表 109：高通骁龙 835 具备 HexagonDSP 模块.64 图表 110：海思麒麟 970 加入神经网络处理模块.64 图表 111：目前部分深度学习 IP 厂商.64 图表 112：海思 Kirin970SoC.65 图表 113：TrueNorth.65 图表 114：类脑芯片性能比较.66 图表 115：人工智能芯片市场规模预测（亿美元）.66 图表 116：寒武纪发展历程.67 图表 117：寒武纪融资情况.67 图表 118：公司主要产品.68 图表 119：寒武纪 1M 处理器.68 图表 120：Cambricon MLU 100 云端 AI 芯片.68
19、 图表 121：公司主要管理人员.69 图表 122：麒麟 970 芯片.69 图表 123：寒武纪 1H 智能处理器.70 图表 124：地平线发展历程.70 图表 125：地平线融资情况.71 图表 126：地平线主要产品.72 图表 127：征程 1.0 处理器.72 图表 128：旭日 1.0 处理器.72 图表 129：公司主要管理人员.73 图表 130：云从科技发展历程.73 图表 131：云从科技融资情况.74 图表 132：公司主要产品.75 图表 133：云从科技 IBIS（集成生物识别平台）.75 图表 134：云从科技 活体检测仪.75 图表 135：公司主要管理人员.
20、76 2019 年 03 月 25 日 P.6 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 136：中国半导体设备市场.77 图表 137：全球半导体设备市场.77 图表 138：全球半导体设备市场（单季度）.77 图表 139：中国半导体设备市场（单季度）.78 图表 140：中国半导体设备市场维持高速增长.78 图表 141：18Q3 中国半导体设备市场增速突破 100%.78 图表 142：国内晶圆厂扩产&新建情况.79 图表 143：全球设备市场主要参与者.80 图表 144：半导体设备国产化情况.80 图表 145：高端光刻机市场主要参与者仍为海外厂商.82 图表 146
21、：刻蚀设备市场规模（百万美元）.82 图表 147：刻蚀设备市场格局.82 图表 148：中微半导体发展历程.83 图表 149：中微半导体经营管理层.84 图表 150：中微半导体有效专利情况.85 图表 151：中微半导体融资估值情况.85 图表 152：公司主要产品.86 图表 153：中微 Primo D-RIE 设备.87 图表 154：中微 Primo AD-RIE 设备.87 图表 155：中微 Primo TSV 设备.87 图表 156：TSV 技术在 CIS 市场中占比逐步提高.88 图表 157：堆叠式 CMOS 传感器使用 TSV 技术.88 图表 158：中微 Pri
22、smo D-BLUE 设备.88 图表 159：中国 LED 芯片产值（亿元）.89 图表 160：中国 MOCVD 保有量（台）.89 图表 161：上海微电子发展历程.89 图表 162：上海微电子有效专利情况.90 图表 163：SMEE 股东出资情况.91 图表 164：SMEE 产品布局.91 图表 165：上海微 600 系列光刻机.92 图表 166：SMEE 600 系列光刻机参数.92 图表 167：SMEE 500 系列光刻机参数.92 图表 168：上海微 SSB500/40 光刻机.93 图表 169：中国 IC 封装测试规模持续增长.93 图表 170：SMEE 30
23、0 系列光刻机参数.93 图表 171：上海微 SSB300 光刻机.93 图表 172：中国 LED 芯片产值.93 图表 173：SMEE 200 系列光刻机参数.94 图表 174：大陆厂商 LCD 面板出货量快速增长（千平方米）.94 图表 175：大陆 OLED 产能快速增长（按基板数量，K 片）.94 图表 176：杰普特主要产品.95 图表 177：杰普特经营管理层情况.96 图表 178：杰普特股权结构（截止于 2017 年中报）.97 图表 179：杰普特专利技术情况.97 图表 180：激光产业相关政策梳理.98 图表 181：杰普特营业收入.99 2019 年 03 月
