ImageVerifierCode 换一换
格式:PDF , 页数:14 ,大小:1.98MB ,
资源ID:2452581      下载积分:14 积分
快捷下载
登录下载
邮箱/手机:
温馨提示:
快捷下载时,用户名和密码都是您填写的邮箱或者手机号,方便查询和重复下载(系统自动生成)。 如填写123,账号就是123,密码也是123。
特别说明:
请自助下载,系统不会自动发送文件的哦; 如果您已付费,想二次下载,请登录后访问:我的下载记录
支付方式: 支付宝扫码支付 微信扫码支付   
验证码:   换一换

加入VIP,免费下载
 

温馨提示:由于个人手机设置不同,如果发现不能下载,请复制以下地址【https://www.wnwk.com/docdown/2452581.html】到电脑端继续下载(重复下载不扣费)。

已注册用户请登录:
账号:
密码:
验证码:   换一换
  忘记密码?
三方登录: QQ登录  

下载须知

1: 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。
2: 试题试卷类文档,如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案,请知晓。
3: 文件的所有权益归上传用户所有。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 本站仅提供交流平台,并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

版权提示 | 免责声明

本文(硅片径向电阻率变化的测量方法 GBT 11073-2007.pdf)为本站会员(la****1)主动上传,蜗牛文库仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知蜗牛文库(发送邮件至admin@wnwk.com或直接QQ联系客服),我们立即给予删除!

硅片径向电阻率变化的测量方法 GBT 11073-2007.pdf

1、GB/T11073-2007前言本标准是对GB/T11073一1989硅片径向电阻米变化的测量方法的修订。本标准修改采用了ASTM F81-01硅片径向电阻率变化的测量方法。本标准与ASTM F81-01的一致性程度为修改采用,主要差异如下:一删去了ASTM F81-01第4章“意义和用途”。本标准与GB/T11073一1989相比主要变化如下:一因GB/T6615已并入GB/T1552,本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为GB/T1552,并将第2章“规范性引用文件”中的“GB/T6615”改为“GB/T1552”;一采用ASTM F81-01第8章“计算”中的计算方法替代原GB110

2、73一1989中径向电阻率变化的计算方法:一依据GB/T1552将电阻常的测量上限由11032cm改为31030cm:一将原GB/T11073一1989中第7章“测量误差”改为第4章“干扰因素”,并对其后各章章号作了相应调整;一删去了原GB/T11073一1989中的表1,采用GB/T12965规定的直径偏差范围:一将原GB/T11073一1989中的表2改为表1,并依据GB/T12965中的规定,在本标准中捌去80.0mm标称直径规格,增加了150.0mm和200.0mm标称直径规格。本标准的附录A是规范性附录。本标准自实施之日起,同时代楷GB/T11073一1989。本标准由中国有色金属工

3、业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:峨半导体材料厂。本标准主要起草人:梁洪、草锐兵、王炎。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:一GB/T11073-1989。GB/T11073-20076.5.1选点方案A小面积十字型,测量六点:在硅片中心点测两次,在两条垂直直径的半径中点(R/2)处各测量一点。6.5.2选点方案B大面积十字型,测量六点:在硅片中心点测两次,在两条垂直直径距硅片边缘6mm处各测量一点。6.5.3选点方案C小面积及大面积十字型,测量十点:在硅片中心点测两次,在两条垂直直径的半径中点(R/2)处各测量一点,距硅片边缘6m

4、m处各测量一点。6.5.4选点方案D一条直径上的高分辨型:在硅片中心点以及中心与直径两端的距离之间,以2m间隔在尽可能多的位置上进行测量。6.6用GB/T6618中规定的厚度仪,在选点方案C(见图1中C)的九个点测量并记录各点厚度。7测量步骤7.1调整样品,使第一条测量的直径位于垂直于主参考面的直径或通过参考标记的直径沿逆时针方向旋转30的位置(见6,3条和图1)。仲裁测量时,要记下相对于参考面或参考标记的各测量点位置。7.2选定一种选点方案(见6.5条和图1)。7.3如果需要电阻节的绝对值,则应测量并记录样品的温度。7.4按选定的选点方案进行测量。7.4.1将四探针置于被测样品表面,使四探针

5、的排列直线垂直于经过测量点的半径,四探针直线的中点在测量点士0,15mm范围以内。7.4.2按GB/T1552的要求,测量正向和反向电阻米。7.4.3如果硅片是非标称直径,则须记永样品中心到四探针直线中点的距离。8测量结果的计算8.1对每一个测量位置进行以下计算。8.1.1按GB/T1552中的计算方法计算并记下电阻举的平均值。8.1.2对标称直径硅片(见6.4条),则根据表1确定修正因子F:的值。8.1.3非标称直径的硅片及探针间距不为1.00mm或1.59mm时,按附录A中第A.3章进行修正。8.1.4如果需要电阻常的绝对值,则可按GB/T1552中6.3.4条的规定计算该温度下的样品电阻常。如果需要随位置变化的电阻节,则温度的修正可以忽略不计。在测量过程中,如果样品温度变化不大于2C,引起计算电阻华变化的误差不大于2%。8.2对选点方案A,B或C,按式(1)、式(2)计算径向电阻常平均百分变化(%)和最大百分变化(%)。平均百分变化=色一100式中:,一硅片中心点测得的两次电阻率平均值,Qcmp,一硅片半径中点或距边缘6mm测得四个电阻率平均值,cm。

copyright@ 2008-2023 wnwk.com网站版权所有

经营许可证编号:浙ICP备2024059924号-2