1、GB/T25075-2010前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。本标准起草单位：中国科学院半导体研究所、中国有色金属工业标准计量质量研究所。本标准主要起草人：曾一平、赵有文、提刘旺、崔利农、向磊、普世申。IGB/T25075-2010表2电学性能电阻率迁移率载流子浓度导电类型ncmcm2/V.Scm-0.1110-310005X1074X10B0.31510-405X10751093.6晶向及晶向偏离度砷化镓单品棒取向为：、，滚圆后的晶向偏离不大于0.5（当客户对品向参数有特殊要求
2、时由供需双方在合同中确定)。3.7位错密度和分布要求砷化镓单品棒的位错密度和位错类型和分布要求应符合表3的规定，当客户对品体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。表3位错密度和分布要求直径50.876.2100150位错密度/（个/cm2)2X1041011105101)在品棒的检测样片直径1/20的边缘内不允许出现超过1mm长的位错排或面积超过位错类型0.5mm2的位错团.和2)如在品棒检测样片直径的1/20边缘外出现上述位错排或位错团，则不允许位错排或位分布要求错团是向品桥轴心方向延伸的，4检验方法4.1外形尺寸用精度0.02mm的游标卡尺进行测量。4.2外观用测量显微镜进行观察和测量。4.3电阻率按GB/T4326规定的测量方法进行。4.4迁移率按GB/T4326规定的测量方法进行。4.5载流子浓度按GB/T4326规定的测量方法进行。