24、25 日 P.7 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 182：杰普特利润情况.99 图表 183：杰普特光纤激光器销量情况.99 图表 184：杰普特激光智能装备销售情况.100 图表 185：杰普特激光智能装备收入结构（内圈 2015 vs 外圈 2016）.100 图表 186：全球功率分立器件市场规模（亿美元）.100 图表 187：2017 全球功率器件占比（按产品）.101 图表 188：中国功率半导体市场（亿元）.101 图表 189：2022 年中国新能源汽车销量预测（万辆）.102 图表 190：2017 年全球电动汽车业销售情况（万辆）.102 图表 19
25、1：全球汽车半导体市场及增速（亿美元）.102 图表 192：全球 IGBT 市场预测（按下游应用分 亿美金）.103 图表 193：不同化合物半导体应用领域.104 图表 194：化合物半导体材料性能更为优异.104 图表 195：PA 价值量明显受益 4G 发展趋势.105 图表 196：目前 PA 产品市场占比.105 图表 197：PA 产品代工厂营收占比情况.105 图表 198：Qorvo 氮化镓射频器件工艺制程.106 图表 199：GaN HEMT 禁带宽度表现优异.106 图表 200：GaN 较 GaAs 大幅减少体积.106 图表 201：SiC 应用领域.107 图表
26、202：SiC 特性和优势.107 图表 203：SiC 较 Si 基产品能够大幅减少 Die Size.107 图表 204：目前的主流 SiC 和 Si 基 IGBT 产品.107 图表 205：硅基 IGBT 与碳化硅基 MOSFET wafer cost 对比.108 图表 206：碳化硅市场空间（百万美元）.108 图表 207：碳化硅产业链.108 图表 208：公司股权结构.109 图表 209：公司产品主要应用领域.110 图表 210：公司产品主要应用领域.110 图表 211：公司主要生产模式.111 图表 212：纯晶圆代工厂排名（百万美金）.112 图表 213：主要代
27、工厂商在中国的销售情况（百万美金）.112 图表 214：晶圆制造市场规模（十亿美元）.113 图表 215：晶圆制造模式占比.113 图表 216：公司产能情况.114 图表 217：英诺赛科发展历程.114 图表 218：英诺赛科融资估值情况.115 图表 219：英诺赛科管理团队.115 图表 220：英诺赛科专利情况.115 图表 221：公司主营产品 GaN(氮化镓).116 图表 222：英诺赛科主营产品.116 图表 223：GaN 技术实现无人驾驶.116 图表 224：GaN 实现快充和闪充.117 图表 225：对应数据中心及 AI 市场规模测算（十亿元）.117 图表 2
28、26：GaN 在 5G 中的应用.118 图表 227：华润微电子发展历程.119 2019 年 03 月 25 日 P.8 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 228：华润半导体融资情况.119 图表 229：华润微电子经营管理层.120 图表 230：专利情况.121 图表 231：华润微电子 IC 产品.121 图表 232：掩模制造工艺.122 图表 233：华润上华工艺路线图.122 图表 234：封装生产工艺 1.123 图表 235：封装生产工艺 2.123 2019 年 03 月 25 日 P.9 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 时隔四年再
