1、ICS29.045H80YS中华人民共和国有色金属行业标准YS/T985-2014硅抛光回收片Polished reclaimed s:con wafers2014-10-14发布2015-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布YS/T985-2014前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准修改采用SEMI M38-0307硅抛光回收片规范，本标准与SEM1M38-0307相比存在技术性差异，这些差异涉及的条款已通过在其外侧页边空白位置的垂直单线()进行了标识。内容与SEMI M.38-0307的主要差别在于：一仅采用了SEM1M38-0307中关于100mm、12
2、5mm、150mm和200mm硅抛光回收片的内容，删除了原标准中关于50.8mm、76.2mm和300mm直径的硅抛光回收片内容（包括附录1和附录2)。将SEM1M38-0307中表1和表2中关于100mm、125mm、150mm和200mm硅抛光回收片的规范合并，形成本标准中的表1。一根据我国标准编写的习惯进行排版，并将技术要求表格提前。本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/T243)归口。本标准负责起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。本标准参加起草单位：有研半导体材料股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、上海合品硅材料有限公司。本标准主要起草人：何良恩、
3、刘丹、许峰、张海英、孙黎、曹孜、王飞尧、楼春兰、徐新华。YS/T 985-2014硅抛光回收片1范围本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片（主要包括100mm、125mm、150mm和200mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片)经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。另外，使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注
4、日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1554硅晶体完整性化学优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量的红外收测量方法GB/T2828.1计数抽样检验程序1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6619硅片弯曲度测试方法GB/T6620硅片翘曲度
5、非接触式测试方法GB/T6621硅片表面平整度测试方法GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12962硅单GB/T12964硅单品抛光片GB/T13387硅及其他电子材料片参考面长度测量方法GB/T13388硅片参考面结学取向X射线测试方法GB/T14140硅片直径测量方法GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T19922硅抛光片局部平整度非接触式检测方法GB/T24575硅和硅外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱测试方法
