1、1 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。科创板科创板受理公司巡礼系列之（受理公司巡礼系列之（一一）深探内核：十深探内核：十五五年磨一剑，中微实现年磨一剑，中微实现后发制人后发制人原因何在原因何在？公司成立于 2004 年，主要业务是开发大型真空的微观器件工艺设备，包括等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备，公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从 65nm 到 14nm、7nm 和 5nm 的集成电路加工制造及先进封装；MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产。公司 2018 年实现营收 16.3
2、9 亿元（+68.66%）；实现扭亏为盈，归母净利润 0.91 亿元（+203.72%）；2018 年公司在全球氮化镓基 LED MOCVD 设备市场占据主导地位公司，成功进入国内泛半导体龙头三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等，MOCVD 设备销售收入增长迅速，2018 年实现收入 8.32 亿元，占比超过50%；刻蚀设备已进入 5nm 尺寸，进入了包括台积电、SK 海力士、联华电子、格芯等世界龙头企业，2018 年刻蚀设备收入为 5.66 亿元，占比 34.51%。公司保持大额研发投入与高研发投入占比，2018 年研发投入研发投入 4.0 亿元亿元。截至 2 月 28 日，公司已申请
3、1201 项专利，已获授权专利已获授权专利 951 项项。公司产品也逐渐得到全球企业的认可，在 2018 年度 VLSI Research“客户满意度”调查中位居全球半导体设备公司的第三名，在刻蚀和清洗设备供应商排名中位列第二，在全球薄膜沉积设备供应商排名中荣登榜首。聚焦市场：当前时点下，半导体聚焦市场：当前时点下，半导体设备设备行业行业发展发展如何？如何？根据 SEMI 统计，全球半导体设备销售额由 2013 年的 318 亿美元增长至2018 年的预估 621 亿美元（CAGR14.33%）；大陆半导体设备销售则增长更为迅猛，2018 年半导体设备在中国大陆的销售额预计为 128 亿美元（
4、+56%），约占全球半导体设备市场的 21%，已成为仅次于韩国的全球第二大半导体设备需求市场。晶圆制造设备具体分类中，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备，2017 年价值量分别占比占晶圆制造设备价值量为 24%、23%和 18%。应用材料、阿斯麦、东京电子、泛林半导体与科天半导体前五大半导体设备制造厂商，由于起步较早，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了全球半导体设备市场 65%的市场份额，行业呈现出高度垄断垄断的竞争格局。随着研发投入的增加，国内中微、北方华创等公司的市场竞争力不断增强。海外标杆：深析三家海外优质半导体设备公司，我们看到了什
5、么？海外标杆：深析三家海外优质半导体设备公司，我们看到了什么？应用材料：应用材料：全球最大半导体设备制造商，产品覆盖全面；公司沉积设备的技术在全球领先，在刻蚀、清洗、平整化设备、离子注入设备、过程控制设备与自动化装备市场也占有一席之地。2018 年，公司营收达到 172.5 亿美元，净利润达到 33 亿美元。阿斯麦：阿斯麦：光刻机领域龙头，全球唯一的极紫外光 EUV 光刻机供应商；阿斯麦的主要客户为全球一线的晶圆厂，包括英特尔、三星、台积电与中芯国际等。2018 年，公司营收达到 125.13 亿美元，净利润达到 29.63 亿美元。Tabl e_Ti t l e 2019 年年 04 月月