29、谈科技红利时隔四年再谈科技红利！科技科技立国之道立国之道研发投入与科技红利研发投入与科技红利 我们强调中国要从科技制造大国演进到科技制造强国、科技创新强国发展阶段。我们强调中国要从科技制造大国演进到科技制造强国、科技创新强国发展阶段。梳理过往历史，我们认为中国科技产业经历三个阶段，大致可分为：08 年以前产业趋势引导的人口红利；08年至14年以全球资源再分配的资本红利时代：在去台湾化的产业链重构过程中，中国本土企业弯道超车，通过产能扩张切入全球产业链，成为苹果等巨头核心供应商；14 年开始，以华为等为代表的科技龙头公司推动科技红利全面爆发，持续的研发投入及高效的转换率是保证科技创新核心效率所在
30、。持续高效率的研发投入是科技企业成长的真正内在动力。持续高效率的研发投入是科技企业成长的真正内在动力。华为历经三十年厚积薄发，成为全球通信行业龙头厂商，核心在于享受完第一波工程师红利浪潮成长之后、在迈入科技红利时代前夕的关键时期大力提升研发投入。华为拥抱科技红利的标志是“2012 实验室”实验室”的正式成立，2011 年华为的研发投入占比超过两位数达 11.6%，这一年华为整合成立了 2012 实验室，作为华为创新、研究和平台开发的主体，以构筑面向未来技术和研发能力。图表 1：2012 实验室成立后华为研发强度显著提升 资料来源：华为年报，国盛证券研究所 华为的研发主要分为面向未来的研究创新和
31、支撑产品的开发投资。华为的研发主要分为面向未来的研究创新和支撑产品的开发投资。根据 2017 年年报发布，华为超过华为超过 15%的研发费用投入在面向未来的基础研究上，的研发费用投入在面向未来的基础研究上，主要载体为华为 2012 实验室。“2012 实验室”下设中央研究院、中央软件院、中央硬件院、海思半导体等二级实验室”下设中央研究院、中央软件院、中央硬件院、海思半导体等二级部门，也包括了分布在各地研发中心的部门，也包括了分布在各地研发中心的 2012 下属实验室。下属实验室。另外近 85%的研发费用投入在产品开发上，主要载体是华为产品及解决方案部及各业务部门对应运营商、企业、消费者和 Cl
32、oud 四大事业群。2019 年 03 月 25 日 P.10 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 2：华为营收及净利润情况 图表 3：华为业绩增速、利润率以及研发强度 资料来源：华为年报，国盛证券研究所 资料来源：华为年报，国盛证券研究所 华为研发投入十年八倍提升，是华为研发投入十年八倍提升，是 A 股电子板块前三季度总和的股电子板块前三季度总和的 1.86 倍！倍！根据2018 年欧盟工业研发投资排名，华为以 113 亿欧元的研发投入排名中国第一、全球范围内仅次于三星、谷歌、大众和微软，但是 14.7%的研发投入强度比这四家都要高。2018 年华为的研发投入较 2008
33、 年的 104.7 亿人民币提升超 8 倍，同时这也是华为历史上首次超越 Intel。作为参考，作为参考，我们认为我们认为 A 股电子板块研发投入仍有极大提升空间。股电子板块研发投入仍有极大提升空间。根据 wind 统计，A 股电子板块 2018 年前三季度研发投入为 464.8 亿元，仅约为华为 18 年全年研发的 53%。其中研发费用营收占比为 3.42%，落后于计算机及通信板块。图表 4：2018 年华为研发投入位居全球第五 图表 5：A 股各板块研发费用及研发费用营收占比情况（截至 19Q3）资料来源：2018 年欧盟工业研发投资排名，国盛证券研究所 资料来源：wind，国盛证券研究所
