1、中华人民共和国国家标准半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理GB/T14031-92General principles of measuring methods ofanalogue phase-loop for semiconductorintegrated circuits本标准规定了半导体集成电路模拟锁相环（以下简称器件或模拟锁相环）电参数测试方法的基本原理。模拟锁相环与数字电路相同的静态和动态参数测试可参照GB3439半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理。模拟锁相环与运算放大器相同的静态和动态参数测试可参照GB3442半导体集成电路运算（电压)放大器测试方法的基本原理。1总
2、要求1.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合详细规范的规定。1.2测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响，测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。1.3测试期间，施于被测器件的电参的精度应符合器件详细规范的规定，1.4被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。1.5若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源。1.6测试期间，被测器件应按器件详细规范的规定连接外围网络。锁相环处于闭环状态。1.7测试期间，被测器件应避免出现自澈现象。1.8若电参数值是由几步测试的结果经计算确定的，这些测试的时间间隔应尽可能短。2参数测试2.1跟踪输入电压V1TRA)2.1.1目的在规定中心频率和规定频偏下，测试锁相环保持跟踪的最小输入电压。2.1.2测试原理锁相环接成闭环，跟踪输入电压的测试原理图图1所示。国家技术监督局1992-12-18批准1993-08-01实施1