6、19 日日 中微公司中微公司拟科创板上市，拟科创板上市，半导体设备半导体设备后起之秀或突破国际垄断后起之秀或突破国际垄断？Tabl e_BaseI nf o 新三板主题报告新三板主题报告 证券研究报告 诸海滨诸海滨 分析师SAC 执业证书编号：S1450511020005 021-35082086 相关报告相关报告 近一周共 4 家企业 IPO 过会，其中 1 家为三板企业：松炀资源 2019-04-13 如涵登陆纳斯达克，“网红”经济浮出水面-全市场消费行业策略 2019-04-13 今年第五家新三板企业环保再生纸供应商松炀资源 IPO过会点评 2019-04-12 反弹行情下市场结构如何演
7、变？新三板二季度投资策略 2019-04-12 新三板日报（新三板年报捷报频传 科创板概念股业绩、股价双双创新高）2019-04-12 2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 2 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。拉姆研究：全球第三大半导体生产商，近三年净利润增速超过 40%；公司下游客户为主流半导体供应商和代工厂，包括 SK 海力士、美光、台积电和中芯国际等；2018 年公司营收 110.77 亿美元，净利润达到 23.81 亿美元。横纵比较：横纵
8、比较：对比北方华创，中微公司有何独特优势对比北方华创，中微公司有何独特优势？国内上市公司中，所涉及业务的公司主要是北方华创。北方华创。中微公司自成立以来专注为 IC 与 LED 领域客户提供服务，而北方华创的业务覆盖则更广，包括半导体能源（光伏）、半导体照明（LED）、半导体显示（面板）以及半导体集成电路（IC），下游客户均为半导体 IC、LED、LCD、光伏四大领域龙头企业。北方华创 NMC612D其最大芯片制程为 28nm，该设备已进入中芯国际生产线；中微半导体的 Primo nanova涵盖 14nm、7nm、到 5nm 尺寸的刻蚀应用，其中 7nm 已进入台积电生产线。而 5nm 的精
9、细度已经与国际巨头目前设备水平一致。与北方华创相比，中微研发投入比例基本持平基本持平，研发人员比例较高。公司毛利率与北方华创基本持平，净利率差距不断缩小净利率差距不断缩小。在营运能力与成本管理方面，公司总体优于北方华创。风险提示：风险提示：行业竞争加剧、宏观政策影响行业竞争加剧、宏观政策影响。2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 3 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。内容目录内容目录 1.写在前面：中微公司拟登陆科创板，成半导体设备
10、行业领先？写在前面：中微公司拟登陆科创板，成半导体设备行业领先？.6 2.明辨概念：到底何为刻蚀设备与明辨概念：到底何为刻蚀设备与 MOCVD 设备？设备？.7 2.1.刻蚀设备：半导体制造工艺的关键步骤，工艺要求不断提升.7 2.2.MOCVD 设备：LED 制造重要环节，技术长足发展.8 3.深探内核：十五年磨一剑，中微实现后发制人原因何在？深探内核：十五年磨一剑，中微实现后发制人原因何在？.10 3.1.纵观发展历程：专注等离子刻蚀与薄膜沉积设备研发，已进入 5nm 领域.10 3.2.深入核心业务：专注半导体设备研发生产与销售，MOCVD 设备成主要收入来源.11 3.2.1.刻蚀设备
11、：刻蚀设备已进入 5nm 尺寸，占营收比重为 35%.12 3.2.2.MOCVD 及其他设备：公司营收最大贡献，2018 年营收 8.32 亿元.15 3.3.细析业绩表现：营收两年复合增长率 64%，2018 年归母净利润 0.91 亿.17 3.3.1.财务状况：2018 营收 16.39 亿元，净利润扭亏为盈.17 3.3.2.季节与地域特征：大陆地区逐渐成主要收入来源地，第四季度为收入旺季.19 3.3.3.客户与销售模式：客户集中度超过 60%，直销为主要模式.20 3.4.剖析竞争优势：专业研发团队+高研发投入，全球认可度较高.20 3.5.募投项目分析：拟发行不超过 5348.