34、 科技红利时代重点关注研发投入有效性，持续的有效研发投入是企业获得创新溢价的关科技红利时代重点关注研发投入有效性，持续的有效研发投入是企业获得创新溢价的关键。键。科技红利不等同于工程师红利，科技创新带来公司有效产值的提升是关键。研发投入及转换效率是科技红利突破的前瞻性关键指标，重点参数包括研发投入、研发强度、重点参数包括研发投入、研发强度、研发人员研发人员单位产值单位产值/利润、产品品类扩张情况、专利储利润、产品品类扩张情况、专利储备及转化情况。备及转化情况。2019 年 03 月 25 日 P.11 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 6：华为申请专利连续两年位居全球第一
35、 资料来源：WIPO，国盛证券研究所 仍然以华为为例，仍然以华为为例，2018 年华为卫冕全球专利申请数量第一。年华为卫冕全球专利申请数量第一。根据世界知识产权组织(WIPO)，华为在 2018 年向 WIPO 提交了 5405 项专利申请，较 2017 年得 4024 项增长34%，专利申请中约 3 成与 5G 相关。除专利数之外，华为的研发转换效率还体现在自身产品品类及市占率的持续扩张，除专利数之外，华为的研发转换效率还体现在自身产品品类及市占率的持续扩张，基站、Cloud、手机终端的版图扩张不必多说，我们以最为关心的芯片领域为例，除了安防和终端麒麟系列芯片的持续更新迭代，“2012 实验
36、室”前十年的持续投入从去年开始陆续转化落地，18 年 12 月至今华为陆续公布多款人工智能、5G 基带、服务器、数据中心等领域拳头产品。图表 7：华为芯片版图持续快速扩张体现其高研发转化效率 应用领域应用领域 系列系列 最新产品最新产品 特色特色 手机终端主控 麒麟 麒麟 980 7nm、8 核 手机终端基带 巴龙 巴龙 5000 Sub-6G 下载峰 值 4.6Gbps，同时支持SA/NSA 安防 Hi35XX 系列 Hi3559AV100 12nm、8K 数据中心 CPU ARM 架构 Hi 系列 Hi1620 ARM v8 架构、7nm 制程、Taishan 核 服务器 鲲鹏 鲲鹏 92
37、0 ARM v8 架构、7nm制程、64 核，主频2.6GHz 人工智能 昇腾 昇腾 910/310 达芬奇架构，分别面向云端超高算力与低功耗 路由器 凌霄 凌霄 5651 四核，搭配自研 WiFi 芯片，主频 1.4GHz SSD 控制芯片 Hi1711 SSD 智能控制 资料来源：国盛证券研究所 通过海思芯片与华为手机的绑定战略，不难看到，IC 厂商要发展，必须有核心产品打开厂商要发展，必须有核心产品打开市场空间，不仅是通过下游的成长，在收入上取得更充裕的研发资金，更是通过充分的市场空间，不仅是通过下游的成长，在收入上取得更充裕的研发资金，更是通过充分的下游应用，发现实际应用中的问题与不足
38、，向上游芯片研发形成正向反馈，达到“研发下游应用，发现实际应用中的问题与不足，向上游芯片研发形成正向反馈，达到“研发-应用应用-收入收入/反馈反馈-投入再研发”的良性循环。投入再研发”的良性循环。2019 年 03 月 25 日 P.12 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 8：华为手机出货量（百万部）资料来源：Gartner、国盛证券研究所 科技创新强国必由之路，科创板应运而生科技创新强国必由之路，科创板应运而生 随着去年中美贸易摩擦、中兴华为事件持续发酵，国家逐步梳理随着去年中美贸易摩擦、中兴华为事件持续发酵，国家逐步梳理科技立国的思路，不科技立国的思路，不断断加大科技
39、红利提升加大科技红利提升力度、提高有效研发投入产值，力度、提高有效研发投入产值，这一大背景下科创板应用而生这一大背景下科创板应用而生。国家国家通过产业政策对科技创新的扶持，本质在于提升通过产业政策对科技创新的扶持，本质在于提升 R&D/GDP，高水平的，高水平的 R&D 投入投入强度是一个国家具有较高创新能力的重要保障。强度是一个国家具有较高创新能力的重要保障。我国 R&D/GDP 在 2001 年突破 1%、2013 年突破 2%、2016 年突破 2.1%。根据科技部最新公布数据，2018 年全社会研究与试验发展（R&D）支出占 GDP 比重预计为 2.15%，与美国、韩国、中国台湾省、德
