1、2014201420142014 年北京大学年北京大学年北京大学年北京大学 938938938938 半导体物理考研试题半导体物理考研试题半导体物理考研试题半导体物理考研试题（回忆版回忆版回忆版回忆版）一一一一、名词解释名词解释名词解释名词解释（30303030 分分分分）1.半导体载流子2.超晶格3.爱因斯坦关系4.声子散射5.俄歇复合6.施主电离能二二二二、计算题计算题计算题计算题 1.一块 n 型半导体，掺杂浓度在体内是呈线性关系，在 x=0 处为掺杂浓度为 N(0)，载流子浓度分别为 n，p，电势为 0，距离 X 处的电势为 V。画出该半导体在平衡时的能带图，求出 X 处的载流子浓度分
2、别为多少。2.一块 p-i-n 的结，如图，p 型半导体与 n型半导体之间隔着一块本征半导体，设掺杂浓度分别为 Na，Nd，在突变耗尽的条件下求：P 型半导体 本证半导体 N 型半导体-Xp 0 d Xn（1）列出泊松方程。（2）求出最大场强 Em（3）验证总的电压降 m=，Wd=Xp+Xn（4）求出总的耗尽层宽度3.异质结原题（2009 年第四题）4.Mos 原题（2009 年第六题）5.金半接触，金属功函数 mn 型半导体功函数 s，半导体亲和势 X，禁带宽度 Eg 画出该接触的在正向偏压与反向偏压下的能带图，分析 C-V 关系6.假设距离导带底部三分之一禁带宽度有一个界面态，界面态密度很大，求此时该样品的接触电流。