12、62 万股，融资 10.02 亿.21 4.聚焦市场：当前时点下，半导体设备行业发展如何？聚焦市场：当前时点下，半导体设备行业发展如何？.24 4.1.市场规模：2018 年全球半导体设备销售额 621 亿美元，中国大陆约占 21%.24 4.1.1.刻蚀设备行业：下游需求推动工艺不断发展，价值比重逐渐提高.25 4.1.2.MOCVD 设备行业：中国需求跃居全球第一，保有量占全球比例已超 40%.27 4.2.竞争格局：中微逐渐成为国内领先，与海外巨头仍有较大差距.27 4.3.发展趋势：需求精细化推动刻蚀设备发展，LED 新产业方向引领潮流.29 5.海外标杆：深析三家海外优质半导体设备公
13、司，我们看到了什么？海外标杆：深析三家海外优质半导体设备公司，我们看到了什么？.31 5.1.应用材料：全球最大半导体设备制造商，产品覆盖全面.31 5.2.阿斯麦：光刻机领域龙头，全球唯一的极紫外光 EUV 光刻机供应商.33 5.3.拉姆研究：全球第三大半导体生产商，近三年净利润增速超过 40%.35 6.横纵比较：对比北方华创，中微公司有何独特优势？横纵比较：对比北方华创，中微公司有何独特优势？.37 6.1.研发角度：研发投入持平+研发人员比例 37%+发明专利数量处较高水平.37 6.2.财务角度：与北方华创各有千秋，盈利能力同海外公司仍有差距.39 图表目录图表目录 图 1：半导体
14、三大核心制造工艺示意图.7 图 2：干法刻蚀流程.7 图 3：电容性等离子反应腔.8 图 4：电感性等离子体刻蚀反应腔.8 图 5：MOCVD 系统方框图.8 图 6：MOCVD 系统原理.9 图 7：中微公司发展历程.10 图 8：公司股权结构.11 图 9：公司主营业务结构.12 图 10：公司专用设备收入结构.12 图 11：刻蚀设备的生产工艺流程.15 图 12：公司刻蚀设备销售收入及占比.15 图 13：公司刻蚀设备毛利及毛利率.15 2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 4 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限
15、公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。图 14：公司 MOCVD 设备生产流程.17 图 15：公司 MOCVD 设备销售收入及占比.17 图 16：公司 MOCVD 设备毛利及毛利率.17 图 17：公司营业收入及毛利率情况.18 图 18：公司净利润及净利率情况.18 图 19：公司费用率情况.19 图 20：公司资产周转情况.19 图 21：公司分地域收入情况（万元）.19 图 22：公司分季度收入情况（万元）.19 图 23：2016-2018 年公司研发投入与占比情况.21 图 24：中国集成电路市场规模及国产情况.24 图 25：
16、2018 年全球半导体产品结构分布.24 图 26：半导体产业链.25 图 27：全球半导体设备销售额及增速.25 图 28：大陆半导体设备销售额及增速.25 图 29：2017 年集成电路各类设备销售额占比.26 图 30：2017 年圆晶制造各类设备销售额占比.26 图 31：10nm 多重模板刻蚀工艺.26 图 32：各类设备在晶圆产线中的价值占比.26 图 33：中国 LED 显示市场规模.27 图 34：中国 MOCVD 设备保有量.27 图 35：2016 2017 年四家半导体公司研发费用（亿美元）.28 图图 36：2017 全球刻蚀设备市场份额分布情况全球刻蚀设备市场份额分布
17、情况.28 图 37：存储器 2DNAND 与 3DNAND 示意图.29 图 38：2018-2022 年 MiniLED 市场规模预测（亿元）.30 图 39：2018-2022 年 MicroLED 市场规模预测（亿元）.30 图 40：应用材料股价走势（美元）.31 图 41：2010-2018 年应用材料营业收入情况.32 图 42：2010-2018 年应用材料净利润情况.32 图 43：2012-2018 年应用材料研发支出情况.32 图 44：2012-2018 年应用材料毛利率与净利率情况.32 图 45：2013-2018 年应用材料四大事业部营收（百万美元）.33 图 4
18、6：阿斯麦股价走势（美元）.33 图 47：阿斯麦产品发展历程.34 图 48：2013-2018 年阿斯麦营业收入情况.34 图 49：2013-2018 年阿斯麦净利润情况.34 图 50：2013-2018 年阿斯麦研发支出情况.34 图 51：2013-2018 年阿斯麦毛利率与净利率情况.35 图 52：拉姆研究股价走势（美元）.35 图 53：2013-2018 年拉姆研究营业收入情况.36 图 54：2013-2018 年拉姆研究净利润情况.36 图 55：2013-2018 年拉姆研究研发支出情况.36 图 56：2013-2018 年拉姆研究料毛利率与净利率情况.36 图 5