40、国等国家及地区仍有较大差异。而参考美国、日本、韩国的新兴产业政策崛起，国家而参考美国、日本、韩国的新兴产业政策崛起，国家 R&D/GDP 达到达到 2.5%从历史经验从历史经验来看往往是科技创新“量变到质变的临界点”。来看往往是科技创新“量变到质变的临界点”。美国 1995 年达到 2.51%克林顿政府的新兴产业革命带动互联网革命，出现了亚马逊、谷歌等一批互联网龙头；而往前看，日本 1987 年达到 2.53%索尼、三菱等一批公司开始称霸全球电子产业。图表 9：我国 R&D 在 GDP 中占比（%）图表 10：全球主要国家/地区研发强度情况（%，截至 2015）资料来源：wind，国盛证券研究
41、所 资料来源：AIP，国盛证券研究所 稳定持续的稳定持续的资本和研发投入是维持半导体等“硬科技”行业的核心驱动。资本和研发投入是维持半导体等“硬科技”行业的核心驱动。根据 WSTS 统0%10%20%30%40%50%60%70%80%01020304050601Q143Q141Q153Q151Q163Q161Q173Q171Q183Q18华为手机出货量（百万）YoY 2019 年 03 月 25 日 P.13 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 计，美国半导体公司 1996 年至 2016 年期间，复合年增长率约为 5.3%。2017 年研发年研发和资本开支总额超过和资本开支总
42、额超过 600 亿美金，投资水平在销售额中所占比例未受市场周期性波动亿美金，投资水平在销售额中所占比例未受市场周期性波动的影响。的影响。为了在半导体行业保持竞争力，企业必须不断地在研发和引进新设备上投入大量资金。为了在半导体行业保持竞争力，企业必须不断地在研发和引进新设备上投入大量资金。半导体行业的技术变革步伐要求企业开发更复杂的工艺技术，并引进能够制造较小尺寸器件的生产设备。生产最先进的半导体元件的能力只能通过持续投资来维持，力争与整个行业的投资率（约占销售额的 30%）保持一致。图表 11：美国半导体公司 R&D 与 CAPEX 投入情况（十亿美金）图表 12：美国半导体公司 R&D 与
43、CAPEX 投入营收占比 资料来源：SIA，国盛证券研究所 资料来源：SIA，国盛证券研究所 韩国崛起启示录：科技兴国韩国崛起启示录：科技兴国+扶持硬扶持硬科技科技+大国市场纵深大国市场纵深 韩国两次“科技兴国”战略是其突破“中等收入陷阱”的核心原因。韩国两次“科技兴国”战略是其突破“中等收入陷阱”的核心原因。我们曾经重点分析韩国 80 年代初和 21 世纪初的两次“科技兴国”战略开启其科技产业崛起之路。1982 年，韩国正式提出“科技立国”战略，并明确其主要目标是利用先进技术改造原年，韩国正式提出“科技立国”战略，并明确其主要目标是利用先进技术改造原有产业。有产业。进入 90 年代，韩国政府
44、为减轻对发达国家的技术依赖度，进一步丰富和发展“科技立国”战略，开始重视发展本国的高新技术产业，促进产业结构的优化升级。进入 21 世纪，为应对日益激烈的国际科技竞争格局，韩国政府又提出“第二次科技立国”战略，核心内容是从“引进、模仿”创新转为“创造性、自主性”创新。2019 年 03 月 25 日 P.14 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 图表 13：韩国科技产业政策整理 时期时期 项目（计划）名称项目（计划）名称 实施目标实施目标 1981-1986 年 半导体工业综合发展计划 该计划具体明确了需要大力发展的四个领域：超大规模集成电路、超大规模集成电路、计算机、通信设备和
