GB/T33657-2017引言相变存储器是一种非易失性存储器，其存储单元在外部电场的电热学作用下可在高阻的非品态和低阻的多晶态间进行高速可逆的结构变化，变化前后的电阻差别可达10倍以上，从而实现数据存储的功能，相变存储单元的电学操作参数包括写操作参数以及擦操作参数。这些参数可以通过本标准的测试规范准确的提取。它们不仅可以有效评估由相变存储单元构成的相变存储器的若干性能指标，还将为相变存储器的驱动电路、读出电路以及存储阵列的设计提供依据。相变存储单元可使用的相变材料种类紧多，可实现的器件结构也不唯一。本标准的测试规范可以为不同相变材料、不同相变单元器件结构的性能表征以及相变存储器量产过程中工艺稳定性的监控提供有效的手段，由于操作电流和相变存储单元的电极尺寸关系密切，过大的电极尺寸会导致操作电流和功耗激增，相应的电学操作参数测试规范也可能超出本标准规定的范围。具体到本标准，我们制定适用于存储器的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm一300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。