19、7：中微公司业务及主要客户.38 图 58：北方华创业务及主要客户.38 2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 5 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。表 1：公司核心技术团队人员简介.10 表 2：中微公司主要产品.11 表 3：公司刻蚀设备主要产品.12 表 4：电容等离子体刻蚀设备核心技术概况.13 表 5：电容等离子体刻蚀设备核心技术具体特征.13 表 6：电感性等离子体刻蚀设备与深硅刻蚀设备（TSV 系列）核心技术概况.14
20、 表 7：电感性等离子体刻蚀设备与深硅刻蚀设备（TSV 系列）核心技术具体特征.14 表 8：公司刻蚀设备产销量及价格情况.15 表 9：公司 MOCVD 及其他设备主要产品.16 表 10：MOCVD 设备核心技术概况.16 表 11：MOCVD 设备核心技术具体特征.16 表 12：公司 MOCVD 设备产销量及价格情况.17 表 13：2016-2018 年公司经营活动现金流量明细（百万元）.18 表 14：2016-2018 公司应收票据及应收账款情况（万元）.18 表 15：2016-2018 年公司预收款项情况（万元）.19 表 16：公司主要客户群体.20 表 17：中微公司主营
21、业务收入销售方式构成情况.20 表 18：公司人员构成.20 表 19：募集资金用途.22 表 20：新技术课题研发基本情况.22 表 21：半导体产业链上游.24 表 22：半导体产业链中游.24 表 23：2018 年全球前五大半导体设备制造商系统及服务收入排名.27 表 24：全球前五大半导体设备制造商涉及领域.27 表表 25：公司在行业主要竞争对手：公司在行业主要竞争对手.29 表 26：应用材料发展历程.31 表 27：阿斯麦发展历程.33 表 28：拉姆研究发展历程.35 表 29：可比公司研发对比.37 表 30：中微公司主要董事、监事、高管及核心技术人员薪酬情况.37 表 3
22、1：中微公司承担的重大科研项目.37 表 32：中微公司与北方华创细分领域.38 表 33：中微公司与北方华创主要设备差异.38 表 34：公司与北方华创盈利能力对比.39 表 35：中微公司与国外可比公司营业收入对比.39 表 36：中微公司与国外可比公司毛利率对比.39 表 37：中微公司与国外可比公司净利率对比.39 表 38：公司与北方华创偿债能力对比.40 表 39：公司与北方华创营运能力对比.40 表 40：公司与海外可比公司营运能力对比.40 表 41：中微公司与北方华创成本管理对比.41 2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3
23、:4 7 6 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。1.写在前面：写在前面：中微公司拟登陆科创板，成半导体设备行业领先？中微公司拟登陆科创板，成半导体设备行业领先？2019 年 3 月 29 日，中微公司发布科创板上市招股说明书（申报稿）。本次拟发行股份不超过 5348.62 万股，占发行后总股本比例为 10.00%，发行后总股本为 53486.22 万股。公司本次发行上市申请适用上市规则第 2.1.2 条第（四）项的规定。即预计市值不低于人民币30 亿元，且最近一年营业收入不低于人民币 3 亿元
24、。本文将对本文将对中微公司中微公司经营状况，行业发展动态以及主要经营状况，行业发展动态以及主要可比公司可比公司进行深度分析，解读进行深度分析，解读刻蚀设备刻蚀设备与薄膜沉积设备行业与薄膜沉积设备行业发展趋势并剖析发展趋势并剖析中微公司中微公司独特优势。独特优势。中微公司成立于 2004 年，主要从事高端半导体设备的研发、生产和销售。凭借自成立以来对等离子体刻蚀设备和 MOCVD 设备的开发，逐渐成为国内领先，达到国际先进水平。同时公司产品也逐渐得到全球企业的认可，在 2018 年度 VLSI Research“客户满意度”调查中位居全球半导体设备公司的第三名，在刻蚀和清洗设备供应商排名中位列第
25、二，在全球薄膜沉积设备供应商排名中荣登榜首。公司聚焦用于集成电路、LED 芯片等微观器件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和MOCVD 设备等关键设备的研发、生产和销售。2018 年公司实现营业收入 16.39 亿元，同比增长 68.66%；实现归母净利润 0.91 亿元，同比增长 203.72%。根据招股说明书募集资金倒推隐含 PE 为 110.05X，公司估值为 100.00 亿元。半导体设备属于 IC 产业链的上游，而刻蚀与薄膜沉积又分别是半导体与 LED 制造的核心工艺，随着中国 IC 市场需求逐渐扩大，对半导体设备的需求也会到达一个新的台阶。刻蚀设备市场中，下游对半导体精细化的需求