45、电子部件。在半导体领域，其计划侧重于晶圆制造侧重于晶圆制造，而非处于末端且技术含量较低的封装测试，并确立了将大规模生产内存芯片用于出口而非满足国内需求用于出口而非满足国内需求作为最可行的战略。1982 年 长期半导体产业促进计划 韩国政府为四大主要半导体企业提供大量财政、税收优惠。财政、税收优惠。1983-1986 半导体产业培育计划 政府在 1983-1986 年投资 2600 亿韩元建立半导体生产基地。1986-1991 年 超大规模集成电路技术共同开发计划 以政府所属国家电子研究所为主，三星、现代、LG 等大型企业参加，组成半导体研发组合，集中人才、资金，进行 1M 到 64M 的 DR
46、AM 核心技术开发，企业主要开发生产技术和工艺技术等，总投入 1.2 亿美元，政府出资 50%。1991 年 G-7 项目计划 涵盖了 VLSI（大规模集成电路）、（大规模集成电路）、ISDN、HDTV、智能计算机等 7 个领域。1990-1995 年 韩国半导体设备国产化五年计划 总费用 643 亿韩元，政府支持 474 亿韩元，占 73.7%，工业开发费 135亿韩元，占 21%，其他为政府机构资助 34 亿韩元，占 5.3%。1993 年 21 世纪电子发展计划 优先发展半导体、计算机、通信和机电产品，加强国际合作，改进电子生产技术，推行“逆向工程”，政府提供税收和财政优惠。1994 年
47、 电子产业技术发展战略 选定七大战略技术作为重点开发对象，1999 年之前，总投资 20544 亿韩元，其中政府出资其中政府出资 9131 亿韩元，占比亿韩元，占比 44.5%。2001 年 半导体关税减免 在半导体设备和进口部件及原材料方面实行减免关税等予以支持。2001-2005 年 半导体人才培育项目 推进 SoC 计划人才培训和基地建设，在汉城大学、全北大学、庆倍大学等三所大学强化技术研究力量。2004 年 IT839 战略计划 提出 2004 年实现“开发用户移动电话多媒体芯片集”、2005 年退出移动通信低能芯片、2007 年成为全球三强之一的目标。资料来源：国盛证券研究所根据文献
48、整理 在全球半导体工业发展历史中，依托政府、企业、科研院校力量完成重大国家项目的攻关和突破，无论美国、中国和日本，韩国人是最为极致的，非常类似于日本明治维新时代的“殖产兴业”的财阀制度。客观而言，在举国体制进行重大项目攻关上，韩客观而言，在举国体制进行重大项目攻关上，韩国人的国人的“殖产兴业”财阀制度，其效率是大大优“殖产兴业”财阀制度，其效率是大大优于日本人的“官产学”三位一体。于日本人的“官产学”三位一体。韩国半导体出口在 1989 年首次超过进口，此后顺差一路向上，在三星、海力士带领下持续扩大。图表 14：韩国半导体进出口情况（亿美金）资料来源：wind，国盛证券研究所 2019 年 0
49、3 月 25 日 P.15 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 作为“科技立国”战略重要内容，作为“科技立国”战略重要内容，20 世纪世纪 80 年代以来韩国大幅度提升研发强度，年代以来韩国大幅度提升研发强度，R&D/GDP 从从 80 年代不到年代不到 2%一路提升至一路提升至 1995 年超越年超越 2.5%。反映了政府政策从促进轻工业/传统工业到关注重工业/技术型工业，再到发展知识和技术密集型产业的重大转变。图表 15：韩国 1992 年-2005 年 R&D/GDP 变动情况 图表 16：韩国 KOSDAQ 指数走势 资料来源：中国与韩国研发投入比较研究，国盛证券研究所
50、资料来源：汤森路透，国盛证券研究所 高斯达克（高斯达克（KOSDAQ，韩国创业板，韩国创业板/二板）投资热潮有效解决了很多初创科技企业的资二板）投资热潮有效解决了很多初创科技企业的资金短缺问题。金短缺问题。1999 年韩国 KOSDAQ 创业板正式设立，以 Korea Semiconductor System、首尔半导体为代表的一批企业陆续登陆，投资涌入在当时有效解决了一批创业初期科技公司的研发投入资金问题并改善财务结构，进而驱动全国研发强度持续提升，进而驱动全国研发强度持续提升，1999 年年-2005 年年研发强度从研发强度从 2.47%提升至提升至 2.98%！图表 17：韩国龙头三星、
