1、YS/T14-2015异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法1范围本标准规定了异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法。本标准适用于测量衬底与沉积层之间界面层厚度小于100nm的异质外延层和硅多晶层的厚度，测量范围为1m100m。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T 14264半导体材料术语GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4方
2、法提要在待测试样的表面，除留出一定测量区域外全部用蜡掩藏，将预留区域内的被测量层腐蚀掉，形成一个台阶，除去掩膜蜡，用表面台阶仪测量台阶的高度，便可得到异质外延层或硅多晶层的厚度。5干扰因素5.1环境温湿度、仪器震动会影响测量结果。5.2试样表面处理后的光洁度会影响测量轨迹。5.3两条测量轨迹线的不平行度会影响测量精度。6试剂和材料6.1氢氟酸：p=1.15 g/mL.分析纯。6.2硝酸：p=1.42 g/mL.分析纯。6.3高纯水：电阻率大于2Mcm(25)。6.4三氯乙烯：分析纯。6.5无水乙醇：分析纯。6.6化学腐蚀剂A:氢氟酸(6.1)：硝酸(6.2)=1：80的混合液。6.7化学腐蚀剂B:氢氟酸(6.1)：硝酸(6.2)=1：10的混合液。