26、将逐渐推动刻蚀设备与工艺的发展，刻蚀设备有望逐渐成为半导体设备中价值含量最高的设备；MOCVD 设备市场中，LED 显示成为新热点，深紫外 LED、Mini LED、Micro LED 以及功率器件将逐渐进入市场，为 MOCVD 设备发展注入新活力。目前，全球半导体市场主要由国外厂商主导，行业呈现出高度垄断的竞争格局。随着研发投入的增加，国内中微、北方华创等公司的市场竞争力不断增强，国产替代进口的空间巨大。中微公司与国内可比公司北方华创相比，中微公司拥有较强的研发能力，研发人员比例更高，发明专利数量处于较高水平；从财务角度，中微公司毛利率在近三年与北方华创相当，流动比率和速动比率低于北方华创，
27、资产负债率高于可比公司，营运能力总体优于北方华创，销售费用率高于北方华创，管理费用率低于可比公司。但与海外可比公司相比，营业收入体量差距较大，毛利率与净利率也有较大差距。综上所述，我们认为，国内综上所述，我们认为，国内刻蚀设备与刻蚀设备与 MOCVD 设备设备行业未来市场空间巨大。行业未来市场空间巨大。我们推出本周系列专题，对刻蚀设备与 MOCVD 设备行业的发展情况进行了深入分析，做出如下思考：从原理出发，刻蚀设备与 MOCVD 设备工艺发展如何？从招股说明书出发，中微公司发展表现如何？下游需求旺盛+工艺不断突破，国内刻蚀设备与 MOCVD 市场能否实现飞跃？海外优质公司深度分析，有啥借鉴意
28、义？对比国内可比公司北方华创，中微有何独特优势？2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 7 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。2.明辨概念：到底何为明辨概念：到底何为刻蚀设备刻蚀设备与与 MOCVD 设备？设备？2.1.刻蚀设备：刻蚀设备：半导体制造工艺的关键步骤半导体制造工艺的关键步骤，工艺要求不断提升，工艺要求不断提升 晶圆制造是半导体生产中的必要环节，指利用二氧化硅作为原材料制作单晶硅硅片的过程。其中光刻、刻蚀、薄膜沉积构成了
29、IC 制造的三大核心工艺。刻蚀设备是硅平面器件，与光刻、显影设备共同形成电路图形的关键设备。刻蚀工艺的目的就是将胶层掩膜上的图形尽可能精确地转移到下面的片子上，每一层结构加工都需要十几个步骤，随着芯片结构尺寸要求逐渐缩小，对刻蚀工艺精细度的要求也在逐渐提高。图图 1：半导体三大核心制造工艺示意图半导体三大核心制造工艺示意图 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 刻蚀是用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程，是与光刻相联系的一种主要工艺。刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻蚀由于各向异性较差，无法控制线宽，逐渐无法适应对工艺精细化的要求，通常用于工艺尺寸较大的应用或干法刻蚀
30、后清洗残留物等；干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，拥有较好的各向异性，其中以等离子体干法刻蚀为主导，主要用于刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。图图 2：干法刻蚀流程：干法刻蚀流程 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 8 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。蚀，电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深
31、宽比的深孔、深沟等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的和较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。图图 3：电容性等离子反应腔电容性等离子反应腔 图图 4：电感性等离子体刻蚀反应腔：电感性等离子体刻蚀反应腔 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 2.2.MOCVD 设备：设备：LED 制造重要环节，技术长足发展制造重要环节，技术长足发展 MOCVD 是生产是生产 LED 外延芯片的关键设备。外延芯片的关键设备。LED 产业链由衬底加工、LED 外延片生产、芯片制造和器件封装组成。该产业链中主要涉及的设备
