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低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GBT 13539.4-2009.pdf

上传人:g****t 文档编号:2437638 上传时间:2023-06-23 格式:PDF 页数:34 大小:5.70MB
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资源描述

1、GB/T13539.4-2009/1EC60269-4:2006前言GB13539低压格断器预计分为五个部分:一第1部分:基本要求:一第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A至1,一第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔街器)标准化熔断器系统示例A至F:一第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求:一第5部分:低压熔断器应用指南。本部分为GB13539的第4部分,本部分等同采用1EC60269-4:2006低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求(英文版)。为便于使用,本部分作了下列编辑性修改一明除国际标

2、准的前言和引言:一除原表、图及部分条款下的编辑性注释:一原7.4中倒数第二行“熔体不应熔化”疑有误,改为“熔断体不应熔断”一原图102“约定试验装置举例”中右图上标疑有误,改为。本部分与GB13539.1一2008一起使用。本部分的条款号与GB13539.1相对应。本部分代替GB/T13539.4一2005低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求和GB/T13539.7一2005低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求第1至3篇:标准化熔断体示例。本部分主要由原GB/T13539.4及GB/T13539.7全部内容合并而成。本部分与GB/T13539.4一2005和GB

3、/T13539.7一2005相比主要变化如下:一原GB/T13539.4一2005中附求A规范性附求改为资料性附水,原附求B资料性附求改为规范性附录:原GB/T13539.7一2005内容改为本部分附录C内容:图C.2表中原“F最大值”改为“F名义值”:一图C.7表中最后一栏H最大值倒数第6行,原为“0.4”,现改为“33.4”。本部分的附录B、附录C为规范性附录,附录A为资料性附录。本部分由中国电器工业协会提出。本部分由金国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC340)归口,本部分负责起草单位:上海电器科学研究所(集团)有限公司。本部分参加起草单位:上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂、浙江西熔电气有限公司、人民电器集团有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司。本部分主要起草人:季慧玉、吴庆云。本部分参加起草人:林海鸥、刘双库、李全安、郎建才、黄章武、郑爱国。本部分所代替标准的历次版本发布情况为:-GB13539.4-1992、GB/T13539.4-2005:-GB/T13539.7-2005。

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