1、1Cs29.045H80中华人民共和国国家标准GB/T13389-2014代替GB/T13389一1992掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon2014-12-31发布2015-09-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T13389-2014分是为了提高换算的特性以供低糁杂值的要求。注2：硅中砷摻杂(105
2、cm1一6X10cm1)区域呈现了不同于穆磷的换算曲线，但它仅仅指导从摻杂剂浓度到电阻率的换算。它是基于Fai“和Tsai6用霍尔效应测量得到的掺杂剂浓度范围，10cm以下的摻杂范围亦可应用掺磷的换算曲线。注3：无论摻杂剂范围如何，都可以通过测量得到电阻率范围（最常用的电阻率测量方法详见GB/T1551),通过各种技术建立一个完整的摻杂剂数值范用是非常必要的，而这些技术并不一定对半导体中的相同参数都有响应。本标准中提供的这些换算中，在约10sc8以下的硼、磷样品被假定可以忽略补偿，因此其摻杂剂浓度的数据是可以直接使用电流-电压的测量得到，大于10%cm3的数据是用蛋尔效应测量得到的。另外在此范
3、围，中子活化分析和光谱分析也可以用于确定磺浓度，原子示踪技术可用于确定硼浓度，从这些分析技术中得到的数据右些是矛盾的，使用的主要数据是由霍尔效应测量给出的（霍尔系数测量方法详见GB/T4326)。5换算5.1电阻率与掺杂剂浓度的换算5.1.1摻硼硅单品中电阻率换算摻杂剂浓度按式(1)进行：N=L.330X10161.082101(1）p1+(54.56p).1式中：p电阻率，单位为欧姆厘米(2cm):NA一刚的摻杂剂浓度，单位为每立方厘米(cm3)。摻硼硅单晶从电阻率换算掺杂剂浓度见表A.1。5.1.2掺硼硅单晶中掺杂剂浓度换算电阻率按式(2)进行：p=1.305X1041.133101(2）NA1+(2.581019NA).77式中：p一电阻率，单位为欧姆厘米(2cm):N一硼的掺杂剂浓度，单位为每立方厘米(cm3).掺硼硅单晶从掺杂剂浓度换算电阻率见表A.2。5.1.3掺磷硅单晶中电阻率换算掺杂剂浓度按式(3)进行：V,=6.242X101102(3）式中：一电阻率，单位为欧姆厘米(2cm):V。一磷的惨杂剂浓度，单位为每立方厘米(cm3):Z=A十A1x+Ax2+Ax21+B1x+B2x2+Bx39x=lgo:A。=-3.1083:A1=-3.2626:A:=-1.2196:A3=-0.13923:B,=1.0265;B2=0.38755:B3=0.041833。2