32、包括：衬底加工需要的单晶炉、多线切割机；制造外延片需要的 MOCVD 设备；制造芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备；封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。其中，MOCVD 设备的采购金额一般占 LED生产线总投入的一半以上。MOCVD 以 III、II 族元素的有机化合物和 V、VI 族元素的氢化物等作为晶体生长原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长薄层单晶材料。图图 5：MOCVD 系统方框图系统方框图 资料来源：MOCVD原理及设备，安信证券研究中心 生产型 MOCVD 设备集气体动力学、流体力学、自动化控制、CAD 于一体。目前先进的MOCVD 设备有两大类，一类是行
33、星式旋转大面积均匀生长设备，以德国 AIXTRON 公司的设备为代表，基本是常压水平式生长结构。该设备衬底盘很大,可以实现缓慢均匀旋转。衬底盘上装载的衬底在生长材料过程中，被自下向上流入的氢气流轻轻托起并匀速旋转，保证2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 9 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。了衬底上的材料可大面积、均匀地生长。最新发展的 AIXTRON 生长室还吸收了立式生长方式的优点：源材料气流从室顶部注入，再在衬底上方变成平流
34、方式，实现及时补充因材料生长过程中源材料逐渐消耗引起的不均匀性，使得设备成为优质外延片生长规模最大的设备。另一类是高速涡轮立式生长设备，以美国 EMCORE 公司设备为代表 基本是低压立式结构。该设备的衬底盘转速达 1000 r/min 或更高，基座旋转不仅改善了温度均匀性,而且还起到了泵的作用，改善了基座上方温度和反应剂浓度分布均匀性，有助于获得均匀的外延层和较高的生长速度。除了衬底随基座旋转外，衬底自身没有自转。图图 6：MOCVD 系统原理系统原理 资料来源：MOCVD原理及设备，安信证券研究中心 2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3
35、:4 7 10 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。3.深探深探内内核核：十：十五五年磨一剑，中微实现年磨一剑，中微实现后发制人后发制人原因何在？原因何在？3.1.纵观发展历程：纵观发展历程：专注等离子刻蚀与薄膜沉积设备研发，已进入专注等离子刻蚀与薄膜沉积设备研发，已进入 5nm 领域领域 中微公司于 2004 年成立，主要从事高端半导体设备的研发、生产和销售。主要业务是开发大型真空的微观器件工艺设备，包括等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备。等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备与光刻机一并是制造集成电路、
36、LED 芯片等微观器件的最关键设备。公司一直致力于半导体设备的升级与更新换代，当前刻蚀设备已进入 5nm 领域。图图 7：中微公司发展历程中微公司发展历程 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 公司核心技术团队由 6 名成员组成，6 名成员皆为美国国籍，大部分拥有博士学历，其中有多名成员曾任职于泛林半导体、应用材料等国际知名企业。表表 1：公司核心技术团队人员简介：公司核心技术团队人员简介 姓名姓名 职位职位 个人简历个人简历 尹志尧尹志尧 董事长、总经理 1944 年生，美国国籍，中国科学技术大学学士，加州大学洛杉矶分校博士。1986 年至 1991 年，就职于泛林半导体，历任研发部资深工
37、程师、研发部资深经理；1991 年至 2004 年，就职于应用材料，历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官。2004 年至今，担任中微公司董事长及总经理。杜志游杜志游 董事、副总经理 1959 年生，美国国籍，上海交通大学学士，美国麻省理工学院硕士、博士。1990 年至 1999 年，历任 PraxairInc.高级工程师、经理、董事总经理等；1999年至 2001 年，担任应用材料全球供应管理经理；2001年至2004 年，担任梅特勒-托利多上海子公司总经理。2004年至今，历任中微公司副总裁、资深副总裁、首席运营官。现任中微公司董
38、事及副总经理。倪图强倪图强 副总经理 1962 年生，美国国籍，中国科学技术大学学士、硕士，美国德州大学博士、博士后。1995 年至 2004年，担任泛林半导体技术总监；2004 年8 月至今，历任中微公司执行总监、副总裁，现任中微公司副总经理。麦仕义麦仕义 副总裁 1947 年生，美国国籍，台湾大学学士、美国马里兰大学博士。1985 年至 1989年，担任英特尔资深工程师；1989年至2003 年，担任应用材料资深总监；2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 11 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安
39、信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。2004 年1 月至 2004年 6月，担任英特尔项目经理；2004年 8月至今，担任中微公司副总裁。杨伟杨伟 副总裁 1966 年生，美国国籍，西安交通大学学士、硕士。1993 年至 1995 年，担任智群科技股份有限公司项目经理；1995年至2004 年，担任应用材料软件部资深总监；2004 年至今，担任中微公司副总裁。李天笑李天笑 副总裁 1958 年生，美国国籍，复旦大学学士、美国韦恩大学硕士、美国纽约大学硕士。1990 年至 1995 年，担任美国索尼资深电气工程师；1995年至 2004 年，担任应用材料亚太项目经
40、理；2004年9 月至今，担任中微公司副总裁。资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 发行人股权结构中，代表性股东为上海创投和巽鑫投资，持股比例分别为 20.02%、19.39%，前十大股东持股比例合计为 74.66%。图图 8：公司股权结构公司股权结构 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 3.2.深入核心业务：深入核心业务：专注半导体设备研发生产与销售，专注半导体设备研发生产与销售，MOCVD 设备成主要收入设备成主要收入来源来源 公司主要为集成电路、LED 芯片、MEMS 等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备及其他设备，公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65
41、纳米到14纳米、7 纳米和 5 纳米的集成电路加工制造及先进封装；MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基 LED 设备制造商。表表 2：中微公司主要产品：中微公司主要产品 产品类别产品类别 图示图示 应用领域应用领域 电容性等离子体电容性等离子体 刻蚀设备刻蚀设备 主要应用于集成电路制造中氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等电介质材料的刻蚀 2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 12 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。
42、各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。电感性等离子体电感性等离子体 刻蚀设备刻蚀设备 主要应用于在集成电路制造中单晶硅、多晶硅等材料的刻蚀 主要应用于 CMOS 图像传感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割等通孔及沟槽的刻蚀 MOCVD设备设备 LED外延片及功率器件生产 VOC 设备设备 平板显示生产线等工业用的空气净化 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 公司主营业务收入主要来自半导体专用设备的销售，专用设备中，刻蚀设备与 MOCVD 设备又是收入主要来源，其他设备收入主要来自于 VOC 设备销售。2018 年专用设备收入合计为13.98 亿元，占比为 85.29%。图图 9
43、：公司主营业务结构公司主营业务结构 图图 10：公司专用设备收入结构公司专用设备收入结构 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 3.2.1.刻蚀设备刻蚀设备：刻蚀设备已进入刻蚀设备已进入 5nm 尺寸，尺寸，占营收比重为占营收比重为 35%中微公司从 2004 年建立起首先着手开发甚高频去耦合的 CCP 刻蚀设备，涵盖 65、45、32、28、22、14、7、5 纳米关键尺寸的众多刻蚀应用；从 2012 年开始开发 ICP 刻蚀设备，ICP刻蚀设备主要是涵盖 14、7、5 纳米关键尺寸的刻蚀应用。电容性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高
44、、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。公司等离子体刻蚀设备通过采用双反应台技术增加了产能输出，有效降低客户的成本。表表 3：公司刻蚀设备主要产品：公司刻蚀设备主要产品 类型类型 型号型号 推出时间推出时间 特点特点 应用领域应用领域 电容性等离子体刻蚀设备电容性等离子体刻蚀设备 PrimoD-RIE 2007 年 双反应台多反应腔主机系统，每个反应腔都可以在单晶圆反应环境下同时加工两片晶圆 65-16 纳米集成电路制造 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%201620172018设备维护 备品备件 专用设备 0
45、%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%201620172018其他设备 MOCVD设备 刻蚀设备 2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 13 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。PrimoAD-RIE 2011 年 可灵活装臵多达三个双反应台反应腔 45-7纳米逻辑集成电路制造 PrimoAD-RIE-e 2017 年 在 PrimoAD-RIE的基础上改进了静电吸盘，达到四分区单独温控并有动态调温的功能 7
46、 纳米以下逻辑集成电路制造 PrimoSSCAD-RIE 2013 年 可支持六个完全独立可控的单反应台腔体 16 纳米以下 2D闪存芯片制造 PrimoSSCHD-RIE 2016 年 在 PrimoSSCAD-RIE的基础上，进一步优化刻蚀反应气体的气流分布、改进了下电极的设计 64 层及以上的 3D闪存芯片制造 电感性刻蚀设备电感性刻蚀设备 Primonanova 2016 年 可配臵多达六个刻蚀反应腔、两个可选的除胶反应腔 14 纳米及以下的逻辑电路；19纳米以下存储器件和 3D闪存芯片制造 PrimoTSV 2010 年 深硅刻蚀设备，每台系统可配臵多达三个双反应台的反应腔 深硅刻蚀
47、应用，包括先进封装、CMOS 图像传感器、MEMS、功率器件和等离子切割等 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心 公司重视核心技术发展，强调创新和差异化。在电容性等离子体刻蚀设备的开发中，公司提出甚高频去耦合等离子体刻蚀技术；在电感性等离子体源的开发中，公司创造性地设计了新型电感线圈架构，极大减少电容性耦合引起的不良作用。相关核心技术与专利紧密结合，并且基本进入量产阶段。表表 4：电容等离子体刻蚀设备核心技术电容等离子体刻蚀设备核心技术概况概况 名称名称 技术来技术来源源 专利情况专利情况 技术水技术水平平 应用和贡献情况（“”代表已量产）应用和贡献情况（“”代表已量产）PrimoD-RIE
48、 PrimoAD-RIE PrimoSSCAD-RIE PrimoSSCHD-RIE 双反应双反应台高产台高产出率技出率技术术 自主研发 已获授权专利 5 项 国际先进 接触式接触式上电极上电极喷淋板喷淋板技术技术 自主研发 已获授权专利 10项；申请中专利 6项 国际先进 晶圆边晶圆边缘区域缘区域气帘技气帘技术术 自主研发 已获授权专利2项；申请中专利 2 项 国际先进 脉冲阻脉冲阻抗匹配抗匹配技术技术 自主研发 已获授权专利 11项；申请中专利 2项 国际先进 等离子等离子体约束体约束技术技术 自主研发 已获授权专利7项；申请中专利 3 项 国际先进 资料来源：招股说明书，安信证券研究中心
49、 表表 5：电容等离子体刻蚀设备核心技术电容等离子体刻蚀设备核心技术具体特征具体特征 名称名称 具体具体特征特征 双反应台高产出率技术双反应台高产出率技术 高输出量等离子体反应腔能同时加工 2 片晶圆且不干扰加工精度，有效增加产出率，可同时减少设备生产成本。接触式上电极喷淋板技术接触式上电极喷淋板技术 电极喷淋板技术采用了新型陶瓷材料、新型的加工方法并实现了耐腐蚀性；该技术采用喷淋板与控温体机械接触方式，不仅突破了受到专利保护的粘合技术，而且能实现相比粘和技术更低的缺陷数和制造成本。晶圆边缘区域气帘技术晶圆边缘区域气帘技术 气帘技术通过特殊的气路和气流通道孔径设计，在保证刻蚀均匀度的同时在晶圆
50、边缘形2 0 4 1 9 8 4 5/3 6 1 3 9/2 0 1 9 0 4 1 9 1 3:4 7 14 新三板主题报告 本报告版权属于安信证券股份有限公司。本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。各项声明请参见报告尾页。成大流量气体帘以达到阻碍异物颗粒从晶圆周边进入晶圆上方导致沉降式颗粒缺陷的目的。脉冲阻抗匹配技术脉冲阻抗匹配技术 公司自主开的双水平双频脉冲射频等离子体阻抗匹配技术，有效解决了脉冲射频等离子体的功率输出稳定性难题，实现对沟槽底部积累电荷进行去除。等离子体约束技术等离子体约束技术 自主研发的等离子体约束技术基于电场屏蔽原理，通过对约束环的通孔尺寸形状以
